Provas Analogica

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2013/Prova 1.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
1a PROVA ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2013 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. 
Aluno:								Matricula:
1a Questão (2,5 ptos):
Em um experimento, realizado com o circuito abaixo, dois diodos idênticos são inicialmente mantidos à temperatura ambiente. Qual o valor da corrente em cada diodo? (0,5 pto)
		
		
Se um dos diodos é colocado em um recipiente com água em ebulição, qual é o novo valor das correntes em ambas situações? (0,5 pto)
Explique fisicamente o comportamento da junção pn frente a variações de temperatura (região direta). (0,5 pto)
(d) Determine a potência dissipada nos diodos (circuito anterior, situação ‘a’) se a fonte cc de entrada for substituída por uma fonte ca senoidal com tensão de pico igual a 2V. (1,0 pto)
2a Questão (2,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor e considere VDZ = 5,1V.
		
		
3a Questão (2,0 ptos):
Calcular os valores das correntes I1 e I2 e da tensão Vs no circuito abaixo. Considerar Vz = 10V e D2 sendo de Si (modelo simplificado).
		
		
3a Questão (1,0 ptos):
Para o circuito retificador dado acima, considere o transformador 220V/15V+15V/60Hz. Determine a capacitância para uma ondulação de 1,5V sobre o capacitor. Considere a potencia dissipada em cada resistor igual a 50W.
4a Questão (1,0 ptos):
Calcule o valor da tensão V, considerando o modelo simplificado do diodo.
5a Questão (1,5 ptos):
Obter a característica de saída V0=f(IL), considerando R=1k, Vz0=5V, Vs=10V e rZ=20, Izmin=5mA.
Boa prova!!!
_1303197391.doc
_1299751285.doc
VIN
V1
V2
__MACOSX/2013/._Prova 1.doc
2013/Prova 3.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
3a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2013 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (2,0 ptos):
Trace as curvas características típicas do JFET, DMOSFET (depleção) e EMOSFET (intensificação), canais N (ID versus VDS para alguns valores de VGS). (1,0 pto)
Descreva o princípio de funcionamento do DMOSFET. (1,0 pto)
2a Questão (2,0 ptos):
		Calcule as tensões indicadas nos circuitos ao lado. Considere os transistores idênticos com Vt=1V e k=2mA/V2.
		
3a Questão (5 ptos):
(a) Obter a equação de V0 e traçar as formas de onda do circuito abaixo considerando componentes ideais (1,0 ptos)
		
		
		 (b) Obter a equação de V0 (entre as saídas dos aos) e traçar a forma de onda. (1,5 ptos)
		
(c) Obter a equação de I0 = f(Vi) para o circuito abaixo. (1,5 ptos)
(d) Trace as formas de onda do circuito acima considerando Slew Rate = 1V/µs e Vcc=±15V (1,0 ptos)
		
		
4a Questão (1,0 ptos):
Considere um sistema de monitoramento de um sistema de geração a partir de painéis fotovoltaicos que injeta uma corrente máxima de 5A (valor de pico) na rede elétrica ca. Considerando um sensor de efeito hall, que disponibiliza na saída um sinal de corrente proporcional ao sinal ca de entrada, com ganho 1000:1, projete um sistema para a adequação do sinal de medição para um conversor A/D (0-5V), maximizando a resolução da medição.
São dadas as equações:
		
		
		
		
Boa Prova!
_1308638498.doc
5V
Vi
(a)
100µs
50µs
_1336303056.doc
1V
-1V
V1
V0
t
t
_1178534183.unknown
_1308636359.doc
V1
FREQ = 50
VAMPL = 1
0
R1
2k
R2
2k
V0
+15V
-15V
+
3
-
2
V+
7
V-
4
OUT
6
U25
LF347/301/TI
V3
1Vdc
0
_1178533712.unknown
__MACOSX/2013/._Prova 3.doc
2013/Prova AF 2013.docx
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
AF ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2013 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
(a) Trace as curvas características Id versus Vds, para diferentes Vgs, para o JFET, DMOSFET e EMOSFET. (0,5 pto)
(b) Explique fisicamente a diferença entre os coeficientes de temperatura dos materiais condutores e semicondutores (0,5 pto).
2a Questão (3 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Considere VZ= 10V
		
2a) Fig. 1 (modelo simplificado do diodo)
		
		
2b) Fig. 2 (modelo ideal do diodo)
		
		
3a Questão (2,0 ptos):
Para o circuito da figura ao lado, despreze o efeito Early e determine:
IBQ, VCEQ, rπ. (1,0 pto)
Zi, Av (1,0 pto)
		
 
4a Questão: 
a) Determine o valor da tensão V0, considerando R1=R2. (1,5 ptos)
b) Obter a tensão sobre o resistor de saída. (1,5 ptos)
		
		
c) Obter a equação da tensão de saída em função de V1, V2, R1, R2, R3 e R4. (1,0 pto)
Dados:
		
		
		
		
Boa prova!!!
VIN
V0
VR2
�
--2
t
t
V0
V1
2
VIN
VR0
__MACOSX/2013/._Prova AF 2013.docx
2013/Prova 2 2013.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
2a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2013 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
(a) Explique o fluxo de corrente elétrica entre o coletor e emissor de um transistor NPN operando na região ativa. (0,5 pto)
(b) Explique o que é e como é originado o Efeito Early. (0,5 pto)
2a Questão (4 ptos):
Para o circuito da figura 1abaixo, considerando o efeito Early determine: 
IBQ, VCEQ, r(. (1,0 pto)
Zi, Z0. (1,0 pto)
Av, Ai (1,0 pto)
Calcule a tensão de saída se uma carga R=6,8k( for conectada na saída. Considere VCC=16V, RB=270k(, RE=2,7k(, (=110 e ro=50 k( (1,0 pto)
		�
Fig. 1
		
Fig. 2
		
Fig. 3
3a Questão (1,0 ptos):
Desenhar e projetar o circuito de acionamento de um relê de 24V, comandado através de um microcontrolador (5V), para operar numa ampla faixa de temperaturas. Considere o ganho nominal do transistor (=100, resistência da bobina do relé 240(.
4a Questão (2,0 ptos):
Obter a equação da corrente em RL, para os circuitos das Fig. 2 e Fig. 3, em função dos parâmetros do circuito (Vcc, R1, R2, R4, (), considerando os transistores idênticos e operando na região ativa.
5a Questão (2,0 ptos):
Equacionar e traçar a forma de onda da tensão sobre o capacitor C0 e das correntes nos transistores superior T1 e inferior T2, considerando VC1(0) = 0V. Considere os parâmetros do circuito suficientes para evitar a região de saturação. Para simplificação despreze a queda de tensão VBE.
		
		
_1305789818.doc
IT2
IT1
VC
VIN
__MACOSX/2013/._Prova 2 2013.doc
2013/Prova Sub.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
PROVA SUB ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2013 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. 
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
(a) Descreva o efeito zener (0,5 pto).
(b) Explique, em termos de níveis de energia, as diferenças de resistividade entre os materiais condutores, semicondutores e isolantes (0,5 pto).
2a Questão (3 ptos):
Para o circuito da figura 1abaixo, determine: 
IBQ, VCEQ, r(. (1,0 pto)
Zi, Z0. (1,0 pto)
Av, Ai (1,0 pto)
		
Fig. 1
		
		
3a Questão (2,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo simplificado dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor e considere VDZ = 5,1V.
		
		
4a Questão (1,0 ptos):
Calcular os valores das correntes I1 e I2 e da tensão Vs no circuito abaixo. Considerar Vz = 10V e D2 sendo de Si (modelo simplificado).
		
		
5a Questão (1,5 ptos):
Obter a característica de saída V0=f(IL), considerando R=100, Vz0=5V, Vs=10V e rZ=20, Izmin=5mA.
6a Questão (1,5 ptos):
Obter a tensão de saída V0.
		
		
Boa prova!!!
_1303197391.doc
_1309355050.doc
--2
t
t
V0
V1
2
_1299751285.doc
VIN
V1
V2
__MACOSX/2013/._Prova Sub.doc
2014/Prova 1_2014.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
1a PROVA ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2014 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. (A)
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto): 
(a) Determine o fluxo de corrente (I) em uma barra de silício de comprimento 10µm e seção de corte 5 µm por 5 µm, tendo densidades de elétrons livres de 105/cm3 e de lacunas de 1015/cm3, com 1V aplicado de ponta a ponta. Use µn=1350 cm2/Vs e µn=480cm2/Vs (0,5 pto)
(b) Explique, em termos de níveis de energia, as diferenças de coeficiente de temperatura entre os materiais condutores e semicondutores (0,5 pto).
(c) Descreva o efeito zener (0,5 pto).
2a Questão (2,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os tempos e os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor e considere VZ = 5,1V.
		
