MÁQUINAS ELÉTRICAS E ACIONAMENTOS

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1a Questão (Ref.: 201202557159)
	Pontos: 0,0  / 0,1
	Um microcontrolador de 8 bits possui conversores A/D e D/A, Timers/Counters, memórias e outros periféricos. Para esse microcontrolador, assinale a alternativa INCORRETA:
		
	 
	A memória de dados desse microcontrolador pode ser uma ROM.
	
	Portas de entradas e saídas podem ser utilizadas de acordo com a necessidade do usuário.
	
	Esse microcontrolador pode ser aplicado para análise de dados provenientes de um eletrocardiógrafo.
	
	A memória de programa desse microcontrolador pode ser uma EPROM.
	 
	Esse microcontrolador pode ser aplicado para controle de um sistema de segurança de um banco.
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201202557484)
	Pontos: 0,0  / 0,1
	Um microprocessador hipotético possui REM com largura de 24 bits e RDM com largura de 32 bits. Qual a capacidade máxima de armazenamento, em bytes, de um sistema de memória para esse microprocessador?
		
	
	32 MB
	 
	64 MB
	 
	128 MB
	
	16 MB
	
	256 MB
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201202557556)
	Pontos: 0,1  / 0,1
	Analise as afirmativas abaixo com relação à memória Cache: I - É uma memória não volátil e os seus dados não são perdidos ao se desligar o computador. II - É uma memória volátil e os seus dados são perdidos ao se desligar o computador. III - Utiliza a tecnologia da DRAM na sua fabricação. IV - Uma vantagem da utilização da memória Cache consiste em evitar o acesso a outros tipos de memória, cujo tempo de acesso é maior.
		
	
	As afirmativas II, III e IV são corretas.
	
	Apenas a afirmativa IV é correta.
	
	Apenas a afirmativa III é correta.
	
	Apenas a afirmativa II é correta.
	 
	As afirmativas II e IV são corretas.
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201202560513)
	Pontos: 0,1  / 0,1
	"memória somente de leitura, ou seja, não conseguimos gravar nada nesta memória. Não volátil e não apagável". Esta afirmação refere-se a:
		
	
	RAM (Random Access Memory - memória de acesso aleatório)
	
	Memória EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory ¿ ROM Eletricamente apagável)
	
	Memória PROM (programmable read-only memory - ROM Programável)
	 
	Memória ROM (Ready Only Memory - memória somente leitura)
	
	Memória EPROM (erasable programmable read-only memory - PROM Apagável)
		
	
	
	
 5a Questão (Ref.: 201202560517)
	Pontos: 0,1  / 0,1
	" programável pelo usuário somente uma vez, não volátil e não apagável.". Esta afirmação refere-se a:
		
	
	Memória ROM (Ready Only Memory - memória somente leitura)
	 
	Memória PROM (programmable read-only memory - ROM Programável)
	
	RAM (Random Access Memory - memória de acesso aleatório)
	
	Memória EPROM (erasable programmable read-only memory - PROM Apagável)
	
	Memória EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory ¿ ROM Eletricamente apagável)
		
	
	
	
	A formação de camadas em um diodo de potência consiste de uma camada tipo N com alta dopagem (N+, chamada substrato), logo acima desta, vem outra camada também tipo N com dopagem mais leve (N-) e espessura especificada. Dessa forma é obtida a junção PN, formada pela difusão de uma camada tipo P com alta dopagem (P+) que forma o anodo do diodo. O tamanho destas camadas variará de acordo com a corrente e tensão nominais do diodo. Em relação a camada N- estão corretas as afirmativas abaixo EXCETO:
		
	
	Em diodos de pequena potência, a queda de tensão durante a condução é considerada como constante sendo da ordem de 0,7 V a 1,0 V. Para diodos de potência, esta estimativa não seria bem verdadeira, pois se estaria desprezando a queda ôhmica'naregiãodearras→(N-),esãoestasperdasquelimitamapotênciadodiod⊙
	
	A camada N- é longa e relativamente com baixa dopagem, por isso tenderia a apresentar uma alta resistência ôhmica quando o diodo estivesse sendo diretamente polarizado, se não fosse a quantidade de portadores injetados nesta região devido à polarização direta. 
	
