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Exrcicios da aula 1 a 10 Materiais Eletricos

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Exercício: CCE0252_EX_A1_201408330938 Matrícula: 201408330938
Aluno(a): RENATO DA LUZ JOIA Data: 28/02/2015 12:22:08 (Finalizada)
 1a Questão (Ref.: 201408463612) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será u�lizado um fio cilíndrico cuja
resis�vidade é igual a 89,1 x 10
-6
 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da
seção reta deste fio.
4,09 cm
2
1,09 cm
2
 0,09 cm2
3,09 cm
2
2,09 cm
2
 2a Questão (Ref.: 201408605180) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de
resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
 Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
 3a Questão (Ref.: 201408524239) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas
na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre a
temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta
resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades,
muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes.
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes.
Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
 Arseneto de Gálio, madeira e borracha.
Silício, Ferro, água pura.
Madeira, borracha e água pura.
Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio.
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 4a Questão (Ref.: 201408524241) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade
de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as
informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas
mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut,
Norwalk, 1972, Chapter 3)
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
F=m.a
P=U.i
V=R i.A/l
 V=R.i
V=N.i.E
 5a Questão (Ref.: 201408524240) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que
devem ser utilizados em diversas ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é
fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um
possível meio eletricamente carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória. Entre
os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento elétrico semelhante ao da borracha, podemos citar:
 
Isopor, madeira e água destilada e deionizada.
Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio.
Silício, Ferro, água pura salgada.
Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
 Madeira, borracha, vidro e isopor.
 6a Questão (Ref.: 201408524236) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e deseja instalá-lo. Sabendo que você não pode
alterar o comprimento do fio a ser utilizado, considere a opção mais adequada ao contexto descrito anteriormente.
 Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor
resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule
(geração de calor).
Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que quanto menor esta área, menor a
quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da seção
reta do fio utilizado.
O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o
trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais
rapidamente transitarão em seu interior.
Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este apresentará menor
resistividade e, portanto, permitirá a fácil passagem de elétrons.
Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio
a ser comprado e nem o seu volume.
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Exercício: CCE0252_EX_A2_201408330938 Matrícula: 201408330938
Aluno(a): RENATO DA LUZ JOIA Data: 28/02/2015 12:47:15 (Finalizada)
 1a Questão (Ref.: 201408605204) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados
porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de
massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a
sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção
CORRETA.
Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a
massa que o compõe.
 À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser
considerada infinita.
À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao
infinito.
 Gabarito Comentado
 2a Questão (Ref.: 201408524266) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática.
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas
dos materiais.
Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a
partir do deslocamento retilíneo do elétron.
 Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um
material.
Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga.
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do
tipo-n.
Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da
temperatura do material.
 3a Questão (Ref.: 201408524260) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que
conhecemos como corrente elétrico. Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas simcom os elétrons
sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve
este fenômeno é:
 Mobilidade elétrica.
Resistência elétrica.
Resistividade elétrica.
Supercondutividade elétrica.
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Condutividade elétrica.
 4a Questão (Ref.: 201408524250) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a
matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos
de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5,
diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um
elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
Ba+2
 
B+3
 
 As+5
 
Al+3
 
O-2
 5a Questão (Ref.: 201408524258) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microcircuitos com uma
infinidade de componentes, observáveis as vezes somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que
melhor representa somente conceitos corretos.
 Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que
apresentam impurezas.
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a
presença de qualquer impureza no sistema.
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
 
Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina
composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4).
 
 Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cristalina
composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4).
 6a Questão (Ref.: 201408465071) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Um pedaço de fio de alumínio tem resistência de 2 W. Se pedaço de fio de cobre tem a mesmas dimensões do fio de
alumínio, qual será sua resistência?
r alunínio = 2,825 x 10 -6 W.cm à 20 ºC
r cobre = 1,723 x 10 -6 W.cm à 20 ºC
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a) R = 3,28 Ω
e) R = 2,83 Ω
d) R = 0,122 Ω
 b) R = 1,22 Ω
c) R = 0,328 Ω
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Exercício: CCE0252_EX_A3_201408330938 Matrícula: 201408330938
Aluno(a): RENATO DA LUZ JOIA Data: 13/04/2015 10:30:05 (Finalizada)
 1a Questão (Ref.: 201408959930) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas,
ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. Um resistor com coeficiente de variação de
temperatura positivo de 4.10-3 ºC-1 apresenta o valor de 5KΩ a 25 C º. Qual sua resistência na temperatura
de 75 C º?
3KΩ
 6KΩ
25KΩ
1KΩ
4,25KΩ
 Gabarito Comentado
 2a Questão (Ref.: 201408524275) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da
quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos
assumir que a resistividade obedece a expressão r=r0+aT, onde r0 e a ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
 Reta.
Parábola.
Círculo.
Elipse.
Hipérbole.
 3a Questão (Ref.: 201408524270) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do
próprio Silício, criando-se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = N
ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas
negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos
(m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a concentração de portadores de
cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior
para:
σ = 2 P ІeІ µh
σ = N ІeІ µh.
A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de
alterar-se gravemente a precisão da condutividade.
 σ = P ІeІ µh.
σ = N ІeІ (µe + µh).
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 4a Questão (Ref.: 201408524281) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados
com elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos
tem seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em projeto,
ou seja, aquilo que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que a
incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização.
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas.
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos de
Silício
 O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um
semicondutor extrínseco.
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas
somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor submetido a uma
diferença de potencial é próxima a velocidade da luz.
 5a Questão (Ref.: 201408524278) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Do ponto de vista tecnológico, a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para
a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o
Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da
Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes
materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do
tipo-p.
Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou
portadores de carga positivas.
 A resistividadedo semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
 6a Questão (Ref.: 201408946229) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280
(Ω.m)^(-1). Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10^20 m^(-3) e que a mobilidade de buracos e
elétrons nesse material são respectivamente 0,09 m^2/V.S e 0,28 m^2/V.S, a concentração de elétrons é:
140,25 x 10^19 m^-3
541,05 x 10^19 m^-3
715,78 x 10^19 m^-3
618,57 x 10^19 m^-3
 412,88 x 10^19 m^-3
 Gabarito Comentado
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Exercício: CCE0252_EX_A4_201408330938 Matrícula: 201408330938
Aluno(a): RENATO DA LUZ JOIA Data: 13/04/2015 10:44:41 (Finalizada)
 1a Questão (Ref.: 201408946257) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)-1. Sabendo que a
concentração de buracos é de 2 x 1020 m-3 e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09
m2/V.S e 0,28 m2/V.S, a concentração de elétrons é:
541,05 x 1019 m-3
 618,57 x 1019 m-3
412,88 x 1019 m-3
715,78 x 1019 m-3
140,25 x 1019 m-3
 Gabarito Comentado
 2a Questão (Ref.: 201408610415) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos semicondutores
extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses
semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício.
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
 a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos".
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
 Gabarito Comentado
 3a Questão (Ref.: 201408605243) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n.
Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em
uma matriz de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina.
Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio
neste processo.
Be+2
Ge+5
Na+
 P+5
O-2
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 4a Questão (Ref.: 201408524321) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do
Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos
condutores tipo-n.
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
 5a Questão (Ref.: 201408524291) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Alguns componentes eletrônicos fazem uso de semicondutores extrínsecos e intrínsecos conjuntamente, sendo necessário que na
temperatura de trabalho, o semicondutor intrínseco possua condutividade inferior a condutividade do extrínseco. No gráfico a seguir,
no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se
observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de
dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013%. Baseado nestas informações, marque a
opção correta. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997,
Chapter 19).
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
 