		
3a Questão (2,5 ptos):
Projetar uma fonte com as seguintes especificações:
VIN = 6+6 Vac / f = 60Hz; V0 = +5 V; I0 = 10mA; (Vcmax=10%, retificador onda completa com tap central.
Desconsiderar as tolerâncias dos componentes e a variação da rede;
Rz, PRz, PT vista pelo capacitor, C calculado; (1,5 pto)
Ângulo de condução do diodo e corrente média nos diodos. (1,0 pto)
4a Questão (1,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo simlificado dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito.
		
		
		
		
5a Questão (2,0 ptos):
(a) Calcule o valor da tensão V0,, considerando o modelo simplificado do diodo. (1,0 ptos)
(b) Indique a polaridade das tensões em cada capacitor e seus respectivos valores da tensão em regime permanente em função da tensão de pico da fonte de entrada Vp, considerando o modelo ideal do diodo. Despreze a ondulação de tensão no capacitor(1,0 ptos)
		
(a) Utilizar o modelo simplificado do diodo
		
(b) Utilizar o modelo ideal do diodo
4a Questão (3,0 ptos):
Considere que o projeto de uma fonte garanta a regulação da tensão de saída para toda faixa de carga, sendo dados:
VIN = 127 V / f = 60Hz / Vs=6V+6V;
VZk = +5,1 V; IL = 0 – 25mA; Rz=76,5Ω; C=697μF
(a)	Calcule VCmin e a ondulação da tensão no capacitor considerando que na condição IL=ILmax, IDz=Izmin=5mA. (1 pto)
Calcule a potência total PT vista pelo capacitor nas condições IL=ILmax= e IL=ILmin; (1 pto)
Determine a corrente média e a tensão reversa máxima sobre os diodos; (0,5 pto)
Determine o ângulo de condução nos enrolamentos secundários. (0,5 pto)
	
q = 1,60*10-19 C
Boa prova!!!
Vpico=20V
F = 50Hz
4k
4k
�
_1330770802.doc
VIN
V0
VR2
_1330778002.unknown
_1330778121.unknown
_1330778120.unknown
_1330771044.doc
VIN
V0
_1267271116.doc
__MACOSX/2014/._Prova 1_2014.doc
2014/Prova AF 2014.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
AVALIAÇÃO FINAL ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2014 – Prof.: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (2,0 ptos):
(a) Trace curvas características do JFET, DMOSFET (depleção) e EMOSFET (intensificação) (0,5 ptos)
(b) Descreva, em termos de níveis de energia, as diferenças nas magnitudes das resistividades de materiais condutores, isolantes e semicondutores intrínsecos; (0,5 ptos)
(c) Descreva o por quê da diferença entre os coeficientes de temperatura dos materiais condutores e semicondutores; (0,5 ptos)
(d) Descreva o efeito zener e o efeito avalanche num diodo zener; (0,5 ptos)
2a Questão (2 ptos):
Determine os seguintes parâmetros para o circuito abaixo. Deduza as equações utilizando o modelo da transcondutância (mostrar o circuito ca equivalente na prova).
gm ,IDQ, VGSQ (1,0 pto);
rd, Zi, Z0, Av (1,0 pto);
3a Questão (2 ptos):
Determine a forma de onda da tensão sobre o diodo D1 e sobre V0 nos circuitos indicados abaixo, considerando-se: (a) modelo equivalente aproximado (simplificado) do diodo, (b) modelo ideal do diodo. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos máximos, mínimos e de transição do circuito. Considere que as tensões nos capacitores são constantes e que VZ = 3,9V.
		(a) 
		(b) 
		
		
4a Questão (2 ptos):
Projetar uma fonte simétrica, utilizando o circuito abaixo, com as seguintes especificações:
VIN = 220 V / 15V / f = 60Hz;
V0 = +15 V;
IL = 0 – 25mA;
(Vcmax=10%, Izmin=3,33 mA;
Desconsiderar as tolerâncias dos componentes, não é necessário o uso de valores comerciais.
Determinar:
Rz, PRz(potência dissipada no resistor); (1 pto)
PDz (potência máxima dissipada pelo zener), PT (potência vista pelo capacitor) e C calculado; (1 pto)
5a Questão (2 ptos):
Obtenha a equação da tensão de saída em função de Vi (2,0 ptos)
São dadas as equações:
		
		
		
		
* Não esqueça do ^2 nas equações de cálculo de ID.
* Deduza as equações para o cálculo dos parâmetros Zi, Z0 e Av.
* Desenhe os circuitos equivalentes utilizados e explicite as equações das malhas.
BOA SORTE!
_1178534183.unknown
_1215352639.doc
�
_1216639312.doc
VIN
V0
10
-5
_1216639270.doc
VIN
V0
10
-5
_1208326436.doc
_1178533712.unknown
_1178534106.unknown
_1178534031.unknown
_1172655944.doc
+
-
__MACOSX/2014/._Prova AF 2014.doc
2014/Prova 3_2014.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
3a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2014 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 ptos):
Trace as curvas características típicas do JFET, DMOSFET (depleção) e EMOSFET (intensificação), canais N indicando os valores de Vgs, Vt, Vgst e Idss. (1,0 pto)
Descreva o princípio de funcionamento do E-MOSFET. (0,5 pto)
2a Questão (3 ptos):
		Determine, primeiramente de forma literal os seguintes parâmetros para o circuito abaixo. Deduza as equações utilizando o modelo da transcondutância e considerando rd=40k(.
IDQ, VGSQ (1,0 pto);
Zi, Z0 (1,0 pto);
Av e V0 para Vi=0,8 mV (1,0 pto);
		
3a Questão (5,5 ptos):
(a) Obter a equação de V0 e traçar as formas de onda do circuito abaixo considerando componentes ideais (modelo ideal do diodo). (2,0 ptos)
		
		
		�
		
		
		
		(a) Traçar a forma de onda da tensão de saída V0 do circuito abaixo (1,0 ptos)
 Descreva e indique o efeito que o slew rate pode provocar na tensão de saída (0,5 ptos)
		
		
(c) Obter a equação de V0 para os circuitos abaixo. (2 ptos)
		
R2=R3=R4
		
R1=R2
São dadas as equações:
		
		
		
		
* Não esqueça do ^2 nas equações de cálculo de ID.
* Boa Prova!
_1272890361.doc
0,5V
0,5
V1
V0
t
t
_1272890362.doc
2V
-2V
V1
V0
t
t
_1272890464.doc
V0
VIN
_1178534183.unknown
_1272889564.doc
R1
R2
RD
RS
_1178533712.unknown
__MACOSX/2014/._Prova 3_2014.doc
2014/Prova 2_2014.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
2a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2014 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto):
(a) Explique a operação do transistor PNP na região ativa. (0,5 pto)
(b) Explique o que é e como é originado fisicamente o Efeito Early. (0,5 pto)
(c) Qual o propósito de se utilizar circuitos de polarização cc em amplificadores a TBJ? (0,5 pto)
2a Questão (1,5 ptos):
Projete o circuito de polarização cc a divisor de tensão (Fig. 2) para obter o melhor ponto quiescente para a operação do TBJ como amplificador de sinais. Considere Vcc=+12V.
		
		
Fig. 2 (2a. Questão)
		
Fig. 3 (3a. Questão)
3a Questão (4 ptos):
Para o circuito da figura 3 determine de forma literal e posteriormente de forma numérica:
IBQ, VCEQ, r(. (1,0 pto)
Zi, Z0. (1,0 pto)
Av, Ai (1,0 pto)
Calcule a tensão sobre a carga R=6,8k( conectada na saída se uma fonte de tensão V1 com impedância interna r=3k( for conectada na. (1,0 pto).
4a Questão (1,5 ptos):
Determine impedância de entrada para o circuito da Fig. 4, considerando (=(1=(2.
		
