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MATERIAIS ELÉTRICOS Retornar Exercício: CCE0252_EX_A2_201401357296 Matrícula: 201401357296 Aluno(a): WESLEY CESAR PORTUGAL DE MATOS Data: 07/04/2015 11:05:45 (Finalizada) 1a Questão (Ref.: 201401553244) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem. Ba+2 As+5 O-2 B+3 Al+3 2a Questão (Ref.: 201401492602) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10 -6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,38 mm 2 . 399,9 mili ohms 354,6 mili ohms 384,2 mili ohms 347,4 mili ohms 376,38 mili ohms 3a Questão (Ref.: 201401553258) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não. A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor: Volume, comprimento do condutor e impurezas. Temperatura, pressão e impurezas. Página 1 de 3BDQ Prova 08/04/2015http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_exercicio_preview.asp?cript_hist=6212512... Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica. Temperatura, impureza e deformação mecânica. Temperatura, comprimento do condutor e pressão. 4a Questão (Ref.: 201401553238) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Os metais apresentam em sua microestrutura uma periodicidade na disposição dos átomos que os classifica como materiais cristalinos. Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que influencia na velocidade de transporte dos eletros, ou seja, quanto maior o número de falhas na estrutura cristalina, maior a dificuldade de deslocamento dos elétrons. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity em Inglês), dada por vd=E.µµµµe, onde E é a intensidade do campo elétrico e µµµµe é a mobilidade elétrica do elétron. Sabendo-se que em um experimento, utilizou-se um campo elétrico igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja mobilidade elétrica é igual a µµµµe=0,0012m 2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o valor da velocidade de deslocamento dos elétrons. 50 m/s 500.000 m/s 5 m/s 0,72 m/s. 7,2 m/s 5a Questão (Ref.: 201401492600) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 1,6 x 10 -6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2. 12 mili ohms 11 mili ohms 10 mili ohms 13 mili ohms 14 mili ohms 6a Questão (Ref.: 201401553242) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos. A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por σσσσ=p.I e I.µµµµh, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10 -19C, e . µµµµ mobilidade dos buracos. Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022 átomos de Boro, considerando µµµµh = 0,05m 2/V.s 200 (ohm.m) -1 4 (ohm.m) -1 100 (ohm.m) -1 Página 2 de 3BDQ Prova 08/04/2015http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_exercicio_preview.asp?cript_hist=6212512... 50 (ohm.m) -1 400 (ohm.m) -1 Retornar Página 3 de 3BDQ Prova 08/04/2015http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_exercicio_preview.asp?cript_hist=6212512...
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