 
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A partir das informações expostas no gráfico, percebe-se que em todas as temperaturas a
condutividade elétrica do semicondutor intrínseco é superior a dos semicondutores extrínsecos.
A temperatura de 100oC, o componente eletrônico terá que ser montado utilizando-se somente os
condutores extrínsecos mostrados no gráfico.
A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco
provavelmente funcionará sem problemas referentes a condutividade.
 Em nenhuma temperatura exposta no gráfico, haverá problemas de inversão de condutividade elétrica.
A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco
provavelmente apresentará problemas referentes a condutividade.
 6a Questão (Ref.: 201408524300) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Dos componentes eletrônicos que sugiram entre 1940 e 1950, talvez o transistor seja o mais utilizado; consiste de um componente
microeletrônico fabricado com semicondutores intrínsecos e extrínsecos e utilizado na amplificação de sinais, substituindo o seu
precursor da era das válvulas, o triodo. Nos primeiros anos da década de 50, os transistores eram fabricados com Silício, Gálio e
Germânio, sendo este último abandonado em decorrência do melhor desempenho atingido com os transistores de Silício.
Considerando que a mobilidade elétrica dos portadores de carga e a condutividade elétrica de um semicondutor estão relacionadas
por s=n.l e l.me, calcule a condutividade de um semicondutor de Silício dopado com 1023 átomos por m3 de Fósforo, sabendo-se
que l e l =1,6.10 -19C e .me = 0,14m2/V.s.
2.000 (ohm.m) -1
 2.240 (ohm.m) -1
1.500 (ohm.m) -1
11,43 (ohm.m) -1
2.500 (ohm.m) -1
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Exercício: CCE0252_EX_A5_201408330938 Matrícula: 201408330938
Aluno(a): RENATO DA LUZ JOIA Data: 18/04/2015 11:33:42 (Finalizada)
 1a Questão (Ref.: 201408462358) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é
percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor.
Considere a condu�vidade do cobre igual a 5,8 x 10
7
 S/m.
6,4 V
1,2 V
120 mV
640 mV
 64 mV
 2a Questão (Ref.: 201408524324) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar
relacionada a resistência elétrica R através da expressão r=R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção
reta do condutor no formato cilíndrico)e nem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a
resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade
constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
 À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC,
pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
 3a Questão (Ref.: 201408524351) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Capacitor é um sistema composto por dois condutores (chamados de armaduras ou de placas) separados por um dielétrico
(isolante). Considera-se, de forma simplificada, que a carga deste sistema quando submetido a uma diferença de potencial é a
carga em módulo de uma das placas, ou seja, se uma placa tem carga +Q e a outra possui carga ¿Q, dizemos que o capacitor tem
carga Q.
 
Considerando o exposto, indique a opção correta.
 
A condutividade elétrica de um dielétrico deve ser alta, uma vez que deve haver condução de carga em
seu interior.
 Em um sistema constituído de uma pessoa (o corpo é um condutor) sobre uma prancha de madeira que
se encontra sobre um terreno (condutor), podemos dizer que se poderia formar um capacitor onde a
pessoa e a terra seriam as armaduras do capacitor e a prancha seria o dielétrico.
Um sistema constituído por duas placas condutoras paralelas submetidas a uma diferença de potencial
e com vácuo entre elas não pode ser considerado um capacitor.
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A borracha, o cerâmico genérico e o aço inoxidável são elementos tipicamente encontrados como
dielétricos.
A resistividade de um material dielétrico é da mesma ordem de grandeza que a resistividade de um
material condutor.
 4a Questão (Ref.: 201408450594) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
O valor da resis�vidade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura.
De que modo esta dependência é explicitada?
 
 
Trigonométrica
Quadrá�ca
 Linear
Logarítmica
Exponencial
 
 5a Questão (Ref.: 201408959933) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando
os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
cerâmica e fio enrolado
 filme de madeira (wood film) e filme de metal
CERMET e filme de carbono
composição de carbono e plástico
fio enrolado e CERMET
 Gabarito Comentado
 6a Questão (Ref.: 201408524356) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre
suas placas um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-se que a capacitância, C, de um capacitor é a
razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opção
correta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
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2 de 3 02/07/2015 08:08
C=Q0 / V
0.
 C=(Q0 + Q´) / V
Q0 = C. V
C=Q´/V.
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3 de 3 02/07/2015 08:08
 MATERIAIS ELÉTRICOS Lupa 
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Exercício: CCE0252_EX_A6_201408330938 Matrícula: 201408330938
Aluno(a): RENATO DA LUZ JOIA Data: 29/04/2015 11:08:40 (Finalizada)
 1a Questão (Ref.: 201408524645) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Existem materiais que apresentam polarização elétrica espontânea a nível microestrutural, ou seja, mesmo na ausência de campos
elétricos externos, estes materiais apresentam dipolos elétricos. Isto ocorre em conseqüência da combinação de cargas elétricas
pertencentes a íons de sinais contrários e a assimetria geométrica da rede cristalina que compõem a substância, como mostrado na
figura a seguir.
 