Fig. 4 (4a. Questão)
		
Fig. 5 (5a. Questão)
		
5a Questão (1,5 ptos):
Para a Fig. 5, traçar a forma de onda da tensão sobre o capacitor C1, considerando VC1(0) = +12V.
 		Boa prova!!
_1333614233.doc
V0
Vin
_1244880997.unknown
__MACOSX/2014/._Prova 2_2014.doc
2015/Prova 1_2015.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
1a PROVA ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2015 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. (A)
Aluno:								Matricula:
1a Questão (2,0 pto): 
(a) Explique porque a dopagem de um cristal de silício altera sua resistividade (0,5 pto)
(b) Quais são os conceitos fundamentais que definem a resistividade de um cristal semicondutor? (0,5 pto)
(c) Explique, em termos de níveis de energia, as diferenças de coeficiente de temperatura entre os materiais condutores e semicondutores (0,5 pto).
(d) Descreva o efeito zener (0,5 pto).
2a Questão (2,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor e considere VZ = 3,3V.
		
		
3a Questão (1,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Considere R1=R2, Vin(t)=20sen(2π50t) e Vz=5,1V
		
		
		
		
4a Questão (2,0 ptos):
(a) Calcule os possíveis valores da relação R1/R2 para V0=0V, considerando o modelo simplificado do diodo. (1,0 ptos)
(b) Indique a polaridade das tensões em cada capacitor e seus respectivos valores da tensão em regime permanente em função da tensão de pico da fonte de entrada Vp, considerando o modelo ideal do diodo. Despreze a ondulação de tensão nos capacitores. (1,0 ptos)
		
(a) Utilizar o modelo simplificado do diodo
		
(b) Utilizar o modelo ideal do diodo
5a Questão (3,0 ptos):
Considere um retificador de onda completa com tap central mostrado abaixo, sendo dados:
VIN = 127 V / f = 60Hz / Vs=6V+6V;
VZk = +5,1 V; Rz=100Ω; Izmin=1mA
ΔVCmax=0,5V
(a)	Determine a máxima condição da carga Rl para manter a regulação da tensão de saída. (1 pto)
Calcule a potência total PT máxima vista pelo capacitor e calcule a capacitância; (1 pto)
Determine a corrente média e a tensão reversa máxima sobre os diodos; (0,5 pto)
Determine o ângulo de condução nos enrolamentos secundários. (0,5 pto)
	
q = 1,60*10-19 C
Boa prova!!!
Vpico=20V
F = 50Hz
1k
1k
�
_1330770802.doc
VIN
V0
VR2
_1330778002.unknown
_1330778121.unknown
_1330778120.unknown
_1330771044.doc
VIN
V0
_1267271116.doc
__MACOSX/2015/._Prova 1_2015.doc
2015/Prova Sub 2015.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
PROVA SUB ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2013 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. 
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
(a) Descreva o efeito zener (0,5 pto).
(b) Explique, em termos de níveis de energia, as diferenças de resistividade entre os materiais condutores, semicondutores e isolantes (0,5 pto).
2a Questão (3 ptos):
Para o circuito da figura 1abaixo, determine: 
IBQ, VCEQ, r(. (1,0 pto)
Zi, Z0. (1,0 pto)
Av, Ai (1,0 pto)
		
Fig. 1
		
		
3a Questão (2,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo simplificado dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor e considere VDZ = 5,1V.
		
		
4a Questão (1,0 ptos):
Calcular os valores das correntes I1 e I2 e da tensão Vs no circuito abaixo. Considerar Vz = 10V e D2 sendo de Si (modelo simplificado).
		
		
5a Questão (1,5 ptos):
Obter a característica de saída V0=f(IL), considerando R=100, Vz0=5V, Vs=10V e rZ=20, Izmin=5mA.
6a Questão (1,5 ptos):
Obter a tensão de saída V0.
Boa prova!!!
_1303197391.doc
_1309355050.doc
--2
t
t
V0
V1
2
_1299751285.doc
VIN
V1
V2
__MACOSX/2015/._Prova Sub 2015.doc
2015/Prova 2_2015.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
2a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2015 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto):
(a) Explique a operação do transistor NPN na região ativa. (0,5 pto)
(b) Em um circuito amplificador com polarização cc por divisor de tensão qual é a condição para garantir uma boa estabilidade do ponto quiescente de operação frente a variações de temperatura? (0,5 pto)
(c) Explique a limitação da análise de circuitos amplificadores utilizando modelos de pequenos sinais? (0,5 pto)
2a Questão (1,5 ptos):
Projete o circuito de polarização cc a divisor de tensão (Fig. 2) para obter o melhor ponto quiescente para a operação do TBJ como amplificador de sinais. Considere Vcc=+18V.
		
		
Fig. 2 (2a. Questão)
		
Fig. 3 (3a. Questão)
3a Questão (4 ptos):
Para o circuito da figura 3 determine de forma literal e posteriormente de forma numérica:
IBQ, VCEQ, rπ. (1,0 pto)
Zi, Z0. (1,0 pto)
Av, Ai (1,0 pto)
Calcule a tensão de saída se uma fonte de 10mV for conectada na entrada de dois estágios idênticos conectados em cascata. (1,0 pto).
4a Questão (2,0 ptos):
Determine o ponto quiescente de operação e a impedância de saída para o circuito da Fig. 4.
		
Fig. 4 (4a. Questão)
		
Fig. 5 (5a. Questão)
5a Questão (1,0 ptos):
O diac utilizado no circuito da Fig. 5 é um dispositivo semicondutor que sob tensões inferiores a 30V não permite a passagem de corrente elétrica. Se a tensão entre os seus terminais atingir os 30V sua impedância cai a zero. O dispositivo só cessa sua condução se a corrente através dele atingir zero.
Para a Fig. 5, traçar a forma de onda da tensão de entrada (v(t)=311*sen(wt) e da tensão sobre o resistor RL. Considere os componentes dimensionados de forma que os TBJs operam em corte ou saturação. .
 	
	
Boa prova!!
_1366268655.unknown
_1366269024.unknown
_1244880997.unknown
__MACOSX/2015/._Prova 2_2015.doc
2015/Prova 3_2015.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
3a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2015 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 ptos):
Trace as curvas características típicas do JFET, DMOSFET (depleção) e EMOSFET (intensificação), canais N indicando os valores de Vgs, Vt, Vgst e Idss. (1,0 pto)
Descreva o princípio de funcionamento do E-MOSFET. (0,5 pto)
2a Questão (2,5 ptos):
		Determine, primeiramente de forma literal os seguintes parâmetros para o circuito abaixo. Deduza as equações utilizando o modelo da transcondutância.
IDQ, VGSQ, VDSQ (1,0 pto);
Zi, Z0, Av (1,5 pto);
		
		
		
3a Questão (2,5 ptos):
Equacionar e traçar as formas de onda para os circuitos abaixo considerando componentes ideais (modelo ideal do diodo). 
		
(a) (1 ptos)
		
		�
(b) (1 ptos)
		
		(c) Para o circuito do item ‘b’ descreva e indique o efeito que o slew rate provoca na tensão de saída (0,5 ptos)
		
4a Questão (3,0 ptos):
		
		(a) Traçar a forma de onda da tensão de saída V0 do circuito abaixo (1,0 ptos)
		
		
(b) Obter a equação de V0 para o circuito abaixo. (2 ptos)
		
R2=R3=R4
		
São dadas as equações:
		
		
		
		
* Não esqueça do ^2 nas equações de cálculo de ID.
* Boa Prova!
_1272890361.doc
0,5V
0,5
V1
V0
t
t
_1272890362.doc
2V
-2V
V1
V0
t
t
_1272890464.doc
V0
VIN
_1178534183.unknown
_1242312080.doc
�
R2
RD
_1178533712.unknown
__MACOSX/2015/._Prova 3_2015.doc
2012/Prova 1.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
1a PROVA ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2012 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. (A)
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto): (resolva apenas três itens)
(a) Explique o processo de polarização reversa em um diodo semicondutor(0,5 pto).
(b) Explique, em termos de níveis de energia, as diferenças de coeficiente de temperatura entre os materiais condutores e semicondutores (0,5 pto).
(c) Descreva o efeito zener (0,5 pto).
(d) Descreva como ocorre a condução de corrente elétrica em um cristal de silício dopado com átomos aceitadores. (0,5 pto).
2a Questão (2,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor e considere VDZ = 10V.
		
		
3a Questão (2,5 ptos):
Projetar uma fonte com as seguintes especificações:
VIN = 6+6 Vac / f = 60Hz; V0 = +5 V; I0 = 10mA; (Vcmax=10%, retificador onda completa com tap central.
Desconsiderar as tolerâncias dos componentes e a variação da rede;
Rz, PRz, PT vista pelo capacitor, C calculado; (1,5 pto)
Ângulo de condução do diodo e corrente média nos diodos. (1,0 pto)
4a Questão (1,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo simlificado dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito.
		