	A camada N-, geralmente chamada de região de arrasto, é a característica não encontrada nos diodos comuns de sinal. Sua função é absorver a camada de depleção da junção P+N- quando o cristal é reversamente polarizado.
	
	A camada N- é um tanto larga para altas tensões reversas, e estabelece a tensão reversa máxima suportada pelo diodo. 
	
	O valor da resistência ôhmica na região de arrasto (N-) no estado de condução é bem maior que o esperado, tomando por base a geometria do diodo, devido à grande quantidade de portadores injetados nesta região. 
	
	
	
	Analise as afirmativas abaixo em relação aos InversoresTrifásicos'eescolhaaqueNÃOseaplicaaoconcei→teóricodesses∈versores:
		
	
	É possível se chegar a um inversor trifásico a partir de três inversores monofásicos, cujos impulsos de comando devem, logicamente, ser dados à mesma freqüência e defasados entre si de 120°. 
	
	Em um circuito provido de inversor trifásico, o transformador de saída apresenta como tensões concatenadas, a diferença das duas tensões de fase correspondentes. É dessa forma que se obtém uma tensão de saída a degraus. 
	
	A primeira etapa do circuito é formada por uma ponte retificadora de onda completa trifásica, e dois capacitores de filtro. Esse circuito forma uma fonte DC simétrica, pois há um ponto de terra como referência. 
	
	Similarmente a uma fonte retificadora trifásica, o inversor trifásico pode ser controlado de tal maneira que os tiristores possam conduzir 180º do ciclo de saída. 
	
	Para a escolha do inversor trifásico devemos saber modelo tipo e potência do inversor de acordo com a necessidade de utilização do mesmo. 
	
	
	
	
	O ponto de partida para o estudo dos semicondutores é o cristal de silício de quatro valências em uma pureza na qual, dentre 10E90 átomos de silício, há apenas um átomo estranho presente no cristal. Na formação do cristal, todos os quatro elétrons de valência de cada átomo são usados para manter as ligações dentro da cadeia. Em relação a esse tipo de semicondutor estão certas as afirmativas abaixo, EXCETO a alternativa:
		
	
	Em altas temperaturas, os elétrons de valência, como resultado do aumento de energia, podem temporariamente deixar suas posições no átomo e se mover como elétrons livres. 
	
	Quando o cristal está sujeito a um campo elétrico, os elétrons e lacunas movem-se no cristal na mesma direção e sentido. 
	
	Os átomos sem elétrons carregados positivamente, podem capturar novos elétrons e são chamados de lacunas quando nesta condição. 
	
	Em baixas temperaturas, o cristal comporta-se como um isolante. 
	
	Os átomos aos quais os elétrons pertenciam ficam carregados positivamente devido à saída do elétron.
 
	Os inversores de tensão são conversores estáticos destinados a controlar o fluxo de corrente entre uma fonte de tensão de corrente continua e uma carga em corrente alternada. Suas principais aplicações são indicadas a seguir EXCETO:
		
	
	Aquecimento indutivo. 
	
	Fontes chaveadas 
	
	Sistemas de alimentação ininterrupta, em tensão alternada a partir de uma bateria. 
	
	Amplificador de potência na transmissão de rádio freqüência na faixa de microondas.
	
	Acionamento de máquinas elétricas de corrente alternada. 
	
	Nos diodos a resistência elétrica é muito baixa para a polaridade direta e muito alta para a polaridade reversa. Devido a esta propriedade, os diodos são usados para retificar tensões e correntes alternadas. As aplicações citadas a seguir dependem da retificação de corrente proporcionada pelo uso do diodo, EXCETO na alternativa:
		
	
	Na saída do alternador. 
	
	Voltímetros e Amperímetros de corrente alternada. 
	
	Em iluminação com utilização de LED. 
	
	Em qualquer ventilador. 
	
	Fontes de tensãoDC. 
	
	
	
	Na retificação de uma tensão de corrente alternada é possível gerar dois tipos de onda na saída de um retificador. Uma chama-se meia onda e a outra chama-se onda completa. Qual das afirmativas a seguir expressa corretamente a onda obtida com a lista de componentes especificada a seguir? Lista: Um transformador 110V/12V sem 'center tape' ou tomada central; um diodo semicondutor do tipo 1N4007; um resistor de 500 ohms; 1 metro de fio paralelo preto 12AWG; 1 metro de fio paralelo vermelho e preto 16 AWG.
		