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Com relação a este tipo material, podemos afirmar:
O material apresentado na figura apresenta estrutura hexagonal, garantindo o caráter assimétrico de
sua estrutura e, portanto, a a presença microstrutural de dipolos elétricos.
O material exemplificado na figura apresenta estrutura cúbica, o que provoca a assimetria dos íons
posicionados nos vértices e nas faces do cubo.
 A assimetria microestrutural pode ser observada nas medidas dos lados da célula unitária que
compõem o material mostrado na figura anterior.
Este tipo de material mantém a polarização espontânea em qualquer temperatura, sendo adequado a
utilização como condutor por não perder suas propriedades.
A assimetria se refere somente a quantidade de íons que compõem a substância, que é diferente para
cada átomo que a compõe.
 2a Questão (Ref.: 201408524363) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A característica básica dos materiais isolantes é a péssima capacidade de conduzir corrente elétrica. Devido a esta característica,
são utilizados como dielétricos de capacitores e constituintes de equipamentos de proteção individual.
Assinale o item que contenha informações corretas sobre esses materiais:
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1 de 3 02/07/2015 08:09
 Os cerâmicos representam os materiais mais abundantes na natureza. Possuem condutividade elétrica e
térmica baixas, além de apresentarem fragilidade a choques mecânicos.
Geralmente a carga elétrica cedida a um isolante espalha-se por todo sua extensão, não permitindo a
sua condução.
Os materiais isolantes, cerâmicos ou poliméricos, possuem muitos elétrons livres que não promovem
condução elétrica por estarem presos a rede cristalina.
Os polímeros são compostos de pequenas cadeias de carbono e são geralmente isolantes. Possuem boa
ductilidade e alta temperatura de fusão.
Os isolantes apresentam baixa resistividade elétrica e são raramente encontrados na natureza.
 3a Questão (Ref.: 201408524367) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Contrariando o que se julgava definido, a partir de 1970, diversas linhas de pesquisa apresentaram como produto polímeros
condutores, que chegavam a apresentar condutividade comparável a do Cobre.
Considerando os itens abaixo, assinale a opção correta:
No caso dos polímeros, a corrente elétrica gerada não depende da estrutura de elétrons presente.
 Nos casos em que o peso do condutor é relevante, é interessante ter a opção de substituir o metal
condutor por polímeros condutores.
Todos os metais podem ser substituídos por polímeros condutores, nos casos que os primeiros atuam
como condutores.
A condutividade de um polímero condutor nunca será comparável a de um condutor não polimérico.
Com o advento dos polímeros condutores, as luvas dos equipamentos de proteção individual poderão
ser confeccionadas com este material.
 4a Questão (Ref.: 201408941349) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Entre as diversas propriedades dos materiais elétricos, há duas que merecem especial relevância devido a
aplicação das mesmas nos dispositivos elétricosdo dia a dia: a ferroeletricidade e a piezoeletricidade. Com
relação a estes dois tipos de propriedade, NÂO podemos afirmar:
Os materiais ferroelétricos possuem alto custo, limitando o seu uso em Engenharia.
O carbeto de silício é um exemplo de material transdutor muito utilizadi em micrifones.
O titanato de bário é o exemplo de um material ferroelétrico, que pode ser utilizado como material
dielétrico em capacitores.
 Os materiais piezoelétricos são aqueles que transformam luz em energia elétrica.
Materiais ferroelétricos são materiais que possuem a capacidade de formação natural de dipolos
elétricos, apresentando magnetização permanente.
 5a Questão (Ref.: 201408524362) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Está provado que correntes superiores a 20mA são capazes de causar paradas respiratórias, conduzindo algumas vezes a morte.
Um dos objetivos de se utilizar equipamento de proteção individual composto de materiais isolantes elétricos é evitar este tipo de
acidente.
Considerando o exposto, determine a opção que provavelmente só apresenta materiais isolantes elétricos.
 Borracha, isopor, madeira e cerâmica genérica.
Silício, Prata, água pura salgada.
Ferro, madeira porosa e borracha.
Madeira, borracha, Platina e isopor.
Cobre, Ouro Níquel e Nitrato de Manganês.
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 6a Questão (Ref.: 201408959932) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
As aplicações de telecomunicações, equipamentos médicos e controle, instrumentação e sensoriamento de
grandezas físicas são críticas e exigem resistores de alta precisão. A escolha de um resistor de precisão para
uma aplicação não envolve apenas a observação de sua tolerância. Pode-se afirmar que vários fatores podem
influenciar o valor de um resistor de precisão. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com fator
INCORRETO:
temperatura ambiente
impurezas do ambiente
 alta frequência da corrente
umidade ambiente
indutância
 Gabarito Comentado
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3 de 3 02/07/2015 08:09
 MATERIAIS ELÉTRICOS Lupa 
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Exercício: CCE0252_EX_A7_201408330938 Matrícula: 201408330938
Aluno(a): RENATO DA LUZ JOIA Data: 29/04/2015 11:14:21 (Finalizada)
 1a Questão (Ref.: 201408450596) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Os semicondutores intrínsecos são aqueles que:
Possuem carga elétrica neutra
Possuem carga elétrica nega�va
Possuem carga elétrica posi�va
 Possuem carga elétrica igual à zero
Não possuem resistividade
 2a Questão (Ref.: 201408524369) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Capacitores ou condensadores são componentes eletrônicos que armazenam energia quando submetidos a um campo elétrico.
Define-se, então, a grandeza denominada capacitância, dada por C=e0(A/l), onde A representa a área das placas, l a distância
entre elas e eo é a permissividade do vácuo.
Considerando-se as informações anteriores, calcule o novo espaçamento que deve assumir as placas de um capacitor com er =2 e
l=1mm quando for utilizado um dielétrico de er =4, considerando-se que a capacitância não deve ser alterada.
2,5 mm
0,5 mm
4 mm
 2 mm
1 mm
 3a Questão (Ref.: 201408941354) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
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1 de 3 02/07/2015 08:10
A população das redes locais de transmissão de dados (LAN), houve a necessidade de evolução tecnológicas em
diversos nichos da eletro-eletrônica, originando diversos produtos tecnológicos. Entre estes produtos,
encontram-se os cabos UTP. Com relação a estes cabos, só NÂO podemos afirmar que:
 Só admitem transmissão até 10Mbts.
Admitem velocidade de transmissão de 10 MBits a 100MBits.
O acrônimo UTP significa Unshielded Twisted Pair ¿ UTP ou Par Trançado sem Blindagem.
Os cabos UTP podem ser aplicados em redes locais com distância total de até 100m.
Nos cabos UTPs verifica-se também que quanto maior for a taxa de modulação, maior será o valor da
atenuação do sinal com a distância percorrida.
 Gabarito Comentado
 4a Questão (Ref.: 201408610423) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Uma fibra ótica é um dispositivo na forma de fio com densidade diferenciada ao longo de sua seção reta, o que
confere a fibra propriedades de confinamento da luz.
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering : An Introduction, John Wiley & Sons, USA,
1997, Chapter 22).
 