		
		
		
5a Questão (2,0 ptos):
(a) Calcule o valor da tensão V0,, considerando o modelo simplificado do diodo. (1,0 ptos)
(b) Indique a polaridade das tensões em cada capacitor e seus respectivos valores da tensão em regime permanente em função da tensão de pico da fonte de entrada Vp, considerando o modelo ideal do diodo. Despreze a ondulação de tensão no capacitor(1,0 ptos)
		
(a) Utilizar o modelo simplificado do diodo
		
(b) Utilizar o modelo ideal do diodo
Boa prova!!!
_1299751285.doc
VIN
V1
V2
_1330771044.doc
VIN
V0
__MACOSX/2012/._Prova 1.doc
2012/Prova 2_2012.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
2a PROVA ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2012 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto): Resolva apenas 2 itens:
(a) Explique o fluxo de corrente elétrica entre o coletor e emissor de um transistor NPN operando na região ativa. (0,5 pto)
(b) Explique o que é e como é originado o Efeito Early. (0,5 pto)
(c) Explique a operação do transistor na região de saturação. (0,5 pto)
2a Questão (4 ptos):
Para o circuito da figura 1 abaixo, considere o efeito Early e determine:
IBQ, VCEQ, r(. (1,0 pto)
Zi, Z0. (1,0 pto)
Av, Ai (1,0 pto)
Calcule a tensão de saída, para vi=10mV com resistência série de 10k(, se uma carga R=6,8k( for conectada na saída. (1,0 pto)
		
Fig. 1
		�
Fig. 2
3a Questão (1,0 ptos):
Considere um sistema de automação residencial, onde uma central microprocessada (5V) comanda o ligamento periódico de algumas lâmpadas durante a viagem de uma família. Projete (desenhar
e calcular) um sistema de acionamento das lâmpadas, para uma ampla faixa de temperaturas, considerando um relé de 12V/25mA e um transistor com β=80.
4a Questão (2,0 ptos):
Obtenha Ai (1 pto) e Z0 (1 pto) para o circuito da Fig. 2 (desprezar o efeito Early).
5a Questão (2,0 ptos):
Equacionar e traçar a forma de onda da tensão sobre a resistência de carga RL. Considere os transistores operando na região ativa.
		
		
_1270551647.doc
-10V
+10V
Vi
VRL
__MACOSX/2012/._Prova 2_2012.doc
2012/Prova 3_2012.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
3a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2012 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 ptos):
Trace as curvas características típicas do JFET, DMOSFET (depleção) e EMOSFET (intensificação), canais N (ID versus VDS para alguns valores de VGS). (1,0 pto)
Descreva o princípio físico de funcionamento do DMOSFET. (0,5 pto)
2a Questão (1,0 ptos):
Determine o valor da tensão de saída V0 para a Fig. 1abaixo, sendo dados: k1=k2=0.24mA/V2 e Vt1=Vt2=3V.
		Fig. 1
		
Fig. 2
3a Questão (1,5 ptos):
Determine, os seguintes parâmetros para o circuito da Fig. 2. Deduza as equações utilizando o modelo da transcondutância e despreze o valor de yos.
Zi, Z0, Av (1,0 pto);
Se um resistor R1 for conectado entre o Gate e o VDD, qual o seu valor para ID=5mA. E para ID=12mA? (0,5 pto);
3a Questão (6 ptos):
(a) Obter a equação de V0 e traçar as formas de onda dos circuitos abaixo considerando componentes ideais (1,0 ptos cada)
		
		
		
		
		
		
(b) Trace as formas de onda do circuito acima considerando Slew Rate = 0,5V/µs e Vcc=±15V (1,0 ptos)
		
		
(c) Obtenha a equação da tensão de saída em função de Vi (2,0 ptos)
São dadas as equações:
		
		
		
		
* Não esqueça do ^2 nas equações de cálculo de ID.
* Boa Prova!
_1336303056.doc
1V
-1V
V1
V0
t
t
_1367821288.doc
V1
FREQ = 50
VAMPL = 2
0
R1
2k
R2
2k
V0
+15V
-15V
+
3
-
2
V+
7
V-
4
OUT
6
U25
LF347/301/TI
V3
2Vdc
0
_1367822601.doc
5V
10µs
20µs
(a)
Vi
_1178534183.unknown
_1274351720.doc
--10
t
t
V0
V1
10V
_1178533712.unknown
__MACOSX/2012/._Prova 3_2012.doc
2012/Prova sub 2012.docx
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
PROVA SUB CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2012 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
Responda a apenas três itens:
(a) Explique, em termos de níveis de energia, os coeficientes de temperatura dos materiais condutores e semicondutores. (0,5 pto)
(b) Descreva o efeito zener e o efeito avalanche. (0,5 pto)
2a Questão (3 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. 
		
2a) Fig. 1
		
		
2b) Fig. 2
		
		
3) Fig. 3
		 
		3a Questão (2 ptos):
Para o circuito da figura 3 acima determine:
IBQ, VCEQ, rπ. (0,5 pto)
Zi, Z0. Av, Ai (1,5 pto)
		
		4a Questão (1,0 ptos): 
Determine o valor da tensão V0.
		5a Questão (1,5 ptos): 
Determine o valor da tensão V0.
6a Questão (1,5 ptos):
Obter a tensão sobre o resistor de saída.
		
		
		
		
		
Dados:
		
		
		
		
Boa prova!!!
VIN
V0
VR2
--10
t
t
V0
V1
10V
VIN
VR0
__MACOSX/2012/._Prova sub 2012.docx
2012/Prova AF 2012.docx
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
AF ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2012 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
(a) Trace as curvas características Id versus Vds para o JFET, DMOSFET e EMOSFET. (0,5 pto)
(b) Explique fisicamente como é originado o Efeito Early. (0,5 pto)
2a Questão (3 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. 
		
2a) Fig. 1 (modelo simplificado do diodo)
		
		
2b) Fig. 2 (modelo ideal do diodo)
		
		
3a Questão (1,5 ptos):
Para o circuito da figura ao lado determine:
IBQ, VCEQ, rπ. (0,5 pto)
Zi, Z0. Av, Ai (1,0 pto)
		 
		
		
		4a Questão (1,0 ptos): 
Determine o valor da tensão V0.
		5a Questão (1,0 ptos): 
Determine o valor da tensão V0, considerando R1=R2.
6a Questão (1,0 ptos):
Obter a tensão sobre o resistor de saída.
		
		
		4a Questão (1,5 ptos):
Equacionar e traçar a forma de onda da tensão sobre o capacitor C0, considerando: VC0(0) = 5V, Vi(low)=0V, Vi(high)=5V e frequência de Vi igual a 10kHz. Considere Q1 e Q2 idênticos e despreze as correntes de base.
		
		
		
		
Dados:
		
		
		
		
Boa prova!!!
VIN
V0
VR2
--2
t
t
V0
V1
2
Q1
Q2
R1
2k
0
+5V
C0
100n
0
Q8
R2
2k
+15V
Vi
V0
Vin
50µs
100µs
VIN
VR0
__MACOSX/2012/._Prova AF 2012.docx
2008/Prova 3.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
3a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2008 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (2,0 ptos):
Trace as curvas características típicas do JFET, DMOSFET (depleção) e EMOSFET (intensificação), canais N e descreva as principais diferenças. (1,0 pto)
Descreva o princípio de funcionamento de dois dos dispositivos citados acima. (1,0 pto)
2a Questão (3 ptos):
		Determine, primeiramente de forma literal os seguintes parâmetros para o circuito abaixo. Deduza as equações utilizando o modelo da transcondutância e considerando rd=40k(.
IDQ, VGSQ (1,0 pto);
Zi, Z0 (1,0 pto);
Av e V0 para Vi=0,8 mV (1,0 pto);
		
3a Questão (5 ptos):
(a) Obter a equação de V0 e traçar as formas de onda do circuito abaixo considerando componentes ideais (2,0 ptos)
		
		
		�
		
		
		
		(a) Traçar a forma de onda da tensão de saída V0 do circuito abaixo (1,0 ptos)
		
		
(c) Obter a
equação de V0 para os circuitos abaixo. (2 ptos)
		
		
São dadas as equações:
		
		
		
		
* Não esqueça do ^2 nas equações de cálculo de ID.
* Boa Prova!
_1272890361.doc
0,5V
0,5
V1
V0
t
t
_1272890362.doc
2V
-2V
V1
V0
t
t
_1272890464.doc
V0
VIN
_1178534183.unknown
_1272889564.doc
R1
R2
RD
RS
_1178533712.unknown
__MACOSX/2008/._Prova 3.doc
2008/Prova 2.doc
2008/Prova 1a.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
1a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2008 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. (A)
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto):
Responda a apenas três itens:
(a) O que é um material extrínseco? Explique, em termos de bandas de energia, qual o efeito da dopagem em um material semicondutor. (0,5 pto)
(b) O que são as correntes de difusão e de deriva. (0,5 pto)
(c) Descreva o processo de polarização reversa de um diodo semicondutor. (0,5 pto)
(d) Descreva o efeito zener e o efeito avalanche. (0,5 pto)
2a Questão (3 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os tempos e os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor.
		
