E-5-Memória

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Elementos de Tecnologia da Informação
Professor: 
José Maria da Silveira Gomes
Elementos de Tecnologia da Informação
5 – Memória
5.1 – Unidades de medida
Tanto para especificar a memória principal do equipamento como
para indicar a capacidade de armazenamento, são usados múltiplos
de bytes.
K = Kilo (KB = Kilobytes)
M = Mega (MB = Megabytes)
G =Giga (GB = Gigabytes)
T = Tera (TB = Terabytes)
1 bit pode conter 1(hum) ou 0(zero)
1 byte = 8 bits
1 KB = 1024 bytes = 2¹º
1 MB = 1.048.576 bytes = 2²º
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5 – Memória
5.2 – Memória Principal
São registradores de alta velocidade, empregados no armazenamento
de informação durante o processo de execução de instruções pela
unidade de controle da máquina.
A memória principal ou central é composta por dois tipos de circuitos:
a) Random Access Memory (RAM) – memória de escrita e leitura
para armazenamento de dados e programas durante a operação
da máquina. 
• Perde seu conteúdo ao ser desligado o equipamento;
• O tempo de acesso para qualquer endereço é o mesmo. 
Tipos: 
SRAM (Static RAM) – memória RAM que só perde os dados
se desligar a alimentação.
DRAM (Dynamic RAM) – perde o conteúdo se não for lido ou
escrito de tempos em tempos (2 ms)
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5 – Memória
b) Read Only Memory (ROM) – memórias que só admitem acessos
para leitura durante a operação.
• Não são voláteis, mantendo o conteúdo mesmo quando a
energia é desligada
Tipos:
PROMs (Programmable ROMs) 
EPROMs (Erasable PROMs)
O conteúdo só pode ser
gravado, mediante circuito especial
5.2 – Memória Principal
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5 – Memória
5.3 – Memória Secundária
A memória secundária é a memória usada para armazenamento
permanente. 
• Por essa razão não é volátil
• Maior capacidade de armazenamento.
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5 – Memória
5.4 – Comparação entre memórias
CARACTERÍSTICAS Pincipal Secundária
Tipos / Exemplos RAM e 
Cache
ROM CD-ROM, HD, 
Fita, Pen Drive
Tempo de Acesso Menor Menor Maior
Velocidade Maior Maior Menor
Custo Maior Maior Menor
Capacidade 
Armazenamento
Menor Menor Maior
Volatilidade Voláteis Não voláteis Não voláteis
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5 – Memória
5.5 – Terminologia
• CÉLULA DE MÉMORIA – Flip-flop, armazenam um único bit
• PALAVRA DE MEMÓRIA – Um grupo de células, normalmente 4 a 64 bits
• CAPACIDADE – Quantidade de bytes máximo
• ENDEREÇO –Identifica a posição de uma palavra na memória
• OPERAÇÃO DE LEITURA – Também chamada de “busca” na memória
• OPERAÇÃO DE ESCRITA – Também chamada de “armazenamento”
• TEMPO DE ACESSO – Quantidade de tempo necessária à busca ou armazenamento
• MEMÓRIA VOLÁTIL – Necessitam de energia elétrica para reter a informação
armazenada
• MEMÓRIA DE ACESSO RANDÔMICO (RAM) – O tempo necessário é constante para
qualquer endereço da memória.
• MEMÓRIA DE ACESSO SEQUENCIAL (SAM) – O tempo de acesso não é constante,
mas depende do endereço. Ex. fitas magnéticas
• MEMÓRIA DE LEITURA/ESCRITA (RWM) – Qualquer memória que possa ser lida ou
escrita com igual facilidade.
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5 – Memória
5.5 – Terminologia (continuação)
• MEMÓRIA DE LEITURA (ROM) – Uma classe de memórias a semicondutor
projetadas para aplicações onde a taxa de operações de leitura é infinitamente
mais alta do que as de escrita. São as não voláteis
• DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA ESTÁTICA – Enquanto houver energia elétrica
aplicada, não há necessidade de reescrever a informação.
• DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA DIMÂMICA – necessitam de recarga (refresh)
• MEMÓRIA PRINCIPAL (INTERNA) – É a mais rápida do sistema. (Instruções e
dados).
• MEMÓRIA DE MASSA – É mais lenta que a principal. Grande capacidade de
armazenamento.
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5 – Memória
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