	
	Utilizando apenas o resistor e dispensando o uso do diodo obtemos a retificação de meia onda. 
	
	Utilizando o diodo em um dos contatos do secundário do transformador e o resistor no outro contato do secundário desse transformador vamos obter uma retificação de meia onda desde que tenhamos uma tensão de 110V no primário desse transformador.
	
	Utilizando o diodo em paralelo com o resistor obtemos um retificador de onda completa.
	
	Utilizando dois pedaços dos fios paralelos do tipo vermelho e preto descrito, na saída do transformador, poderemos ter uma corrente retificada de meia onda em cada fio, formando uma onda completa. 
	
	Utilizando os dois contatos de saída do secundário do transformador ligados simultaneamente no diodo, obtemos a retificação de onda completa.
	
	
	
	
	
	
	
	O ponto de partida para o estudo dos semicondutores é o cristal de silício de quatro valências em uma pureza na qual, dentre 10E90 átomos de silício, há apenas um átomo estranho presente no cristal. Na formação do cristal, todos os quatro elétrons de valência de cada átomo são usados para manter as ligações dentro da cadeia. Em relação a esse tipo de semicondutor estão certas as afirmativas abaixo, EXCETO a alternativa:
		
	
	Os átomos aos quais os elétrons pertenciam ficam carregados positivamente devido à saída do elétron. 
	
	Em baixas temperaturas, o cristal comporta-se como um isolante. 
	
	Os átomos sem elétrons carregados positivamente, podem capturar novos elétrons e são chamados de lacunas quando nesta condição. 
	
	Quando o cristal está sujeito a um campo elétrico, os elétrons e lacunas movem-se no cristal na mesma direção e sentido. 
	
	Em altas temperaturas, os elétrons de valência, como resultado do aumento de energia, podem temporariamente deixar suas posições no átomo e se mover como elétrons livres. 
	
	
	
	
	Analise as afirmativas abaixo em relação aos InversoresTrifásicos'eescolhaaqueNÃOseaplicaaoconcei→teóricodesses∈versores:
		
	
	Similarmente a uma fonte retificadora trifásica, o inversor trifásico pode ser controlado de tal maneira que os tiristores possam conduzir 180º do ciclo de saída. 
	
	Em um circuito provido de inversor trifásico, o transformador de saída apresenta como tensões concatenadas, a diferença das duas tensões de fase correspondentes. É dessa forma que se obtém uma tensão de saída a degraus. 
	
	Para a escolha do inversor trifásico devemos saber modelo tipo e potência do inversor de acordo com a necessidade de utilização do mesmo. 
	
	É possível se chegar a um inversor trifásico a partir de três inversores monofásicos, cujos impulsos de comando devem, logicamente, ser dados à mesma freqüência e defasados entre si de 120°. 
	
	A primeira etapa do circuito é formada por uma ponte retificadora de onda completa trifásica, e dois capacitores de filtro. Esse circuito forma uma fonte DC simétrica, pois há um ponto de terra como referência. 
		
	
	
	
	
	
	Nos diodos a resistência elétrica é muito baixa para a polaridade direta e muito alta para a polaridade reversa. Devido a esta propriedade, os diodos são usados para retificar tensões e correntes alternadas. As aplicações citadas a seguir dependem da retificação de corrente proporcionada pelo uso do diodo, EXCETO na alternativa:
		
	
	Fontes de tensão DC. 
	
	Em qualquer ventilador. 
	
	Voltímetros e Amperímetros de corrente alternada. 
	
	Em iluminação com utilização de LED. 
	
	Na saída do alternador. 
	
	
	Pontos: 0,0  / 0,1 
	A formação de camadas em um diodo de potência consiste de uma camada tipo N com alta dopagem (N+, chamada substrato), logo acima desta, vem outra camada também tipo N com dopagem mais leve (N-) e espessura especificada. Dessa forma é obtida a junção PN, formada pela difusão de uma camada tipo P com alta dopagem (P+) que forma o anodo do diodo. O tamanho destas camadas variará de acordo com a corrente e tensão nominais do diodo. Em relação a camada N- estão corretas as afirmativas abaixo EXCETO:
		
	
	Em diodos de pequena potência, a queda de tensão durante a condução é considerada como constante sendo da ordem de 0,7 V a 1,0 V. Para diodos de potência, esta estimativa não seria bem verdadeira, pois se estaria desprezando a queda ôhmica'naregiãodearras→(N-),esãoestasperdasquelimitamapotênciadodiod⊙
	
	A camada N- é longa e relativamente com baixa dopagem, por isso tenderia a apresentar uma alta resistência ôhmica quando o diodo estivesse sendo diretamente polarizado, se não fosse a quantidade de portadores injetados nesta região devido à polarização direta. 
	