		
�
3a Questão (3 ptos):
(a) Trace a forma de onda sobre o resistor R0 para o circuito abaixo. (1,5 ptos)
(b) Indique a polaridade das tensões em cada capacitor e seus respectivos valores da tensão em regime permanente em função da tensão de pico da fonte de entrada Vp. (1,5 ptos)
		
		
(b)
		
(a)
		
4a Questão (2,0 ptos):
Projetar uma fonte simétrica, utilizado o circuito abaixo, com as seguintes especificações e considerações de projeto:
VIN = 110 V / f = 60Hz / Vs=6V+6V;
V0 = +5,1 V;
IL = 0 – 25mA;
(Vcmax=10%, Izmin=5 mA, Pzmax=0,5W;
Desconsiderar as tolerâncias dos componentes;
Selecionar valores comerciais.
Rz, PRz calculados e selecionados; (1 pto)
PT vista pelo capacitor, C calculado e C selecionado; (1 pto)
Corrente média e tensão máxima nos diodos; (0,5 pto)
Ângulo de condução e corrente eficaz nos enrolamentos secundários. (0,5 pto)
Boa prova!!!
_1267270191.doc
VIN
V1
V2
_1267270497.doc
_1267271116.doc
_1267259948.doc
VIN
V1
_1267261051.doc
_1267259902.doc
__MACOSX/2008/._Prova 1a.doc
2008/Prova 1b.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
1a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2008 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. (B)
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto):
Responda a apenas três itens:
(a) O que é um material extrínseco? Explique, em termos de bandas de energia, qual o efeito da dopagem em um material semicondutor. (0,5 pto)
(b) O que são as correntes de difusão e de deriva. (0,5 pto)
(c) Descreva o processo de polarização reversa de um diodo semicondutor. (0,5 pto)
(d) Descreva o efeito zener e o efeito avalanche. (0,5 pto)
2a Questão (3 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os tempos e os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor.
		
		
�
3a Questão (2,5 ptos):
(a) Trace a forma de onda sobre o resistor R0 para o circuito abaixo. (1,5 ptos)
(b) Indique a polaridade das tensões em cada capacitor e seus respectivos valores da tensão em regime permanente em função da tensão de pico da fonte de entrada Vp. (1,0 ptos)
		
		
(b)
		
(a)
		
4a Questão (3,0 ptos):
Projetar uma fonte simétrica, utilizado o circuito abaixo, com as seguintes especificações e considerações de projeto:
VIN = 110 V / f = 60Hz / Vs=6V+6V;
V0 = +5,1 V;
IL = 0 – 15mA;
(Vcmax=10%, Izmin=5 mA, Pzmax=0,5W;
Desconsiderar as tolerâncias dos componentes;
Selecionar valores comerciais.
Rz, PRz calculados e selecionados; (1 pto)
PT vista pelo capacitor, C calculado e C selecionado; (1 pto)
Corrente média e tensão máxima nos diodos; (0,5 pto)
Ângulo de condução e corrente eficaz nos enrolamentos secundários. (0,5 pto)
Boa prova!!!
_1267272331.doc
_1267272332.doc
_1267261051.doc
_1267270191.doc
VIN
V1
V2
_1267271116.doc
_1267259948.doc
VIN
V1
__MACOSX/2008/._Prova 1b.doc
2008/Prova sub.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
PROVA SUB CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2008 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto):
Responda a apenas três itens:
(a) O que é um material extrínseco? Explique, em termos de bandas de energia, qual o efeito da dopagem em um material semicondutor. (0,5 pto)
(b) O que são as correntes de difusão e de deriva. (0,5 pto)
(c) Descreva o efeito zener e o efeito avalanche. (0,5 pto)
2a Questão (3 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. 
		
		
		
		
		
		
3a Questão (2 ptos):
Para o circuito da figura 1 abaixo determine:
IBQ, VCEQ, r(. (1,0 pto)
Zi, Z0. (1,0 pto)
Av, Ai (1,0 pto)
		
		Resp.
a)
IBQ =
VCEQ =
r( =
b)
Zi = 
Z0 = 
c)
Av = 
Ai = 
4a Questão (1,5 ptos):
Obter a equação da tensão de saída em função de R1, ..., R5, V1 e V2.
		
		Resp.
V0 = 
5a Questão (3,0 ptos):
Projetar uma fonte simétrica, utilizado o circuito abaixo, com as seguintes especificações e considerações de projeto:
VIN = 15 V / f = 60Hz;
V0 = +15,7 V;
IL = 0 – 1A;
( = 100 – 150;
(Vcmax=10%, Izmin=2 mA, Pzmax=0,5W;
Desconsiderar as tolerâncias dos componentes;
Arredondar os valores obtidos para múltiplos de 10.
Rz, PRz calculados e selecionados; (1 pto)
Potência média dissipada no transistor e no diodo zener (1,0 pto)
PT vista pelo capacitor, C calculado e C selecionado; (1 pto)
Dados:
		
		
Boa prova!!!
_1275130399.doc
�
_1275890210.doc
VIN
VR0
_1275131351.unknown
_1275121369.doc
VIN
V0
VR2
_1275127372.doc
_1244880997.unknown
__MACOSX/2008/._Prova sub.doc
2007/Prova 1.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
1a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2007 - Professor: Demercil De Souza
Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto):
Responda a apenas três itens:
(a) Explique a causa dos diferentes valores de resistividade dos materiais indicados na tabela acima. (0,5 pto)
(b) Explique a diferença entre os coeficientes de temperatura dos condutores e semicondutores. (0,5 pto)
(c) Descreva o processo que ocorre ao se “unir” um material do tipo p com um material do tipo n. (0,5 pto)
(d) Descreva o efeito zener e o efeito avalanche. (0,5 pto)
2a Questão (3 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os tempos e os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. (VZ1 = Vz2 = 5,1V)
		
		
		
(a) (1,5 ptos)
		
(b) (1,5 ptos)
�
3a Questão (3 ptos):
Considere para os circuito dados abaixo que os valores de R e C sejam suficientes para manter uma ondulação mínima no capacitor.
(a) Preencha o circuito dado com os componentes necessários para obter as formas de onda indicadas nos gráficos. Determine o valor adequado da tensão nominal do zener considerando-se o modelo simplificado dos diodos. (1,5 ptos)
(b) Indique a polaridade das tensões em cada capacitor e seus respectivos valores da tensão em regime permanente em função da tensão de pico da fonte de entrada Vp. (1,5 ptos)
		
		(b) 
		
(a) 
		
4a Questão (2,0 ptos):
Projetar uma fonte simétrica, utilizado o circuito abaixo, com as seguintes especificações e considerações de projeto:
VIN = 220 V / f = 60Hz;
V0 = +15 V;
IL = 0 – 25mA;
(Vcmax=10%, Izmin=3,33 mA, Pzmax=1W;
Desconsiderar as tolerâncias dos componentes;
Selecionar valores comerciais.
Rz, Pz calculados e selecionados; (1 pto)
C calculado e C selecionado; (1 pto)
_1237794901.doc
V0
VIN
VZ
_1237796679.doc
_1237797532.doc
_1237795138.doc
_1237796193.doc
VIN
V0
15
10
_1237794293.doc
_1237794839.doc
VIN
V0
VR2
_1172649622.doc
Condutor 
Semicondutor
Isolante
10-6 (-cm
50 (-cm (germânio)
50.103 (-cm (silício)
1012 (-cm
(mica)
_1208326436.doc
__MACOSX/2007/._Prova 1.doc
2007/Prova 3.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
3a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2007 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (2,0 ptos):
Trace as curvas características típicas (ID&VDS e ID&VGS) do JFET, DMOSFET (depleção) e EMOSFET (intensificação), canais p e n (12 gráficos no total). (1,5 pto)
Descreva o principio de funcionamento de um dos dispositivos citados acima. (0,5 pto)
		2a Questão (2 ptos):
Determine os seguintes parâmetros para o circuito abaixo.
IDQ, VGSQ (1,0 pto);
Qual o valor de R2 para IDSS = 0? (0,5 pto);
Quais os valores de R2 e RD para IDSS = 8mA? (0,5 pto);
3a Questão (6 ptos):
Obter as formas de onda de saída dos seguintes circuitos não lineares com amplificadores operacionais. Indicar as amplitudes e os tempos quando relevantes. Considere as alimentações dos ao’s como sendo +15V e -15V, a menos que indicado o contrário.
		
