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1a Questão A utilização de fibras óticas para a transferência de dados e a evolução da eletrônica representaram um salto tecnológico na indústria da informática, promovendo a democratização do acesso a internet e aos hardwares necessários. Considerando as figuras a seguir, podemos identificá-las como: (1) Resistor e (3) fibra ótica. (2) Fibra ótica e (3) Resistor (1) Cabo coaxial e fibra ótica e (2) resistor. (1) Resistor e (3) Cabo Coaxial. (1) Fibra ótica e (2) Cabo Coaxial. 2a Questão Um capacitor é construído com duas placas quadradas de 2 cm x 2 cm cada. Se o dielétrico possui a espessura de 0,01 m e é constituído de ar, calcule sua capacitância. εo = 8,85 x 10-12 F/m d) C = 0,354 pF b) C = 0,354 µF a) C = 0,022 pF e) C = 0,00022pF c) C = 3,54 nF 3a Questão Deseja-se construir um capacitor de 12 nF u�lizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O valor da constante dielétrica do material u�lizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem u�lizadas. 1.453 cm2 1.201,3 cm2 1.102 cm2 1.345 cm2 978 cm2 4a Questão O resistor de aquecimento de um forno é constituído por um fio de 2m de comprimento e 1mm2 de seção. Quando ligado a uma tensão de 220V dissipa uma potência de 4,4 kW. A resistividade do material do fio em Ohmxm. é de: 5,5 x 10-3 5,5 x 10-5 5,5 x 10-6 11 x 10-5 11 x 10-6 5a Questão Suponha que você, aluno conhecedor das propriedades elétricas dos materiais deseja diminuir a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 30 ohms para 25 ohms. Sabendo-se que não haverá variação na área da seção reta do material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 12m, pode-se dizer que: O novo comprimento poderá estar entre 11m e 12m. O novo comprimento deverá ser de 10 m. Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do fio. O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 50% o diâmetro do fio que compõe a bobina. O novo comprimento deverá ser de 14,4m. 6a Questão Deseja-se construir um capacitor de 220 pF u�lizando-se duas placas paralelas com área de 230 cm2 cada uma. O valor da constante dielétrica do material u�lizado é 2,6. Determine o afastamento entre as placas para atender-se a esta especificação. 2,4 mm 3,4 mm 4,4mm 0,4 mm 1,4 mm 7a Questão Os resistores são componentes eletrônicos que transformam energia elétrica em calo. Isto ocorre porque durante a movimentação dos elétrons ao longo do volume do material condutor, ocorrem milhares de choques com as diversas estruturas (discordâncias, inclusões, contornos de grão etc) e partículas que compõem o material (prótons, nêutrons e elétrons). Ao colidirem com as estruturas e partículas que compõem o condutor, os elétrons transferem parte de sua energia cinética, aumentando o estado vibratório de toda rede "cristalina" que constitui o material, o que se traduz em aumento de temperatura. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). Com relação aos tipos de resistores, podemos afirmar, com exceção de: Os resistores ajustáveis são resistores que possuem o valor da resistência previamente determinados pelo fabricante antes da operação, podendo ser modificado posteriormente. Os defeitos na rede cristalina de um condutor não interferem no valor da resistividade, uma vez que possuem ordem de grandeza inferior ao tamanho do elétron. A produção de calor é tanto maior quanto maior for a resistência interna do material a passagem de elétrons. Os resistores variáveis possuem uma variação conhecida no valor da resistência durante a operação. Esta variação pode ser linear, logarítmica ou seguir outro padrão matemático de variação. Os resistores fixos possuem um valor da resistência fixo durante a operação. 8a Questão Assinale a alternativa correta: No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao material tipo N, é 0,7V. No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 1V. No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 0,3V. No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao material tipo N, é 0,3V. No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 0,7V.
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