MATERIAS ELÉTRICOS ESTACIO

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 MATERIAIS ELÉTRICOS 3a aula
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Exercício: CCE0252_EX_A3_201707267677_V2 15/11/2019
Aluno(a): FABIO HERPIS XIMENES 2019.2
Disciplina: CCE0252 - MATERIAIS ELÉTRICOS 201707267677
 
 1a Questão
A grande maioria dos metais são materiais cristalinos, ou seja, possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede
tridimensional que se repete através de seu volume. Quando submetemos este tipo de material a um campo elétrico, os elétrons
livres iniciam movimento orientado pela força elétrica que os compele. Baseado nestas informações, como denomina-se a
velocidade desenvolvida essas partículas.
 Velocidade hiperstática.
Velocidade elétrica.
Velocidade quântica.
 velocidade de deslocamento.
Velocidade de arraste.
Respondido em 15/11/2019 11:36:39
 
 
 2a Questão
A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se
apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a
expressão r=r0+aT, onde r0 e a ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
 Círculo.
 Reta.
Elipse.
Parábola.
Hipérbole.
Respondido em 15/11/2019 11:36:41
 
 
 3a Questão
Do ponto de vista tecnológico, a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para a evolução da
eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o Ouro e o Cobre, devido às
precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro
metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and
Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
 A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
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 A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do tipo-p.
Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou portadores de carga
positivas.
Respondido em 15/11/2019 11:36:44
 
 
 4a Questão
Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a
miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica.
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar:
 Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo de condução de carga
no interior de um condutor tipo-p.
 A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas
dopagem.
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente nas junções P-N.
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores extrínsecos.
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o
semicondutor for intrínseco, ou seja, puro.
Respondido em 15/11/2019 11:36:46
Gabarito
 Coment.
 
 
 5a Questão
A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados com elementos
como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem seus limites; partes dos
semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo que deveria apresentar maior
resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que a incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de
maior miniaturização.
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
 A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o
semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas.
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos de Silício
Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor submetido a uma diferença de
potencial é próxima a velocidade da luz.
 O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um semicondutor
extrínseco.
Respondido em 15/11/2019 11:36:48
Gabarito
 Coment.
 
 
 6a Questão
Além da forma vibracional que se propaga através da rede cristalina interligada, o calor pode também se manifestar através da vibração de elétrons.
Isto ocorre, contudo, somente em relação aos elétrons livres e não relação aos eletros da banda de valência, uma vez que estes últimos encontram-
se fortemente ligados aos átomos. Esta vibração dos elétrons (também é uma forma calor) contribui de maneira menos significativa para o aumento
da capacidade térmica, mas pode alterar a corrente elétrica produzida por uma diferença de potencial, tornando a condução mais difícil.
Com relação a produção de calor, selecione a opção correta:
 A utilização de alumínio puro e sem impurezas na fabricação de um resistor aumenta a dissipação de calor, se comparado
com um resistor de alumínio altamente encruado (deformado)
A presença de impurezas em um material colabora para a diminuição da resistência a passagem de corrente elétrica e,
portanto, colabora negativamente a produção de calor.
A vibração da rede cristalina que compõe um material é essencial para a resistência a passagem de elétrons e a
conseqüente produção de calor, principalmente a baixas temperaturas.
 A presença de defeitos na rede atômica que compõe o material colabora para a produção de calor.
Deve-se adotar para compor o resistor de um chuveiro um material que não tenha sofrido qualquer tipo de deformação
mecânica.
Respondido em 15/11/2019 11:36:52
Gabarito
 Coment.
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 7a Questão
A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão r=r0+aT,
onde r0 e a ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma r=r0+ bT+aT2 , onde r0 , b
e a são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso
citado.
 Parábola.
Reta.
Hipérbole.
Elipse.
Círculo.
Respondido em 15/11/2019 11:36:54
 
 
 8a Questão
Semicondutores de Silício do tipo-p são obtidos a partir da inserção de átomos de Alumínio, Al, na rede cristalina do Silício; a este processo
chamamos de dopagem. Como o Alumínio possui valência igual a 3, Al+3, diz-se que esta inserção promove o surgimento de buracos. Baseado
nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Alumínio no processo de dopagem.
 As+5
O-2
 B+3
Na+
Ba+2
Respondido em 15/11/2019 11:36:56
Gabarito
 Coment.