Tiristores: Dispositivos Eletrônicos

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Tiristores: são dispositivos eletrônicos que possuem 4 camadas semicondutoras.
Métodos de Disparo:
Disparo por pulso no gate: consiste em aplicar um pulso de corrente momentâneo no terminal de disparo (gate) do tiristor, levando – o à condução. 
Usado para disparar: SCR, TRIAC, GTO e SCS
Disparo por sobre tensão: consiste em aplicar uma tensão de anodo para cátodo maior que Vbo (que é o valor de tensão de condução quando não tem pulso no gate). Assim, o tiristor conduz sem precisar do pulso no gate.
Usado para disparar: DIAC, SHOCKLEY, SUS e SBS.
Disparo por variação rápida de tensão: é quando ocorre uma variação de tensão num curto espaço de tempo devido a presença de um capacitor no circuito. Método Indesejável.
Para evitar esse disparo, coloca – se em paralelo com o tiristor um circuito RC, chamado Snubber.
Disparo por aumento da temperatura: a elevação da temperatura nas junções do tiristor provoca o aumento das correntes de fuga, podendo levar o tiristor à condução. Método Indesejável. 
Para evitar isso, deve – se usar dissipadores nos tiristores.
Disparo por luz: a incidência de luz nas junções do tiristor provoca o aumento das correntes de fuga, podendo levar o tiristor à condução.
Usado para disparar: LASCR e LASCS (lembrar que esse L é de Light).
Métodos de Bloqueio/Comutação:
Comutação natural: consiste em reduzir a corrente de anodo (Ia) abaixo da corrente de manutenção (Ih – corrente mínima necessária para o funcionamento do tiristor).
Comutação por polarização reversa: consiste em aplicar uma tensão negativa do anodo para o catodo do tiristor.
Comutação por pulso no gate: consiste em aplicar um pulso de corrente no gate, com amplitude e duração suficiente para bloquea – lo.
Usado para bloquear GTO e SCS
SCR – Retificador Controlado por Silício
Funcionamento: Após pulso positivo no gate, funciona como diodo, ou seja, só conduz a parte positiva da onda. Em uma onda alternada, o semiciclo positivo depois de um negativo, vai precisar de um pulso no gate.
Também é disparado por sobre tensão.
É bloqueado por comutação natural e polarização reversa. 
Tem tensão de ruptura reversa, que, se atingido, pode queimar o SCR.
GTO – Gate Turn Off (desligar pelo gate)
Funcionamento idêntico ao SCR, com a vantagem de ser desligado pelo gate também. Para isso, é preciso ter um pulso negativo com amplitude maior (>>) que o pulso inicial (positivo).
Desvantagens: baixa potência e Ig(off) >> Ig(on)
TRIAC – (Diodo de corrente alternada com 3 terminais)
É um tiristor que conduz nos dois sentidos após aplicação de um pulso (+ ou -) no terminal de disparo.
Funcionamento: Se o circuito de disparo, por exemplo, disparar em 30°, esse pulso vai ser tanto no semiciclo positivo quanto no negativo e o TRIAC vai conduzir no dois sentidos.
Disparado por pulso no gate e bloqueado por comutação natural.
 SCS – Chave Controlada de Silício
 É um tiristor de quatro terminais, sendo dois para disparo/bloqueio.
 Funcionamento: 
GA (é o gate que já conhecemos): quando tiver um pulso positivo nele, o SCS conduz. Quando tiver um pulso negativo nele, o SCS para de conduzir.
GK (é o oposto do GA): quando tiver um pulso negativo nele, o SCS conduz. Quando tiver um pulso positivo nele, o SCS para de conduzir.
Os próximos tiristores são usados para disparar os tiristores de potência (SCR, TRIAC, GTO e SCS): 
Diodo SCHOKLEY – é um diodo de 4 camadas, ou seja, por ser um diodo só conduz no semiciclo positivo.
Disparado por sobre tensão.
Bloqueado por comutação natural e polarização reversa.
Tem também Vz – tensão de ruptura reversa, que, se ultrapassada, queima o dispositivo.
Usado para disparar SCR e SCS.
SUS – Chave Unilateral de Silício
É um CI de funcionamento semelhante ao SCHOKLEY, tendo tensão de disparo (VBO) ajustável externamente através de um zener colocado no gate (VBO = Vzener)
Disparado por sobre tensão ajustável
Bloqueado por comutação natural.
Tem também Vz – tensão de ruptura reversa, que, se ultrapassada, queima o dispositivo.
Usado para disparar SCR e SCS.
DIAC – Diodo de corrente alternada
É um diodo que conduz nos dois sentidos.
Disparado por sobre tensão.
Bloqueado por comutação natural.
Usado para disparar TRIAC e GTO.
SBS – Chave Bilateral de Silício
É um CI de funcionamento semelhante ao DIAC, tendo tensão de disparo (VBO) ajustável externamente através de um zener colocado no gate (VBO = Vzener).
Disparado por sobre tensão.
Bloqueado por comutação natural.
Usado para disparar TRIAC e GTO.
Desvantagem: Vsbs < Vdiac
Pontos Importantes: 
	Quando o pulso ocorre a 30°, o valor é a metade do Vpico (sen30° =)
 Quando o pulso ocorre a 45°, o valor é 70,7 do Vpico (sen45° =)