Av1 Materiais Elétricos

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Avaliação: CCE0252_AV1_201401068456 » MATERIAIS ELÉTRICOS
	Tipo de Avaliação: AV1
	Aluno: 
	Professor:
	JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS
	Turma: 9001/J
	Nota da Prova: 4,5 de 8,0         Nota do Trab.: 0        Nota de Partic.: 2        Data: 12/04/2014 11:20:08
	
	 1a Questão (Ref.: 201401316450)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	 
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201401235508)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Um aluno do curso de Engenharia, conhecedor das propriedades elétricas dos materiais, recebeu a tarefa de aumentar a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 20 ohms para 30 ohms. Considerando-se que não haverá variação na área da seção reta do material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 5m, pode-se dizer que:
		
	 
	O novo comprimento deverá ser de 7,5m.
	
	O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 33,3% o diâmetro do fio que compõe a bobina.
	
	O novo comprimento poderá estar entre 3,3m e 7,5m.
	
	O novo comprimento deverá ser de 3,3m.
	
	Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do fio.
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201401316474)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
		
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	 
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
	
	Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito.
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201401316429)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	A grande maioria dos metais são materiais cristalinos, ou seja, possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Quando submetemos este tipo de material a um campo elétrico, os elétrons livres iniciam movimento orientado pela força elétrica que os compele. Baseado nestas informações, como denomina-se a velocidade desenvolvida essas partículas.
		
	
	Velocidade elétrica.
	
	Velocidade quântica.
	
	Velocidade hiperstática.
	 
	velocidade de deslocamento.
	
	Velocidade de arraste.
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201401235550)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica.
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar:
		
	
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente nas junções P-N.
	
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro.
	 
	A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem.
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores extrínsecos.
	
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p.
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201401235545)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
		
	 
	Reta.
	
	Hipérbole.
	
	Elipse.
	
	Círculo.
	
	Parábola.
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201401235591)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201401235572)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	O tipo de carga predominante e a concentração das mesmas em um semicondutor (elétrons ou buracos) pode ser determinada através de um experimento chamado Efeito Hall. Deste experimento, obtém-se a constante de Hall, RH, que, por sua vez, está relacionada a n, quantidade de elétrons por m3 do semicondutor, por  n=(RH I e I)-1, onde  l e l =1,6.10 -19C.
Considerando-se um corpo de prova feito de Alumínio, com RH=-3,16 . 10 -11, determine a quantidade aproximada de portadores de carga (em módulo) por m3.
		
	
	1,5 . 1025
	
	20 . 1015
	
	1,5 . 1026
	 
	2,0 1029.
	 
	20 . 1030
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201401173628)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	1,2 V
	
	120 mV
	 
	64 mV
	
	640 mV
	 
	6,4 V
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201401235594)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão =R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção reta do condutor no formato cilíndrico) e nem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
	 
	A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC, pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.