MATERIAS ELETRICOS 1a AVALIAÇÃO PARCIAL

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MATERIAS ELETRICOS - 1a AVALIAÇÃO PARCIAL
	1a Questão (Ref.:201607976472)
	Acerto: 1,0  / 1,0
Dado que duas linhas de transmissão de 200 km de uma mesma hidrelétrica, são construídas com cabos de alumínio e a outra com cabos de cobre recozido. Sem entrar em grandes discussões teóricas e considerando-se somente a resistividade do Alumínio (Al) e do Cobre (Cu), qual deverá ser a relação entre as seções retas dos dois tipos de cabos das linhas para que elas possuam a mesma capacidade de condução? Considere que: Al ► ρ = 0,0292 Ohm.mm²/m e Cu ► ρ = 0,0172 Ohm.mm²/m
		
	
	A seção reta do cabo de cobre poderá ser 58,9% menor que a seção reta do cabo de alumínio.
	
	Os cabos de cobre e alumínio possuem a mesma capacidade de condução e portanto podem ser utilizados para esta aplicação.
	
	A seção reta do cabo de alumínio poderá ser 58,9% da seção reta do cabo de cobre.
	
	A seção reta do cabo de alumínio poderá ser 58,9% menor que a seção reta do cabo de cobre.
	 
	A seção reta do cabo de cobre poderá ser 58,9% da seção reta do cabo de alumínio.
	
	
	
	2a Questão (Ref.:201607791431)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas, ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. Um resistor com coeficiente de variação de temperatura positivo de 4.10-3 ºC-1 apresenta o valor de 5KΩ a 25 C º. Qual sua resistência na temperatura de 75 C º?
		
	
	4,25KΩ
	
	1KΩ
	
	25KΩ
	 
	6KΩ
	
	3KΩ
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	3a Questão (Ref.:201607295109)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,38 mm2.
		
	 
	347,4 mili ohms
	
	399,9 mili ohms
	
	384,2 mili ohms
	
	376,38 mili ohms
	
	354,6 mili ohms
	
	
	
	4a Questão (Ref.:201607355751)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
		
	
	Al+3
 
	
	O-2
	
	 
B+3
 
	
	Ba+2
	 
	As+5
 
	
	
	
	5a Questão (Ref.:201607282087)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
		
	
	Condutividade
	
	Condutância
	 
	Resistência
	
	 Resistividade
	
	Indutância
	
	
	
	6a Questão (Ref.:201607355776)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
		
	
	Parábola.
	
	Círculo.
	 
	Reta.
	
	Hipérbole.
	
	Elipse.
	
	
	
	7a Questão (Ref.:201607355821)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	8a Questão (Ref.:201607922281)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Semicondutores, como a palavra sugere, podem apresentar comportamento condutor ou isolante, dependendo da temperatura de utilização, no caso de condutores intrínsecos. Entre os materiais mais utilizados com estas características, encontram-se o germânio, o silício e o arseneto de gálio. No intuito de entender o comportamento destes materiais, diversas teorias físicas foram criadas, introduzindo conceitos novos, como a mobilidade elétrica de elétrons, e, e de buracos, b.
Com relação ao conceito de mobilidade elétrica, assinale a opção CORRETA:
		
	
	e < b
	
	e =1/2 b
	
	e = b
	 
	e > b
	
	e =2 b
	
	
	
	9a Questão (Ref.:201607355856)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta.
		
	
	Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial iguais a 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente.
	
	Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C.
	 
	Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
	
	Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância igual a 2F está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V
	
	A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como mostra a expressão C=Q/V.
	
	
	
	10a Questão (Ref.:201607295126)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um capacitor de 1,2 nF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem utilizadas.
		
	
	100 cm2
	
	180 cm2
	 
	120 cm2
	
	140 cm2
	
	160 cm2