	A camada N-, geralmente chamada de região de arrasto, é a característica não encontrada nos diodos comuns de sinal. Sua função é absorver a camada de depleção da junção P+N- quando o cristal é reversamente polarizado.
	
	A camada N- é um tanto larga para altas tensões reversas, e estabelece a tensão reversa máxima suportada pelo diodo. 
	
	O valor da resistência ôhmica na região de arrasto (N-) no estado de condução é bem maior que o esperado, tomando por base a geometria do diodo, devido à grande quantidade de portadores injetados nesta região. 
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201201948909)
	
	
	Analise as afirmativas abaixo em relação aos InversoresTrifásicos'eescolhaaqueNÃOseaplicaaoconcei→teóricodesses∈versores:
		
	
	É possível se chegar a um inversor trifásico a partir de três inversores monofásicos, cujos impulsos de comando devem, logicamente, ser dados à mesma freqüência e defasados entre si de 120°. 
	
	Em um circuito provido de inversor trifásico, o transformador de saída apresenta como tensões concatenadas, a diferença das duas tensões de fase correspondentes. É dessa forma que se obtém uma tensão de saída a degraus. 
	
	A primeira etapa do circuito é formada por uma ponte retificadora de onda completa trifásica, e dois capacitores de filtro. Esse circuito forma uma fonte DC simétrica, pois há um ponto de terra como referência. 
	
	Similarmente a uma fonte retificadora trifásica, o inversor trifásico pode ser controlado de tal maneira que os tiristores possam conduzir 180º do ciclo de saída. 
	
	Para a escolha do inversor trifásico devemos saber modelo tipo e potência do inversor de acordo com a necessidade de utilização do mesmo. 
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201201948937)
	
	
	O ponto de partida para o estudo dos semicondutores é o cristal de silício de quatro valências em uma pureza na qual, dentre 10E90 átomos de silício, há apenas um átomo estranho presente no cristal. Na formação do cristal, todos os quatro elétrons de valência de cada átomo são usados para manter as ligações dentro da cadeia. Em relação a esse tipo de semicondutor estão certas as afirmativas abaixo, EXCETO a alternativa:
		
	
	Em altas temperaturas, os elétrons de valência, como resultado do aumento de energia, podem temporariamente deixar suas posições no átomo e se mover como elétrons livres. 
	
	Quando o cristal está sujeito a um campo elétrico, os elétrons e lacunas movem-se no cristal na mesma direção e sentido. 
	
	Os átomos sem elétrons carregados positivamente, podem capturar novos elétrons e são chamados de lacunas quando nesta condição. 
	
	Em baixas temperaturas,o cristal comporta-se como um isolante. 
	
	Os átomos aos quais os elétrons pertenciam ficam carregados positivamente devido à saída do elétron. 
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201201948890)
	
	
	Os inversores de tensão são conversores estáticos destinados a controlar o fluxo de corrente entre uma fonte de tensão de corrente continua e uma carga em corrente alternada. Suas principais aplicações são indicadas a seguir EXCETO:
		
	
	Aquecimento indutivo. 
	
	Fontes chaveadas 
	
	Sistemas de alimentação ininterrupta, em tensão alternada a partir de uma bateria. 
	
	Amplificador de potência na transmissão de rádio freqüência na faixa de microondas.
	
	Acionamento de máquinas elétricas de corrente alternada. 
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201201949012)
	
	
	Nos diodos a resistência elétrica é muito baixa para a polaridade direta e muito alta para a polaridade reversa. Devido a esta propriedade, os diodos são usados para retificar tensões e correntes alternadas. As aplicações citadas a seguir dependem da retificação de corrente proporcionada pelo uso do diodo, EXCETO na alternativa:
		
	
	Na saída do alternador. 
	
	Voltímetros e Amperímetros de corrente alternada. 
	
	Em iluminação com utilização de LED. 
	