Entre os itens abaixo, PODEMOS apontar como correto:
O feixe fotônico não se perde devido a igualdade entre os índices de refração do núcleo da fibra e as
paredes.
As fibras óticas devem ser mantidas afastadas de campos elétricos, sob pena de desvio e perda de
informações.
 A diferença entre os índices de refração é essencial para confinar o feixe de luz.
O feixe fotônico mantém sua trajetória contanto que não haja campo magnético externo.
Embora a fibra contenha o feixe fotônico, se houver campo magnético presente, o campo é afetado.
 5a Questão (Ref.: 201408610425) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor
que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que
aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os
elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional.
Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vibração se
transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta frequência e energia
quantizada denominada de fônon. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20).
 
Com relação ao exposto, PODEMOS afirmar que:
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e isolante quando
submetidos a mesma diferença de potencial.
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de
mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito.
Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero.
 Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material isolante sob campo elétrico de
mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
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2 de 3 02/07/2015 08:10
 6a Questão (Ref.: 201408524383) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Considerando um capacitor de placas paralelas com as seguintes características:
Área = 8.10-4 mm2, l = 3.10-3 m, er=5 (constante dielétrica do meio) e e0= 9.10-12 F/m, como mostra a figura a seguir, pode-se
afirmar que o deslocamento dielétrico dado por D= e (V/L) é igual a:
 
0,08 . 10 8 C/m2
4,8 . 10-8 C/m2
16,8 . 10-8 C/m2
 25,0 . 10-8 C/m2
132,8 . 10-14 C/m2
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3 de 3 02/07/2015 08:10
 MATERIAIS ELÉTRICOS Lupa 
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Exercício: CCE0252_EX_A8_201408330938 Matrícula: 201408330938
Aluno(a): RENATO DA LUZ JOIA Data: 29/04/2015 11:31:11 (Finalizada)
 1a Questão (Ref.: 201408524651) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Algumas substâncias, como o niobato de potássio e o titanato de chumbo, são capazes de transformar deformações mecânicas em
energia elétrica e também de realizar o contrário, transformar energia elétrica em deformações mecânicas. Esta propriedade lhes
garante aplicações em diversos utensílios da vidamoderna, tais como em microfones, em alarmes sonoros e em agulhas de toca
discos (resgatadas a pouco tempo de uma quase obsolescência). (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering
¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Com relação a este tipo de substância, podemos dizer que :
Geralmente possuem estruturas cristalinas complexas e com baixo grau de simetria.
As substâncias que apresentam as propriedades descritas anteriormente não podem apresentar
simultaneamente propriedades ferroelétricas.
Este comportamento pode ser aprimorado por meio do aquecimento acima da temperatura de Curie da
substância, seguido de resfriamento até temperaturas criogênicas.
Geralmente as substâncias que apresentam o comportamento descrito são diamagnéticas ou
paramagnéticas.
 Com o tempo e uso contínuo, alguns cristais que possuem estas propriedades apresentam a perda de
intensidade na manifestação das mesmas.
 Gabarito Comentado
 2a Questão (Ref.: 201408524641) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A polarização é o alinhamento de momentos dipolares atômicos ou moleculares, permanentes ou induzidos, com um campo elétrico
aplicado externamente. Existem três tipos ou fontes de polarização: eletrônica, iônica ou de orientação. Baseado nestas informações
e na figura a seguir, os dois tipos de polarização mostrados na figura (a) e figura (b) são respectivamente:
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
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1 de 3 02/07/2015 08:11
 
