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Eletronica Basica Laboratorio UNIP

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Engenharia Elétrica 
Laboratório de Eletrônica Básica 
Ex01 - 1 
 
 
Experiência 01 – Diodos 
 
1 OBJETIVO 
• Familiarizar-se com a equação e curva característica I-V do diodo. 
• Determinar os modelos aproximados do diodo usando os resultados experimentais 
• Determinar o ponto quiescente através da reta de carga. 
 
2 RESUMO TEÓRICO 
3.1 Curva Característica do Diodo 
A relação entre a tensão e a corrente no sentido direto em um diodo pode ser dada pela eq. 1: 
 T
F
T
F
V
V
S
V
V
SF eIeII
ηη
⋅≈








−= 1 (1) 
Onde: 
IF é a corrente direta no diodo 
IS é a corrente de saturação reversa 
VF é a tensão direta no diodo 
q
kTVT = onde k é a constante de Boltzmann (1,38·10
-23
 joules/kelvin); q é a carga do elétron 
(1,6·10
-19
 Coulomb); T é a temperatura absoluta (Tkelvin = Tcelcius +273) 
VT = 26 mV para T = 300 K 
η = constante de não-idealidade do diodo ou coeficiente de emissão ( 1 ≤ η ≤ 2) 
 
3.2 Modelos de diodo 
Devido ao fato do diodo ser um dispositivo que possui uma relação I-V não linear (Fig. 1), a 
análise de circuitos com diodos torna-se complexa caso não sejam utilizados modelos simplificados. 
As figuras seguintes mostram os modelos utilizados na análise de circuitos com diodos. 
 
 
Data: ____/____/____ Bancada: ________ 
Nome: ________________________________ Nome: ________________________________ 
Nome: ________________________________ Nome: ________________________________ 
 
Engenharia Elétrica 
Laboratório de Eletrônica Básica 
Ex01 - 2 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 1 – Curva característica do diodo 
 
 
a) Modelo Ideal. 
A figura 2 mostra a curva característica do diodo do modelo simplificado denominado “modelo 
ideal”, também conhecido como modelo de 1ª aproximação. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 2 – Modelo ideal ou modelo de 1ª aproximação. 
 
 
 
b) Modelo da queda de tensão constante 
A figura 3 a seguir mostra a curva característica aproximada do diodo (Fig 3a) e o circuito 
equivalente (Fig. 3b) do modelo simplificado denominado “modelo da queda de tensão 
constante”, também conhecido como modelo de 2ª aproximação, onde VD é usualmente 0,7 V 
para diodos de silício e 0,3 V para diodos de germânio. 
 
Engenharia Elétrica 
Laboratório de Eletrônica Básica 
Ex01 - 3 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 3 – Modelo simplificado da queda de tensão constante ou modelo de 2ª aproximação. 
 
c) Modelo de segmentos lineares 
A figura 4 abaixo mostra a curva característica aproximada do diodo (Fig 4a) e o circuito 
equivalente (Fig. 4b) do modelo simplificado denominado “modelo de segmentos lineares”, 
também conhecido como modelo de 3ª aproximação, onde VD0 e a inclinação 1/rD devem ser 
escolhidos de forma tal que os segmentos se ajustem melhor a curva real. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 4 – Modelo simplificado de segmentos lineares ou modelo de 3ª aproximação 
 
3 PARTE PRÁTICA 
3.1 Equipamentos 
a) Fonte de Alimentação 0-20 V 
b) Multímetro Digital 
c) ProtoBoard 
d) Resistores de ¼ W de 220Ω e 470Ω 
Engenharia Elétrica 
Laboratório de Eletrônica Básica 
Ex01 - 4 
e) Diodo de silício 1N914 ou 1N4148 
f) Diodo de germânio OA91 
 
3.2 Determinação da Curva Característica dos Diodos 
a) Utilizando-se do diodo de silício 1N4148 e um resistor R de 220 Ω, execute a montagem 
conforme a Figura 5. 
 
 
 
 
Figura 5 – Circuito utilizado 
b) Ajuste a fonte de tensão contínua para zero volt e só depois conecte ao circuito como sendo a 
fonte de tensão de entrada (Fig. 5). 
c) Varie a tensão de entrada (VDD) e meça a tensão (VD) e corrente no diodo (ID) preenchendo 
a tabela abaixo. Meça valores suficientes para construir o gráfico que mostra a característica 
I-V do diodo. Atenção: Tomar cuidado para não ultrapassar o limite de corrente do 
diodo (Idmax) 1N4148 de 200mA. 
 
 
d) Utilizando-se do diodo de germânio OA91 e um resistor R de 470 Ω, execute a montagem 
conforme a Figura 5. 
e) Ajuste a fonte de tensão contínua para zero volt e só depois conecte ao circuito como sendo a 
fonte de tensão de entrada (Fig. 5). 
f) Varie a tensão de entrada (VDD) e meça a tensão (VD) e corrente no diodo (ID) preenchendo 
a tabela abaixo. Meça valores suficientes para construir o gráfico que mostra a característica 
VDD 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 
ID 
VD 
VDD 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 4,0 5,0 6,0 8,0 10,0 
ID 
VD 
Engenharia Elétrica 
Laboratório de Eletrônica Básica 
Ex01 - 5 
I-V do diodo. Atenção: Tomar cuidado para não ultrapassar o limite de corrente do 
diodo (Idmax) OA91 de 50mA. 
 
 
 
3.3 Determinação da reta de carga e ponto quiescente do diodo 
a) Monte o circuito da figura 6 utilizando-se do diodo de silício 1N4148, o resistor de 470 Ω. 
 
 
 
 
 
Figura 6 – Circuito utilizado 
 
a) Ajuste a tensão para 12 volts e meça a corrente e a tensão sobre o diodo 
b) Trace a Reta de Carga de 470 Ω na curva obtida para o diodo e determine o ponto quiescente. 
c) Calcule o ponto quiescente do circuito utilizando-se do modelo de 2ª aproximação. 
d) Responda: 
a. Entre o método da Reta de Carga e o cálculo pelo Modelo de 2ª aproximação para a 
determinação do Ponto Quiescente, qual foi o mais preciso? Porque? 
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_____________________________________________________________________________
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_____________________________________________________________________________ 
VDD 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 
ID 
VD 
VDD 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 4,0 5,0 6,0 8,0 10,0 
ID 
VD 
Engenharia Elétrica 
Laboratório de Eletrônica Básica 
Ex01 - 6 
b. Qual foi o erro percentual introduzido pela 2ª aproximação? 
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Gráfico: ID x VD para o diodo de Silício 
 
Engenharia Elétrica 
Laboratório de Eletrônica Básica 
Ex01 - 7Gráfico: ID x VD para o diodo de Germânio 
 
4 CONCLUSÃO 
 
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