AV materiais elétricos

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1a Questão (Ref.:201602972166)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	
	
	
	2a Questão (Ref.:201602830599)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	0,72 cm2
	
	0,84 cm2
	 
	0,53 cm2
	
	0,97 cm2
	
	0,65 cm2
	
	
	
	3a Questão (Ref.:201602891250)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não.
A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor:
		
	
	Temperatura, comprimento do condutor e pressão.
	
	Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica.
	 
	Temperatura, impureza e deformação mecânica.
	
	Temperatura, pressão e impurezas.
	
	Volume, comprimento do condutor e impurezas.
	
	
	
	4a Questão (Ref.:201602891234)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos.
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por =p.I e I.h, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e .h é mobilidade dos buracos.
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3átomos de Boro, considerando h = 0,05m2/V.s
 
		
	
	4 (ohm.m) -1
	
	100 (ohm.m) -1
 
	
	200 (ohm.m) -1
 
	
	50 (ohm.m) -1
 
	 
	400 (ohm.m) -1
 
	
	
	
	5a Questão (Ref.:201602891669)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Polarização, como mostra a figura a seguir, é o alinhamento de momentos dipolares atômicos ou moleculares, permanentes ou induzidos, com um campo elétrico aplicado externamente. Das opções abaixo, indique aquela que não representa um tipo de polarização:
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
		
	
	De orientação.
	
	Eletrônica.
	
	Iônica.
	 
	Magnética.
	
	Eletrônica + iônica
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	6a Questão (Ref.:201603457767)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A "Bell Telephone Laboratories" passou a década de 1940 tentando criar dispositivos eletrônicos comutadores que fossem mais eficientes e baratos que as válvulas utilizadas. Finalmente, em 1947, dois de seus pesquisadores, Walter H. Brittain e John Bardeen tiveram sucesso na criação de um dispositivo amplificador a partir de uma placa de silício imersa em solução salina; iniciava-se a era dos semicondutores. A modelagem física referente a estes materiais se desenvolveu bastante nos anos seguintes, originando conceitos como condutividade intrínseca, cuja expressão podemos descrever como   p | e | b n | e | e.
Com relação aos termos presentes na expressão anterior, podemos identificá-los como nos itens a seguir, com EXCEÇÂO de.
		
	
	e - mobilidade dos elétrons.
	
	p - número de buracos por metro cúbico.
	
	b - mobilidade do buraco.
	 
	n - número de átomos por metro cúbico.
	
	| e |- módulo da carga dos elétrons.
	
	
	
	7a Questão (Ref.:201602830584)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Mediu-se um valor de resistência igual a 5,66 mΩ na temperatura de 70oC. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material utilizado é igual a 0,0036 oC-1, determine o valor da resistência esperada na temperatura de 25oC.
		
	
	5,41miliohms
	 
	4,87 ohms
	
	7,46 ohms
	
	5,43 ohms
	
	6,57 ohms
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	8a Questão (Ref.:201602891277)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Alguns componentes eletrônicos fazem uso de semicondutores extrínsecos e intrínsecos conjuntamente, sendo necessário que na temperatura de trabalho, o semicondutor intrínseco possua condutividade inferior a condutividade do extrínseco. No gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013%. Baseado nestas informações, marque a opção correta. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
 
 
		
	
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco provavelmente apresentará problemas referentes a condutividade.
	
	A partir das informações expostas no gráfico, percebe-se que em todas as temperaturas a condutividade elétrica do semicondutor intrínseco é superior a dos semicondutores extrínsecos.
	
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico terá que ser montado utilizando-se somente os condutores extrínsecos mostrados no gráfico.
	 
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco provavelmente funcionará sem problemas referentes a condutividade.
	
	Em nenhuma temperatura exposta no gráfico, haverá problemas de inversão de condutividade elétrica.
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	9a Questão (Ref.:201602830611)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um capacitor de 1,2 nF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem utilizadas.
		
	
	160 cm2
	
	100 cm2
	
	180 cm2
	 
	120 cm2
	
	140 cm2
	
	
	
	10a Questão (Ref.:201603457787)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Ao projetarmos aparatos elétricos, devemos prever que existirão partes deste equipamento em que a condução elétrica é essencial e outras partes nas quais a condução não só é desnecessária, mas altamente inconveniente devido ao perigo de choque elétrico. Para excluir ou minimizar as possibilidades de descargas elétricas deletérias a vida, utilizam-se materiais isolantes como os polímeros e os cerâmicos, que possuem algumas propriedades características, entre as quais só NÃO podemos citar:
		
	
	Os polímeros são compostos de grandes cadeias moleculares, apresentando baixo ponto de fusão.
	
	Os cerâmicos existem em grande abundância na natureza, tendo como exemplos os nitretos e silicatos.
	 
	Os cerâmicos são materiais capazes de absorver energia sem fragmentação fácil, apresentando baixa fragilidade.
	
	Os cerâmicos possuem não só baixacondutividade elétrica, mas também baixa condutividade térmica.
	
	Os polímeros apresentam grande facilidade de se ajustar aos formatos solicitados, devido a grande ductilidade.
	
	
	Gabarito Coment.