 
 
De orientação e eletrônica.
Eletrônica e de orientação.
Iônica e eletrônica.
 Eletrônica e iônica.
Iônica e de orientação.
 3a Questão (Ref.: 201408940943) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Os resistores são componentes que possuem a função básica de conversão de energia elétrica em energia
térmica na forma de calor. A resistência é o parâmetro que descreve o comportamento dos resistores, medido
em Ohm (Ω). Com relação a estes componentes elétricos, é INCORRETO afirmar:
Os resistores são denominados de fixos quando possuem um valor da resistência fixo durante a
operação.
Os resistores são denominados de ajustáveis quando possuem o valor da resistência previamente
determinados pelo fabricante antes da operação e pode ser modificado posteriormente.
O calor retirado do resistor possui diversas aplicações, entre elas o aquecimento de água e aquecimento
do próprio ambiente em áreas frias do planeta.
Considerando os resistores variáveis, tem-se que esta variação pode seguir uma tendência linear ou
logarítmica, entre outras funções matemáticas.
 Os resistores são denominados de variáveis quando possuem uma variação desconhecida no valor da
resistência durante a operação.
 Gabarito Comentado
 4a Questão (Ref.: 201408524650) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Alguns materiais, como o zirconato de chumbo, ao serem submetidos a uma tensão mecânica s, geram eletricidade, como mostrado
na figura a seguir. Este tipo de material é utilizado como transdutor, ou seja, dispositivo que é capaz de converter energia elétrica
em deformações mecânicas e vice-versa.
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Em relação aos materiais que apresentam a propriedade anteriormente descrita, pode-se dizer que: 
São denominados de ferroelétricos.
São denominados de diamagnéticos.
 São denominados de piezoelétricos.
São denominados de magnéticos.
São denominados de ferrimagnéticos.
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2 de 3 02/07/2015 08:11
 5a Questão (Ref.: 201408524644) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
O titanato de bário, mostrado na figura a seguir, é um material que apresenta polarização espontânea a nível microestrutural, ou
seja, mesmo na ausência de campos elétricos externos, este material apresenta dipolos elétricos.
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Com relação a este tipo material, podemos afirmar:
 
 
São denominados de diamagnéticos.
São denominados de magnéticos.
São denominados de ferromagnéticos.
 São denominados de ferroelétricos.
São denominados de ferrimagnéticos.
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3 de 3 02/07/2015 08:11
 MATERIAIS ELÉTRICOS Lupa 
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Exercício: CCE0252_EX_A9_201408330938 Matrícula: 201408330938
Aluno(a): RENATO DA LUZ JOIA Data: 29/04/2015 11:34:23 (Finalizada)
 1a Questão (Ref.: 201408524657) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Diversos materiais exibem a propriedade de manter a polarização elétrica a nível microsestrutural na ausência de campos elétricos
externos, tais como o sal de Rochelle, o di-hidrogeno fosfato de potássio, o niobato de potássio entre outros. (CALLISTER, WILLIAM
D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Com relação a estes materiais, podemos afirmar:
São denominados paramagnéticos.
São denominados diaelétricos.
 São denominados ferroelétricos.
São denominados ferromagnéticos.
São denominados ferrimagnéticos.
 2a Questão (Ref.: 201408524654) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A figura a seguir mostra uma reprodução artística de uma fibra ótica no momento da transmissão de dados em seu interior através
de feixe fotônico. Percebe-se que o feixe permanece confinado entre o núcleo da fibra e suas paredes, garantindo que a
informação não se perca ao longo do caminho.
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 22).
 
