Aula 02

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9/24/2014 
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Quinta B005 
Sexta B005 
 Diodo real - Característica Estática (Tensão x Corrente) 
 Polarizado Diretamente: Apresenta uma tensão (Vto) em série 
com uma resistência 
 Polarizado Inversamente: circulação de uma corrente reversa IR 
de baixo valor e com bloqueio de tensão limitado até a tensão 
reversa máxima VRRM 
 
 
 
 
 
 
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 Características Dinâmicas - Bloqueio 
 
 
 
 
 
 
 
 
 BPT – Transistor Bipolar de Potência (TBJ) 
 
 
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 Característica Estática 
 
 
 
 
Controlado em 
Corrente 
fs 
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 Comando de base não isolado 
◦ Fonte Positiva e Negativa 
 
 
  T1conduz -> 
◦ IB positiva é aplicada em TP 
◦ Via T2, R2, D1 
◦ D1 polariza reversamente T3 
 
 
 
 
 
 T1bloqueado -> 
◦ IB negativa é extraida deTP 
◦ Via T3 R4 
 
 
 
 
 
CIRCUITO 
COMPLEXO! 
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 MOSFET – Transistor de Efeito de Campo 
 
 MOSFET – Transistor de Efeito de Campo 
 
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 MOSFET – Transistor de Efeito de Campo 
 
 MOSFET – Transistor de Efeito de Campo 
 
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 MOSFET – Transistor de Efeito de Campo 
 
 MOSFET – Transistor de Efeito de Campo 
 
Ciss = Cgd + Cgs Cgs é a maior 
parcela 
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 Comutação 
 
 MOSFET – Transistor de Efeito de Campo 
 
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 MOSFET – Transistor de Efeito de Campo 
 
 Pulso Positivo -> 
◦ T2 levado à condução 
◦ Aplica tensão VGS positiva 
◦ Via Rg 
 
 
 
 
 Pulso nulo -> 
◦ Capacitância Ciss polariza T3 
◦ Aplica VGS nula 
◦ Descarga via Rg 
 
 
 
 
CIRCUITO MUITO 
SIMPLES! 
 Comando de gate não isolado 
 
 
 
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 IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor 
(Transistor Bipolar de Porta Isolada) 
 
 IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor 
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 IGBT – Comutação – Corrente de Cauda 
 IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor 
(Transistor Bipolar de Porta Isolada) 
 
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 IGBT 
 
 Comparação 
 
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Curvas Típicas de Acionamento 
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(ano 2005) 
102 
105 
104 
103 
106 
 
 
 
 
 
 
 P
O
T
E
N
C
IA
 
(V
·A
) 
IGBT 
MOSFET 
10 102 103 104 105 106 107 108 
BPT 
FREQÜÊNCIA (Hz) 
Potência Processada X Frequência 
1950 60 70 80 90 2000 10 
BPTs 
MOSFETs 
IGBTs 
MOSFETs Silicon-Carbide 
Tendência da Evolução Temporal 
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Calcule as perdas em condução de um IGBT e de um Mosfet quando ambos 
Conduzem a corrente apresentada abaixo na frequência de 50kHz. 
0A 
50A 
30% 
IGBT: Vce(sat) = 1,2V 
MOSFET: Rds(on) = 0,2Ω 
Ts=1/Fs 
Qual semicondutor escolher?  
T
med Adt
T
I
3,0
0
1550.3,050
1
  Adt
T
I
T
ef 38,272500.3,050
1
3,0
0
2
 
WAVIVP medsatceIGBT 1815.2,1.)(    WAIRP efondsMOS 94,14938,27.2,0.
22
)(
