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UNIVERSIDADE ESTACIO DE SÁ ENGENHARIA ELÉTRICA SISTEMAS EMBARCADOS PROFESSOR : MOISÉS ALUNOS : ANA CAROLINA GARCIA GOMES MAYCO AZEVEDO CAMPOS DOS GOYTACAZES 2017 SISTEMAS DIGITAIS – RONALD TOCCI CAPÍTULO 12 – DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA O autor começa o capítulo enumerando alguns termos do estudo do capítulo e fazendo sua definição. Como: Célula de memória: Usado para armazenar um único bit. Palavra de memória: Grupo de bits em uma memória que representa instruções ou dados de algum tipo. Byte: Termo usado para um grupo de 8 bits. Capacidade: Especifica quantos bits são armazenados em determinado dispositivo ou sistema completo de memória. Densidade: Outro termo para capacidade. Endereço: Número que identifica a posição de uma palavra na memória. Operação de leitura: Operação em que a palavra binária armazenada em uma posição específica da memória é detectada e assim transferida para outro dispositivo. Operação de escrita: Sempre que uma nova palavra é escrita, ela substitui a palavra que estava armazenada lá. Tempo de acesso: Mede a velocidade de operação de um dispositivo de memória. Memória volátil: Precisa da aplicação de uma tensão elétrica para armazenar a informação. Memória de acesso aleatório (RAM): A posição física real da palavra na memória, não tem efeito sobre o tempo de leitura ou escrita naquela posição. Memória de acesso sequencial (SAM): O tempo de acesso varia conforme o endereço. Memória de leitura e escrita (RWM): Qualquer uma que possa ser lida ou escrita facilmente. Memória apenas de leitura (ROM): Memórias semicondutoras para aplicações em que a razão de operações de leitura por operações de escrita é alta. Dispositivos de memória estática: Possuem memória semicondutora nos quais os dados permanecem armazenados enquanto estiver conectado a fonte de alimentação. Dispositivos de memória dinâmica: Os dados não ficam permanentemente armazenados. Memória principal: Armazena instruções e dados que a CPU esta acessando no momento. Memória de cache: Memória de alta velocidade que opera entre a memoria principal mais lenta e a CPU. Memória auxiliar: Armazena grande quantidade de informações externas á principal. O autor também fala que todo sistema de memória requer diversos diferentes tipos de linhas de entrada de de saída para aplicar o endereço binário da posição de memoria acessada, habilitar o dispositivo de memória, no caso de operação de leitura habilitar as saídas, de escrita aplicar os dados a serem armazenados aos pinos de entrada de dados, habilitar as operações de escrita e desativar os controles de leitura ou escrita quando terminar a leitura ou escrita e desabilitar o CI de memória.
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