		(a) Trace as formas de onda do circuito abaixo considerando-se componentes ideais (1,0 ptos)
		
		(b) Trace as formas de onda do circuito acima considerando Slew Rate = 0,5V/µs (1,0 ptos)
		
(c) Traçar V0 e Vpwm considerando Vi a 250 Hz, Vref a 50 Hz e Vo (t=0)= 1V. (2 ptos)
		
		
		
Determinar os valores de R1, R2 e R3 para o circuito implementar a seguinte tabela, onde ‘0’ representa 0V e ‘1’ representa 5V. (2 ptos)
		B2
		B1
		B0
		V0
		0
		0
		0
		0V
		0
		0
		1
		1V
		0
		1
		0
		2V
		0
		1
		1
		3V
		1
		0
		0
		4V
		1
		0
		1
		5V
		1
		1
		0
		6V
		1
		1
		1
		7V
		
São dadas as equações:
		
		
		
		
* Não esqueça do ^2 nas equações de cálculo de ID.
* Boa Prova!
_1242312080.doc
�
R2
RD
_1242312619.doc
5V
10µs
20µs
(a)
(b)
Vi
_1242337747.doc
_1178534183.unknown
_1214807796.doc
1V
-1V
Vi
Vref, V0
Vpwm
-1V
1V
_1178533712.unknown
__MACOSX/2007/._Prova 3.doc
2007/Prova 2.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
2a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2007 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
(a) Explique o fluxo de corrente elétrica entre o coletor e emissor de um transistor PNP operando na região ativa. (0,5 pto)
(b) Explique o que é e como é originado o Efeito Early. (0,5 pto)
2a Questão (5 ptos):
Para o circuito da figura 1 (ou fig.3, ver obs.) abaixo determine: 
IBQ, VCEQ, r(. (1,0 pto)
Zi, Z0. (1,0 pto)
Av, Ai (1,0 pto)
Calcule a tensão de saída se uma carga R=6,8k( for conectada na saída. Considere RC=5,6k(, RB=330k(, RE1=1,2k(, RE2=0,47k( e (=80 (1,0 pto)
Calcule o novo ganho de tensão (V0/V1) se uma fonte de tensão V1 com impedância interna r=50( for conectada na entrada do amplificador. (1,0 pto).
Determine, de forma literal, a impedância de entrada Zi, considerando-se o efeito Early. (1,0 pto – extra)
		�
Fig. 1
		
Fig 2
		�
Fig. 3
3a Questão (1,0 ptos):
Projete o circuito de acionamento de um relê de 24V (Fig 2), comandado através de um microcontrolador (5V), para operar numa ampla faixa de temperaturas. Considere (=100.
4a Questão (1,5 ptos):
Obtenha Zi (1,0 pto) e Z0 (0,5 pto) para o circuito da Fig. 3, considerando-se efeito Early no modelo ca.
5a Questão (1,0 ptos):
Traçar a forma de onda da tensão sobre o capacitor C1, considerando VC1(0) = +12V.
		
		
Obs: O aluno que escolher fazer essa questão com o circuito da Fig. 3 terá no máximo 2,5 ptos pela questão
_1240147161.doc
V0
Vin
__MACOSX/2007/._Prova 2.doc
2007/Prova 1_sub.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
1a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2007 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto):
(a) Explique o mecanismo de avalanche no diodo zener. (0,5 pto)
(b) Explique o que são portadores minoritários e majoritários. (0,5 pto)
(c) Explique como se dá o processo de polarização direta do diodo. (0,5 pto)
2a Questão (3,5 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo simplificado dos diodos. Calcule os tempos e os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. (VZ1 = Vz2 = 5,1V) 
		
		
		
(a) (2,0 ptos)
		
(b) (1,5 ptos)
3a Questão (2 ptos):
Considere para o circuito dado abaixo que
os valores de R e C sejam suficientes para manter uma ondulação mínima no capacitor. Preencha o circuito dado com os componentes necessários para obter as formas de onda indicadas nos gráficos. Determine o valor adequado da tensão nominal do zener considerando-se o modelo simplificado dos diodos.
		
		
3a Questão (3,0 ptos):
Projetar uma fonte simétrica, utilizado o circuito abaixo, com as seguintes especificações:
VIN = 110 V;
f = 60Hz;
V0 = (15 V;
IL1 = 0 – 25mA;
IL2 = 0 – 10mA;
Utilizar uma ondulação de 10% (sobre Vcmax) para o cálculo do capacitor.
Pz1, Pz2 (potência dissipada nos diodos zener) (1,0 ptos).
Rz1, Rz2, PRz1, PRz2; (1,0 ptos)
PT1, PT2, C1, C2; (potência vista pelos capacitores de filtro). (1,0 ptos)
Dados:
Mostrar todos os cálculos!!!
Boa prova!!
_1244875857.doc
_1244878470.doc
_1244879417.unknown
_1244877040.doc
_1237794901.doc
V0
VIN
VZ
_1237796193.doc
VIN
V0
15
10
_1237794839.doc
VIN
V0
VR2
_1173095363.doc
2007/Prova 2_sub.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
2a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2007 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto):
(a) Explique a operação do transitor na região de saturação. (0,5 pto)
(b) Explique o que é e como é originado o Efeito Early. (0,5 pto)
(c) Defina e mostre graficamente a transcondutância de um transistor. (0,5 pto)
2a Questão (5 ptos):
Para o circuito da figura 1 abaixo determine de forma literal e posteriormente de forma numérica, considerando-se sempre o efeito Early: 
IBQ, VCEQ, r(. (1,0 pto)
Zi, Z0. (1,0 pto)
Av, Ai (1,0 pto)
Calcule a tensão de saída se uma carga R=6,8k( for conectada na saída. (1,0 pto)
Calcule o novo ganho de tensão (V0/V1) se uma fonte de tensão V1 com impedância interna r=50( for conectada na entrada do amplificador. (1,0 pto).
		
Fig. 1
		�
Fig. 3
3a Questão (1,5 ptos):
Obtenha Zi (1,0 pto) e Z0 (0,5 pto) para o circuito da Fig. 3, considerando-se efeito Early no modelo ca.
4a Questão (1,0 ptos):
i
5a Questão (1,0 ptos):
Traçar a forma de onda da tensão sobre o capacitor C1, considerando VC1(0) = +12V.
		
		
Dados: 
Mostrar todos os cálculos!!!
Boa prova!!
_1240147161.doc
V0
Vin
_1244880997.unknown
_1215349180.doc
__MACOSX/2007/._Prova 2_sub.doc
2007/Prova AF.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
AVALIAÇÃO FINAL CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2007 – Prof.: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
Responda a apenas dois itens:
(a) Descreva, em termos de níveis de energia, as diferenças nas magnitudes das resistividades de materiais condutores, isolantes e semicondutores intrínsecos; (0,5 ptos)
(b) Descreva o por quê da diferença entre os coeficientes de temperatura dos materiais condutores e semicondutores; (0,5 ptos)
(c) Trace as curvas características do FET e mosfet intensificação canal N (4 gráficos); (0,5 ptos)
2a Questão (1,0 ptos):
Determine a forma de onda da tensão V0 na saída dos circuitos indicados abaixo, considerando-se o modelo aproximado dos diodos. Indique os tempos e os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. (VZ = 6,2V)
		
		
3a Questão (2 ptos):
Projetar uma fonte simétrica, utilizando o circuito abaixo, com as seguintes especificações:
VIN = 220 V / 15V / f = 60Hz;
V0 = +15 V;
IL = 0 – 25mA;
(Vcmax=10%, Izmin=3,33 mA;
Desconsiderar as tolerâncias dos componentes, não é necessário o uso de valores comerciais.
Determinar:
Rz, PRz(potência dissipada no resistor); (1 pto)
PDz (potência dissipada pelo zener), PT (potência vista pelo capacitor) e C calculado; (1 pto)
4a Questão (2 ptos):
Para o circuito da figura 1 abaixo determine, primeiro de forma literal e posteriormente o valor numérico:
IBQ, VCEQ, r(. (0,5 pto)
Zi, Z0. (0,5 pto)
Av, Ai (0,5 pto)
Calcule o novo ganho de tensão (V0/Vi1) se uma fonte de tensão V1 com impedância interna r=50( for conectada na entrada do amplificador. (0,5 pto).
		