Entre os itens abaixo, podemos apontar como correto:
O feixe fotônico não se perde em decorrência da diferença de potencial estabelecida entre as
extremidades da fibra.
O feixe fotônico não se perde devido a igualdade entre os índices de refração do núcleo da fibra e as
paredes.
O feixe fotônico mantém sua trajetória contanto que não haja campo elétrico externo
 O feixe fotônico não se perde devido a diferença entre os índices de refração do núcleo da fibra e as
paredes.
O feixe fotônico mantém sua trajetória contanto que não haja campo magnético externo.
 3a Questão (Ref.: 201408524658) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Considerando-se as propriedades elétricas e a simetria da rede cristalina da figura a seguir. Pode-se dizer que a mesma pode
pertencer a um material com que tipo de magnetização?
BDQ Prova http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_exercicio_preview.asp?cript...
1 de 4 02/07/2015 08:13
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
 
ferrimagnético.
ferromagnético.
 ferroelétrico.
diamagnético.
magnético.
 4a Questão (Ref.: 201408940948) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Indutores são dispositivos que se utilizam das propriedades das bobinas de fios condutores e que possuem a
função de armazenar energia através de campo magnético. Com relação a este dispositivo, identifique a
resposta INCORRETA.
Os indutores de possuem alta capacidade de armazenamento de campo magnético e pequena saturação
de corrente.
 Nos indutores de núcleo de ferro, não há corrente passando pela bobina, mas somente pelo núcleo de
ferro.
Nos indutores de núcleo de ferro, podem-se utilizar como material ferro ou óxido de ferro particulado ou
laminado.
Nos indutores de núcleo de ferro, a indutância é aumentada pela utilização deste núcleo.
Os transformadores são componentes quetem a função básica de aumentar ou diminuir a tensão.
 Gabarito Comentado
 5a Questão (Ref.: 201408524674) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
As formas de comunicação sofreram recentemente uma revolução com o desenvolvimento da tecnologia das fibras óticas. Enquanto
os meios, outrora convencionais, se utilizam de sinais eletrônicos para a transmissão de informação, as fibras óticas se utilizam de
sinais fotônicos, ou seja, fótons de radiações eletromagnéticas.
 
Com relação a este meio de transmissão de dados (fibras óticas), representado na figura a seguir, podemos afirmar que:
 
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2 de 4 02/07/2015 08:13
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 22).
A parte (1) é denominada de centro e a parte (2) é denominada de ex-centro.
As fibras podem ser multímodo, monomodo e polimodo
 A transmissão de fótons pelo núcleo da fibra ótica se deve a diferença do índice de refração entre o
núcleo e casa da fibra.
As fibras óticas são fabricadas com Óxido de Ferro.
O sinal é transmitido através do núcleo da fibra e requer uma diferença de potencial elétrico
 6a Questão (Ref.: 201408524667) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A popularização dos aparelhos de televisão tornou premente a intensificação dos meios de transmissão com freqüências moduladas
em GHz, que deveriam então se estender por quilômetros. Para tanto, projetou-se o cabo coaxial mostrado na figura a seguir.
Com relação a estrutura do mesmo, somente uma opção não está correta, assinale-a:
 
O elemento (2) é um material isolante externo.
O elemento (1) é composto por um condutor de cobre comercial. É onde o sinal elétrico contendo a
informação é transmitido.
O elemento (3) é um condutor externo.
 O elemento (5) , interface entre os elementos (3) e (4) é uma cola condutora.
O elemento (4) é um material plástico externo, que tem a função de proteger o cabo coaxial.
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3 de 4 02/07/2015 08:13
 
