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13/06/2015 BDQ Prova http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_ead_ens_preview.asp?cript_hist=1720744662 1/2 ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Simulado: CCE0446_SM_201001331222 V.1 Fechar Aluno(a): FABIO FERREIRA GOMES Matrícula: 201001331222 Desempenho: 0,5 de 0,5 Data: 19/05/2015 12:59:35 (Finalizada) 1a Questão (Ref.: 201001507345) Pontos: 0,1 / 0,1 A formação de camadas em um diodo de potência consiste de uma camada tipo N com alta dopagem (N+, chamada substrato), logo acima desta, vem outra camada também tipo N com dopagem mais leve (N) e espessura especificada. Dessa forma é obtida a junção PN, formada pela difusão de uma camada tipo P com alta dopagem (P+) que forma o anodo do diodo. O tamanho destas camadas variará de acordo com a corrente e tensão nominais do diodo. Em relação a camada N estão corretas as afirmativas abaixo EXCETO: A camada N é um tanto larga para altas tensões reversas, e estabelece a tensão reversa máxima suportada pelo diodo. A camada N é longa e relativamente com baixa dopagem, por isso tenderia a apresentar uma alta resistência ôhmica quando o diodo estivesse sendo diretamente polarizado, se não fosse a quantidade de portadores injetados nesta região devido à polarização direta. A camada N, geralmente chamada de região de arrasto, é a característica não encontrada nos diodos comuns de sinal. Sua função é absorver a camada de depleção da junção P+N quando o cristal é reversamente polarizado. Em diodos de pequena potência, a queda de tensão durante a condução é considerada como constante sendo da ordem de 0,7 V a 1,0 V. Para diodos de potência, esta estimativa não seria bem verdadeira, pois se estaria desprezando a queda ôhmica'naregiãodearras→(N ),esãoestasperdasquelimitamapotênciadodiod⊙ O valor da resistência ôhmica na região de arrasto (N) no estado de condução é bem maior que o esperado, tomando por base a geometria do diodo, devido à grande quantidade de portadores injetados nesta região. 2a Questão (Ref.: 201001507244) Pontos: 0,1 / 0,1 Os inversores de tensão são conversores estáticos destinados a controlar o fluxo de corrente entre uma fonte de tensão de corrente continua e uma carga em corrente alternada. Suas principais aplicações são indicadas a seguir EXCETO: Acionamento de máquinas elétricas de corrente alternada. Fontes chaveadas Sistemas de alimentação ininterrupta, em tensão alternada a partir de uma bateria. Aquecimento indutivo. Amplificador de potência na transmissão de rádio freqüência na faixa de microondas. 3a Questão (Ref.: 201001507462) Pontos: 0,1 / 0,1 Na retificação de uma tensão de corrente alternada é possível gerar dois tipos de onda na saída de um retificador. Uma chamase meia onda e a outra chamase onda completa. Qual das afirmativas a seguir expressa corretamente a onda obtida com a lista de componentes especificada a seguir? Lista: Um transformador 110V/12V sem 'center tape' ou tomada central; um diodo semicondutor do tipo 1N4007; um resistor de 500 ohms; 1 metro de fio paralelo preto 12AWG; 1 metro de fio paralelo vermelho e preto 16 AWG. Utilizando o diodo em um dos contatos do secundário do transformador e o resistor no outro contato do secundário desse transformador vamos obter uma retificação de meia onda desde que tenhamos uma tensão de 110V no primário desse transformador. Utilizando dois pedaços dos fios paralelos do tipo vermelho e preto descrito, na saída do transformador, poderemos ter uma corrente retificada de meia onda em cada fio, formando uma onda completa. Utilizando os dois contatos de saída do secundário do transformador ligados simultaneamente no diodo, obtemos a retificação de onda completa. Utilizando o diodo em paralelo com o resistor obtemos um retificador de onda completa. Utilizando apenas o resistor e dispensando o uso do diodo obtemos a retificação de meia onda. 13/06/2015 BDQ Prova http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_ead_ens_preview.asp?cript_hist=1720744662 2/2 4a Questão (Ref.: 201001507622) Pontos: 0,1 / 0,1 O GTO (Gate Turn Off), desligamento pelo gate',éumcompo≠ntedae≤trônicadepotênciaondeseucorteacontecepeloGATE,enquan→→dosTiris→resentramemcorte(desliga)quandosuacorrentecaianíveismaisbaixosdoquedacorrentedemaνtençã⊙Issorequer∘ui→sdedesligamen→parafazeressaoperaçã⊙Aseguirsãoapresentadasalgumasdasvanta Melhor capacidade eficaz aos equipamentos de potencia como conversor. Desliga em tempo maior onde ocorrerá uma freqüência menor no chaveamento. Diminui ruídos eletromagnéticos e acústicos por não possuir deformação de comutação. Os chamados circuitos amaciadores tem como função eliminar os problemas que podem acontecer devido ao excesso dos valores de dv/dt e di/dt. Elimina componentes de chaveamentos forçados, onde barateia o produto e contem menor peso e menos volume. 5a Questão (Ref.: 201001507291) Pontos: 0,1 / 0,1 O ponto de partida para o estudo dos semicondutores é o cristal de silício de quatro valências em uma pureza na qual, dentre 10E90 átomos de silício, há apenas um átomo estranho presente no cristal. Na formação do cristal, todos os quatro elétrons de valência de cada átomo são usados para manter as ligações dentro da cadeia. Em relação a esse tipo de semicondutor estão certas as afirmativas abaixo, EXCETO a alternativa: Os átomos sem elétrons carregados positivamente, podem capturar novos elétrons e são chamados de lacunas quando nesta condição. Em baixas temperaturas, o cristal comportase como um isolante. Os átomos aos quais os elétrons pertenciam ficam carregados positivamente devido à saída do elétron. Quando o cristal está sujeito a um campo elétrico, os elétrons e lacunas movemse no cristal na mesma direção e sentido. Em altas temperaturas, os elétrons de valência, como resultado do aumento de energia, podem temporariamente deixar suas posições no átomo e se mover como elétrons livres.
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