	Em qualquer ventilador. 
	
	Fontes de tensão DC. 
		
	 1a Questão (Ref.: 201201949108)
	
	
	Na retificação de uma tensão de corrente alternada é possível gerar dois tipos de onda na saída de um retificador. Uma chama-se meia onda e a outra chama-se onda completa. Qual das afirmativas a seguir expressa corretamente a onda obtida com a lista de componentes especificada a seguir? Lista: Um transformador 110V/12V sem 'center tape' ou tomada central; um diodo semicondutor do tipo 1N4007; um resistor de 500 ohms; 1 metro de fio paralelo preto 12AWG; 1 metro de fio paralelo vermelho e preto 16 AWG.
		
	
	Utilizando apenas o resistor e dispensando o uso do diodo obtemos a retificação de meia onda. 
	
	Utilizando o diodo em um dos contatos do secundário do transformador e o resistor no outro contato do secundário desse transformador vamos obter uma retificação de meia onda desde que tenhamos uma tensão de 110V no primário desse transformador.
	
	Utilizando o diodo em paralelo com o resistor obtemos um retificador de onda completa.
	
	Utilizando dois pedaços dos fios paralelos do tipo vermelho e preto descrito, na saída do transformador, poderemos ter uma corrente retificada de meia onda em cada fio, formando uma onda completa. 
	
	Utilizando os dois contatos de saída do secundário do transformador ligados simultaneamente no diodo, obtemos a retificação de onda completa.
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201201948890)
	
	
	Os inversores de tensão são conversores estáticos destinados a controlar o fluxo de corrente entre uma fonte de tensão de corrente continua e uma carga em corrente alternada. Suas principais aplicações são indicadas a seguir EXCETO:
		
	
	Sistemas de alimentação ininterrupta, em tensão alternada a partir de uma bateria. 
	
	Acionamento de máquinas elétricas de corrente alternada. 
	
	Aquecimento indutivo. 
	
	Amplificador de potência na transmissão de rádio freqüência na faixa de microondas.
	
	Fontes chaveadas 
	 4a Questão (Ref.: 201201948909)
	
	
	Analise as afirmativas abaixo em relação aos InversoresTrifásicos'eescolhaaqueNÃOseaplicaaoconcei→teóricodesses∈versores:
		
	
	Similarmente a uma fonte retificadora trifásica, o inversor trifásico pode ser controlado de tal maneira que os tiristores possam conduzir 180º do ciclo de saída. 
	
	Em um circuito provido de inversor trifásico, o transformador de saída apresenta como tensões concatenadas, a diferença das duas tensões de fase correspondentes. É dessa forma que se obtém uma tensão de saída a degraus. 
	
	Para a escolha do inversor trifásico devemos saber modelo tipo e potência do inversor de acordo com a necessidade de utilização do mesmo. 
	
	É possível se chegar a um inversor trifásico a partir de três inversores monofásicos, cujos impulsos de comando devem, logicamente, ser dados à mesma freqüência e defasados entre si de 120°. 
	
	A primeira etapa do circuito é formada por uma ponte retificadora de onda completa trifásica, e dois capacitores de filtro. Esse circuito forma uma fonte DC simétrica, pois há um ponto de terra como referência. 
	
	 5a Questão (Ref.: 201201949012)
	
	
	Nos diodos a resistência elétrica é muito baixa para a polaridade direta e muito alta para a polaridade reversa. Devido a esta propriedade, os diodos são usados para retificar tensões e correntes alternadas. As aplicações citadas a seguir dependem da retificação de corrente proporcionada pelo uso do diodo, EXCETO na alternativa:
		
	
	Fontes de tensão DC. 
	
	Em qualquer ventilador. 
	
	
	
	
	O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é aplicado em circuitos e sistemas de potência elevadas, onde componentes semicondutores têm que suportar tensões reversas de alto valor, grandes correntes no momento de chaveamento e alta frequência de comutação. O IGBT é muito utilizado na eletrônica embarcada. Assinale o item abaixo que está em DESACORDO com as características do IGBT:
		
	
	As principais utilizações do IGBT são em equipamentos de potência como conversores de frequência, inversores. 
	
	O IGBT se difere do MOSFET por possuir uma camada de substrato p+ onde torna a região fortemente dopada com dopante tipo p, onde esta camada p+ ira incluir mais portadores positivos as chamadas lacunas na região de arraste igualando ao transistor bipolar PNP. 
	