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4 de 4 02/07/2015 08:13
 MATERIAIS ELÉTRICOS Lupa 
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Exercício: CCE0252_EX_A10_201408330938 Matrícula: 201408330938
Aluno(a): RENATO DA LUZ JOIA Data: 29/04/2015 13:31:39 (Finalizada)
 1a Questão (Ref.: 201408463598) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Mediu-se um valor de resistência igual a 5,66 mΩ na temperatura de 70oC. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura
do material utilizado é igual a 0,0036 oC-1, determine o valor da resistência esperada na temperatura de 25oC.
 4,87 ohms
7,46 ohms
6,57 ohms
5,41miliohms
5,43 ohms
 Gabarito Comentado
 2a Questão (Ref.: 201408463625) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Deseja-se construir um capacitor de 1,2 nF u�lizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O
valor da constante dielétrica do material u�lizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a
serem u�lizadas.
160 cm
2
100 cm
2
140 cm
2
 120 cm
2
180 cm
2
 3a Questão (Ref.: 201408463624) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Deseja-se construir um capacitor de 12 nF u�lizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O
valor da constante dielétrica do material u�lizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a
serem u�lizadas.
1.345 cm
2
1.453 cm
2
 1.201,3 cm
2
978 cm
2
1.102 cm
2
BDQ Prova http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_exercicio_preview.asp?cript...
1 de 3 02/07/2015 08:13
 4a Questão (Ref.: 201408465507) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
A Engenharia de Cabos para Rede Telefônica recomenda o uso da família CIT. Das alternativas
abaixo qual aquela que está totalmente correta quanto a especificação de um cabo CIT para os
padrões dos modernos serviços?
Recomendado para instalações internas em centrais telefônica, edifícios comerciais,
residenciais e industriais, sem aplicações que exijam segurança contra a propagação de
fogo; Fabricado com isolamento em termoplástico especial, este cabo apresenta
características elétricas estáveis quando da variação de temperatura, conferindo ao
produto ótimo rendimento na transmissão de sinais analógicos e digitais; · Certificado de
homologação ANATEL 0582-02-0256; · Blindagem em fita de poliéster metalizada.
Recomendado para instalações internas em centrais telefônica, edifícios comerciais,
residenciais e industriais, ou aplicações que exijam segurança contra a propagação de
fogo; · Fabricado com isolamento em papel, este cabo apresenta características elétricas
estáveis quando da variação de temperatura, conferindo ao produto ótimo rendimento
na transmissão de sinais analógicos e digitais; · Certificado de homologação ANATEL
0582-02-0256; · Blindagem em fita de poliéster metalizada.
Recomendado para instalações especificamente externas de telefonia e aplicações que
exijam segurança contra a propagação de fogo; Fabricado com isolamento em
termoplástico especial, este cabo apresenta características elétricas estáveis quando da
variação de temperatura, conferindo ao produto ótimo rendimento na transmissão de
sinais analógicos e digitais; · Certificado de homologação ANATEL 0582-02-0256; ·
Blindagem em fita de poliéster metalizada.
Recomendado para instalações internas em centrais telefônica, edifícios comerciais,
residenciais e industriais, ou aplicações que exijam segurança contra a propagação de
fogo; · Fabricado com isolamento em termoplástico especial, este cabo apresenta
características elétricas estáveis quando da variação de temperatura, conferindo ao
produto ótimo rendimento na transmissão de sinais somente analógicos· Certificado de
homologação ANATEL 0582-02-0256; · Blindagem em fita de poliéster metalizada.
 Recomendado para instalações internas em centrais telefônica, edifícios comerciais,
residenciais e industriais, ou aplicações que exijam segurança contra a propagação de
fogo; · Fabricado com isolamento em termoplástico especial, este cabo apresenta
características elétricas estáveis quando da variação de temperatura, conferindo ao
produto ótimo rendimento na transmissão de sinais analógicos e digitais; · Certificado de
homologação ANATEL 0582-02-0256; · Blindagem em fita de poliéster metalizada.
 5a Questão (Ref.: 201408464209) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Um capacitor com dielétrico de ar possui um valor de 0,025 mF. Quando este capacitor é
mergulhado em óleo de transformador sua capacitância passa a ser de 0,08 mF. Qual a
constante dielétrica do óleo do transformador?
d) Єr = 3,2.
 a) Єr = 0,32.
e) Єr = 3,1.
c) Єr = 0,31.
b) Єr = 8,85 x 10-12.
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 6a Questão (Ref.: 201408465091) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Considere as seguintes afirmações:
I. Os resistores de película de filme de carbono são resistores de precisão, normalmente com tolerância
de 1 ou 2%.
II. Os resistores de filme metálico são resistores de precisão, normalmente com tolerância de 1 ou 2%.
III. Os resistores de película de filme de carbono são resistores normalmente com tolerância de 5 ou 10%.
IV. Os resistores de fio suportam apenas correntes de valores reduzidos e dissipam pouca potência.
V. Os resistores de fio utilizam fios que são compostos de ligas que resultam em uma resistividade
adequada para obter o valor da resistência desejado.
Das afirmações listadas acima, são verdadeiras as seguintes:
c) As afirmações III e IV.
b) As afirmações II e III.
e) As afirmações II, III e V.
 d)As afirmações I, II e IV.
a) Somente a afirmação V.
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