		
5a Questão (1,5 ptos):
Obtenha Zi (1,0 pto) e Z0 (0,5 pto) para o circuito da Fig. 3, considerando-se efeito Early no modelo ca.
6a Questão (2 ptos):
Obter as formas de onda de saída dos seguintes circuitos não lineares com amplificadores operacionais.. Considere as alimentações dos ao’s como sendo +15V e -15V, a menos que indicado o contrário. Desconsidere qualquer não idealidade.
		(a) Obtenha a equação da tensão de saída e trace a forma de onda (1,0 ptos).
		
		
		(b) Obtenha a equação da tensão de saída e trace a forma de onda (1,0 ptos).
		
		
		(c) Obtenha a equação da tensão de saída e trace a forma de onda (1,0 pto)
		
		
São dadas as equações:
		
		
* Deduza as equações para o cálculo dos parâmetros Zi, Z0 e Av.
* Desenhe os circuitos equivalentes utilizados e explicite as equações das malhas.
BOA SORTE!
_1172648457.doc
V0
VIN
_1215356333.doc
VI
V0
_1245481336.unknown
_1245481399.unknown
_1245480570.doc
�
_1208326436.doc
_1180974937.doc
7V
_1172646299.doc
__MACOSX/2007/._Prova AF.doc
2009/Prova 1.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
1a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2009 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. (A)
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto):
(a) Explique a causa dos diferentes valores de resistividade dos materiais indicados na tabela acima. (0,5 pto)
(b) Descreva detalhadamente o que acontece ao se juntar um material tipo P a um material tipo N. (0,5 pto)
(c) Descreva o efeito zener e o efeito avalanche. (0,5 pto)
2a Questão (2,5 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os tempos e os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor.
		
		
�
3a Questão (2 ptos):
(a) Trace a forma de onda sobre o resistor R0 para o circuito abaixo. (1,0 ptos)
(b) Indique a polaridade das tensões em cada capacitor e seus respectivos valores da tensão em regime permanente em função da tensão de pico da fonte de entrada Vp. (1,0 ptos)
		
		
(b)
		
(a)
		
4a Questão (3,5 ptos):
Projetar uma fonte simétrica, utilizado o circuito abaixo, com as seguintes especificações e considerações de projeto:
VIN = 220 V / f = 60Hz / Vs=18V+18V;
V0 = +15 V;
IL = 0 – 50mA;
(Vcmax=10%, Izmin=5 mA, Pzmax=1W;
Desconsiderar as tolerâncias dos componentes;
Selecionar valores comerciais.
Rz, PRz calculados e selecionados; (1 pto)
PT vista pelo capacitor, C calculado e C selecionado; (1 pto)
Corrente média e tensão máxima nos diodos; (0,5 pto)
Ângulo
de condução e corrente de pico nos enrolamentos secundários. (0,5 pto)
Comentar que alterações você faria no projeto de Rz, PRz e PDZ se fosse considerada uma possível variação de (10%. (0,5 pto)
Boa prova!!!
_1299682337.doc
_1299751986.doc
-
+
_1299752089.doc
�
_1299751285.doc
VIN
V1
V2
_1299751750.doc
_1172649622.doc
Condutor 
Semicondutor
Isolante
10-6 (-cm
50 (-cm (germânio)
50.103 (-cm (silício)
1012 (-cm
(mica)
_1267259948.doc
VIN
V1
__MACOSX/2009/._Prova 1.doc
2009/Prova 3.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
3a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2009 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (2,0 ptos):
Trace as curvas características típicas do JFET, DMOSFET (depleção) e EMOSFET (intensificação), canais N e descreva as principais diferenças. (1,0 pto)
Descreva o princípio de funcionamento de dois dos dispositivos citados acima. (1,0 pto)
2a Questão (2,5 ptos):
		Determine, primeiramente de forma literal os seguintes parâmetros para o circuito abaixo. Deduza as equações utilizando o modelo da transcondutância
IDQ, VGSQ (1,0 pto);
Zi, Z0 (1,0 pto);
Qual o valor de R2 para IDSS = 0? (0,5 pto);
		
3a Questão (5 ptos):
(a) Obter a equação de V0 e traçar as formas de onda do circuito abaixo considerando componentes ideais (1,0 ptos)
		
		
		 (c) Traçar a forma de onda da tensão de saída V0 do circuito abaixo (1,0 ptos)
		
		
(d) Obter a equação de I0 = f(Vi) para os circuitos abaixo. (1,0 ptos)
(e) Obter a equação de I0 = f(Vi) para os circuitos abaixo. (2,0 ptos)
São dadas as equações:
		
		
		
		
* Não esqueça do ^2 nas equações de cálculo de ID.
* Boa Prova!
_1272890362.doc
2V
-2V
V1
V0
t
t
_1272890464.doc
V0
VIN
_1178534183.unknown
_1242312080.doc
�
R2
RD
_1178533712.unknown
__MACOSX/2009/._Prova 3.doc
2009/Prova 2.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
2a PROVA CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2009 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto):
(a) Explique o fluxo de corrente elétrica entre o coletor e emissor de um transistor NPN operando na região ativa. (0,5 pto)
(b) Explique o que é e como é originado o Efeito Early. (0,5 pto)
(c) Explique a operação do transistor na região de saturação. (0,5 pto)
2a Questão (4 ptos):
Para o circuito da figura 1 abaixo, considere o efeito Early e determine:
IBQ, VCEQ, r(. (1,0 pto)
Zi, Z0. (1,0 pto)
Av, Ai (1,0 pto)
Calcule a tensão de saída se uma carga R=6,8k( for conectada na saída. (1,0 pto)
		
Fig. 1
		�
Fig. 2
3a Questão (1,0 ptos):
Projete o circuito de acionamento de um ventilador de 12V/0,1A, comandado através de um microcontrolador (5V), para operar numa ampla faixa de temperaturas. Considere (=100.
4a Questão (1,0 ptos):
Obtenha Av (0,5 pto) e Zi (0,5 pto) para o circuito da Fig. 2.
5a Questão (2,0 ptos):
Equacionar e traçar a forma de onda da tensão sobre o capacitor C0, considerando VC1(0) = 0V. Indique no gráfico abaixo as regiões de operação do transistor Q3 (0 – corte, 1 saturação, 2 região ativa)
		
		
_1215349180.doc
_1302944875.doc
VC0
Vi1
+12V
-12V
__MACOSX/2009/._Prova 2.doc
2009/Prova sub.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
PROVA SUB CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2009 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
Responda a apenas dois itens:
(a) O que são as correntes de difusão e de deriva. (0,5 pto)
(b) Explique o fluxo de corrente elétrica entre o coletor e emissor de um transistor NPN operando na região ativa. (0,5 pto)
(c) Explique o que é e como é originado o Efeito Early. (0,5 pto)
2a Questão (2,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo simplificado dos diodos. Calcule os tempos e os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. (VZ1 = Vz2 = 5,1V) 
		
		
3a Questão (2 ptos):
Para o circuito da figura 1 abaixo determine:
IBQ, VCEQ, r(. (1,0 pto)
Zi, Av. (1,0 pto)
		
		
Resp:
a)
IBQ =
VCEQ =
r( =
b)
Zi = 
Av = 
4a Questão (1,0 ptos):
Traçar a forma de onda da tensão sobre o capacitor C1, considerando VC1(0) = +12V.
		