	O IGBT tem como principal característica a união do transistor bipolar de potencia com sua grande velocidade de comutação, e do MOSFET com sua alta impedância de entrada. 
	
	Proteção contra tensões reversas é feita com ligação de diodos em paralelo entre coletor e emissor, com isso pode se evitar danos devido a elevadas tensões reversas aplicadas ao dispositivo. 
	
	O IGBT não possui semelhança com a estrutura do transistor MOSFET, no IGBT as regiões P e N possuem uma dupla difusão. 
		
	
	
	
	
	
	O ponto de partida para o estudo dos semicondutores é o cristal de silício de quatro valências em uma pureza na qual, dentre 10E90 átomos de silício, há apenas um átomo estranho presente no cristal. Na formação do cristal, todos os quatro elétrons de valência de cada átomo são usados para manter as ligações dentro da cadeia. Em relação a esse tipo de semicondutor estão certas as afirmativas abaixo, EXCETO a alternativa:
		
	
	Quando o cristal está sujeito a um campo elétrico, os elétrons e lacunas movem-se no cristal na mesma direção e sentido. 
	
	Os átomos aos quais os elétrons pertenciam ficam carregados positivamente devido à saída do elétron. 
	
	Em baixas temperaturas, o cristal comporta-se como um isolante. 
	
	Em altas temperaturas, os elétrons de valência, como resultado do aumento de energia, podem temporariamente deixar suas posições no átomo e se mover como elétrons livres. 
	
	Os átomos sem elétrons carregados positivamente, podem capturar novos elétrons e são chamados de lacunas quando nesta condição. 
		
	
	
	
	
	Pontos: 0,0 / 0,1 
	Os inversores de tensão são conversores estáticos destinados a controlar o fluxo de corrente entre uma fonte de tensão de corrente continua e uma carga em corrente alternada. Suas principais aplicações são indicadas a seguir EXCETO:
		
	
	Amplificador de potência na transmissão de rádio freqüência na faixa de microondas.
	
	Fontes chaveadas 
	
	Acionamento de máquinas elétricas de corrente alternada. 
	
	Aquecimento indutivo. 
	
	Sistemas de alimentação ininterrupta, em tensão alternada a partir de uma bateria.Um retificador de doze pulsos é essencialmente constituído de duas pontes de seis pulsos conectadas em paralelo por um transformador de interfase para assegurar balanceamento de corrente apropriado entre as duas pontes. A entrada para as duas pontes é provida por dois enrolamentos separados no secundário do transformador do retificador. Um dos enrolamentos é conectado em delta enquanto o outro é conectado em estrela. Este tipo de circuito provê um deslocamento de que tipo? Qual o tipo de retificador é descrito aqui?
		
	
	Deslocamento de seis fases e por isso é chamado retificador hexafásico. 
	
	Deslocamento de duas fases e por isso é chamado retificador bifásico. 
	
	Deslocamento de uma fase e por isso é chamado retificador monofásico. 
	
	Deslocamento de três fases e por isso é chamado retificador trifásico. 
	
	Deslocamento de quatro fases e por isso é chamado retificador polifásico. 
		
	
	
	
	
	
	Analise as afirmativas abaixo em relação aos `Inversores Trifásicos' e escolha a que NÃO se aplica ao conceito teórico desses inversores:
		
	
	É possível se chegar a um inversor trifásico a partir de três inversores monofásicos, cujos impulsos de comando devem, logicamente, ser dados à mesma freqüência e defasados entre si de 120°. 
	
	Para a escolha do inversor trifásico devemos saber modelo tipo e potência do inversor de acordo com a necessidade de utilização do mesmo. 
	
	A primeira etapa do circuito é formada por uma ponte retificadora de onda completa trifásica, e dois capacitores de filtro. Esse circuito forma uma fonte DC simétrica, pois há um ponto de terra como referência. 
	
	Similarmente a uma fonte retificadora trifásica, o inversor trifásico pode ser controlado de tal maneira que os tiristores possam conduzir 180º do ciclo de saída. 
	
	Em um circuito provido de inversor trifásico, o transformador de saída apresenta como tensões concatenadas, a diferença das duas tensões de fase correspondentes. É dessa forma que se obtém uma tensão de saída a degraus.