		
5a Questão (4,0 ptos):
		(a) Trace as formas de onda do circuito abaixo considerando componentes ideais (1,0 ptos)
		
		(b) Trace as formas de onda do circuito acima considerando Slew Rate = 5V/µs (0,5 ptos)
		
(c) Obter a equação de I0 = f(Vi) para o circuito abaixo. (1,0 ptos)
(d) Determinar os valores de R1, R2 e R3 para o circuito implementar a seguinte tabela, onde ‘0’ representa 0V e ‘1’ representa 5V. (1,5 ptos)
		B2
		B1
		B0
		V0
		0
		0
		0
		0V
		0
		0
		1
		1V
		0
		1
		0
		2V
		0
		1
		1
		3V
		1
		0
		0
		4V
		1
		0
		1
		5V
		1
		1
		0
		6V
		1
		1
		1
		7V
		
Dados:
		
		
Boa prova!!!
_1244875857.doc
_1275130399.doc
�
_1275131351.unknown
_1244880997.unknown
_1240147161.doc
V0
Vin
_1242312619.doc
5V
10µs
20µs
(a)
(b)
Vi
_1242337747.doc
_1237794901.doc
V0
VIN
VZ
__MACOSX/2009/._Prova sub.doc
2009/Prova AF.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
AVALIAÇÃO FINAL CIRCUITOS ELETRÔNICOS / 2009 – Prof.: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
Escolha apenas dois itens:
(a) Descreva, em termos de níveis de energia, as diferenças nas magnitudes das resistividades de materiais condutores, isolantes e semicondutores intrínsecos; (0,5 ptos)
(b) Descreva o por quê da diferença entre os coeficientes de temperatura dos materiais condutores e semicondutores; (0,5 ptos)
(c) Descreva o efeito zener e o efeito avalanche num diodo zener; (0,5 ptos)
2a Questão (2,5 ptos):
		Determine, primeiramente de forma literal os seguintes parâmetros para o circuito abaixo. Deduza as equações utilizando o modelo da transcondutância e considerando rd=40k(.
IDQ, VGSQ (1,0 pto);
Zi, Z0, Av (1,5 pto);
		
		
		
3a Questão (3 ptos):
Determine a forma de onda da tensão V0 nos circuitos indicados abaixo, considerando-se o modelo ideal do diodo.
Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos máximos, mínimos e de transição do circuito. Considere que as tensões nos capacitores são constantes e que VZ = 3,9V.
		(a) 
		
		
(a) 1,5 ptos
		
(b) 1,5 ptos
�
3a Questão (4 ptos):
Desconsidere qualquer não idealidade.
		(a) Obtenha a equação da tensão de saída e trace a forma de onda (1,0 ptos).
		
		
		(b) Trace a forma de onda sobre o resistor de 1k (1,0 ptos).
		
		
(1,0 pontos)
(c) Obter a equação de V0 para os circuitos abaixo.
		
(1,0 pontos)
		
(1,0 pontos)
BOA PROVA!
_1178534183.unknown
_1216639312.doc
VIN
V0
10
-5
_1272889564.doc
R1
R2
RD
RS
_1215356333.doc
VI
V0
_1180974937.doc
7V
_1172655944.doc
+
-
_1178534031.unknown
_1172646299.doc
_1172648457.doc
V0
VIN
__MACOSX/2009/._Prova AF.doc
2017/Prova 1_2017.docx
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
1a PROVA ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2017 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr.
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,5 pto): 
(a) Determine a resistividade e o fluxo de corrente (I) em uma barra de silício de comprimento 10µm e seção de corte 10 µm por 10 µm, tendo uma densidade de elétrons livres de 1010/cm3 e dopada com uma concentração de átomos aceitadores igual a 1016/cm3, com 0,25V aplicado de ponta a ponta. Use µn=1110 cm2/Vs e µn=400cm2/Vs (0,5 pto)
(b) Descreva o que ocorre ao se juntar um material tipo p e um material tipo n (0,5 pto).
(c) Explique, em termos de níveis de energia, as diferenças de coeficiente de temperatura entre os materiais condutores e semicondutores (0,5 pto).
2a Questão (2,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo simplificado dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor e considere VZ = 3,3V.
		
		
3a Questão (2,0 ptos):
(a) Calcule os possíveis valores de R2 para V0=0V, considerando R1 = 1k Ω e utilizando o modelo simplificado do diodo. (1,0 ptos)
(b) Indique a polaridade das tensões em cada capacitor e seus respectivos valores da tensão em regime permanente em função da tensão de pico da fonte de entrada Vp, considerando o modelo ideal do diodo. Despreze a ondulação de tensão nos capacitores. (1,0 ptos)
		
(a) Utilizar o modelo simplificado do diodo
		
(b) Utilizar o modelo ideal do diodo
4a Questão (1,5 ptos):
Calcular os valores das correntes I1 e I2 e da tensão Vs no circuito abaixo. Considerar Vz = 5,1V e D2 sendo de Si (modelo ideal).
		
5a Questão (2,0 ptos):
Considere um circuito regulador de tensão a zener com tensão de entrada entre 18V e 20V, Rz=120Ω, Vz=12V. Determine os valores da resistência de carga para manter a regulação da tensão de saída, respeitando as especificações do zener, se Izmin=5mA e Izmáx= 50mA.
6a Questão (1,0 ptos - extra):
Para a questão anterior considere que a tensão de entrada (18V-20V) foi obtida por meio uma fonte senoidal 60Hz associada a um retificador de onda completa com filtro capacitivo. Calcule o valor do capacitor.
	
q = 1,60*10-19 C
Boa prova!!!
__MACOSX/2017/._Prova 1_2017.docx
2017/Prova AF 2017.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
A/F ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2017 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. 
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
(a) Determine a resistividade e o fluxo de corrente (I) em uma barra de silício de comprimento 10µm e seção de corte 10 µm por 10 µm, tendo uma densidade de elétrons livres de 1010/cm3 e dopada com uma concentração de átomos aceitadores igual a 1016/cm3, com 0,5V aplicado de ponta a ponta. Use µn=1110 cm2/Vs e µp=400cm2/Vs (0,5 pto)
 (b) Explique o funcionamento do TBJ canal N na região ativa de operação (0,5 pto).
2a Questão (2,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo ideal dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor e considere VDZ = 7V.
		
		
3a Questão (2,0 ptos):
Determine os seguintes parâmetros para o circuito abaixo. Deduza as equações utilizando o modelo da transcondutância (mostrar o circuito ca equivalente na prova).
		IDQ, VGSQ e gm ;
Z0, Av (1,5 pto);
		
4a Questão (1,5 ptos):
Calcular os valores das correntes I1 e I2 e da tensão Vs no circuito abaixo. Considerar Vz = 10V e D2 sendo de Ge (modelo simplificado).
		
		
		4a Questão (1,5 ptos):
Obter a equação de V0 (entre as saídas dos aos) e traçar a forma de onda. (1,5 ptos)
		
5a Questão (2,0 ptos):
Traçar V0 e Vpwm considerando Vi a 500 Hz, Vref a 100 Hz e Vo (t=0)= 1V.
		
		
		
		
		
		q = 1,60*10-19 C
Boa prova!!!
_1299751285.doc
VIN
V1
V2
_1336303056.doc
1V
-1V
V1
V0
t
t
_1434003275.unknown
_1303197391.doc
_1214807796.doc
1V
-1V
Vi
Vref, V0
Vpwm
-1V
1V
_1215352639.doc
�
_1178533712.unknown
_1178534183.unknown
__MACOSX/2017/._Prova AF 2017.doc
2017/Prova Sub 2017.doc
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ - DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
PROVA SUB ELETRÔNICA ANALÓGICA / 2017 - Professor: Demercil De Souza Oliveira Jr. 
Aluno:								Matricula:
1a Questão (1,0 pto):
(a) Determine a resistividade e o fluxo de corrente (I) em uma barra de silício de comprimento 10µm e seção de corte 10 µm por 10 µm, tendo uma densidade de elétrons livres de 1010/cm3 e dopada com uma concentração de átomos aceitadores igual a 1016/cm3, com 0,25V aplicado de ponta a ponta. Use µn=1110 cm2/Vs e µp=400cm2/Vs (0,5 pto)
 (b) Explique, em termos de níveis de energia, as diferenças de resistividade entre os materiais condutores, semicondutores e isolantes (0,5 pto).
2a Questão (2,0 ptos):
Trace as formas de onda indicadas abaixo, considerando-se o modelo simplificado dos diodos. Indique os valores das tensões de entrada e saída nos pontos de máximo, mínimo e de transição do circuito. Despreze a ondulação de tensão no capacitor e considere VDZ = 10V.
		
		
3a Questão (2,0 ptos):
Determine os seguintes parâmetros para o circuito abaixo. Deduza as equações utilizando o modelo da transcondutância (mostrar o circuito ca equivalente na prova). Considere que IDQ=1,3mA e VGSQ=-2,86V e que impedância rd=1/25u.
		Zi, Z0, Av (1,5 pto);
Determine v0 se uma fonte vi=10sen(wt), for utilizada e uma carga RL=1k for conectada na saída. (0,5 pto)
		
4a Questão (1,5 ptos):
Calcular os valores das correntes I1 e I2 e da tensão Vs no circuito abaixo. Considerar Vz = 5,1V e D2 sendo de Ge (modelo simplificado).
		
		
		4a Questão (1,5 ptos):
Obter a equação de V0 (entre