ELOB_LAB01_TURMA_EE5P13

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UNIP – UNIVERSIDADE PAULISTA 
 
 
ATIVIDADES DEVIDO SUSPENSÃO DAS AULAS COVID-19 
 
 
ENGENHARIA ELÉTRICA (ELETRÔNICA) 
 
 
 
 
 
 
 
NOME: LEANDRO DIAS DA SILVA 
 
RA: D706BC-9 
 
DSICIPLINA: ELTRÔNICA BASICA – LABORATÓRIO 
 
 
São Paulo 
2020 
 
 
 
 
UNIP – Universidade Paulista 
Campus Marquês 
 
 
 
 
Engenharia Elétrica 
Laboratório Eletrônica Básica 
Levantamento de Curva Característica do Diodo 
 
 
 
 
Lucas Expedito C. de Lima – D82JBJ-4 EE4P13 
Paulo Henrique T. S. Alves – T8793E-9 
 
Leandro Dias da Silva – D706BC – 9 
Paulo Richer da Silva – N235DC-3 EE5P13 
Tarcísio Neves Viana – D70488-5 
 
 
 
 
ÍNDICE 
 
 
1. RELATÓRIOS LABORATÓRIOS – LAB 01 - DIODO 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Profº.: Diogo 
 
São Paulo – SP 
2020 
 
 
 
 
 
Sumário 
1.0 Introdução ........................................................................................................................ 5 
 1.1 Junção PN .................................................................................................................. 5 
1.2 Curva de Operação do Diodo ..................................................................................... 5 
1.3 Reta de Carga ............................................................................................................. 6 
1.4 Simbologia .................................................................................................................. 6 
2.0 Procedimento Experimental ........................................................................................... 7 
3.0 Resultados e Discussões ................................................................................................... 8 
 3.1 Circuito A.................................................................................................................. 8 
 3.2 Circuito B .................................................................................................................. 8 
4.0 Cálculos ............................................................................................................................. 9 
5.0 Conclusão ....................................................................................................................... 10 
6.0 Bibliografia......................................................................................................................11 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5 
 
 
1.0 Introdução 
O Diodo é um componente que pode se comportar como condutor ou isolante elétrico, 
dependendo da forma como a tensão é aplicada aos seus terminais. Essa característica 
permite que o diodo semicondutor possa ser utilizado em diversas aplicações, como por 
exemplo, na transformação de corrente alternada em corrente contínua. 
No mercado pode-se encontrar Diodos de Silício ou Germânio, dependendo da 
aplicação para o projeto. O Diodo de Silício torna-se condutor quando a diferença de 
potencial em seus terminais é superior ou igual a 0,7V, essa a qual é o valor da queda de 
tensão sobre ele. O Diodo de Germânio apresenta um valor de operação de 0,3V. 
Podemos considerar o Diodo como um interruptor que necessita de uma tensão mínima 
para “fechar” seu contato. 
 
 
1.1 Junção PN 
Um diodo semicondutor é formado a partir da junção entre um semicondutor tipo P e 
um semicondutor tipo N. A natureza de uma junção PN é que a corrente elétrica será 
conduzida em apenas uma direção (direção direta) diretamente polarizado e não na 
direção reversa (reversamente polarizado). Este é um dispositivo básico para o conceito 
de retificação na construção de fontes de alimentação DC (corrente contínua). 
 
 
 
 
1.2 Curva de Operação do Diodo (Silício) 
Ao aplicar uma tensão abaixo da tensão de queda, o Diodo não irá conduzir. O 
componente somente passa a conduzir quando a tensão aplicada é maior que a tensão de 
queda do componente. 
 
 
 
6 
 
 
1.3 Reta de Carga 
Reta de carga é um recurso usado para calcular o valor da corrente e da tensão de 
operação do Diodo em determinado circuito. A corrente m um Diodo deve ser 
controlada a fim de se evitar super aquecimento do dispositivo e sua queima. Assim, 
sempre é aconselhável a colocação de um resistor em série. 
 
 
 
 
 
 
 
1.4 Simbologia do Diodo 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
7 
 
2.0 Procedimento experimental 
Foi levantado a curva característica do diodo de duas formas, diretamente e 
inversamente polarizados. Utilizando um circuito composto por um diodo 1N4007 e 
dois resistores com valores de 100Ω e 1kΩ, com o semicondutor ligado de forma 
paralela com o resistor de 100Ω e essa associação estando em série com o resistor de 
1kΩ. 
O primeiro experimento foi realizado com o resistor ligado diretamente polarizado, 
variando a tensão da fonte numa escala de 0 a 20V analisando os valores de tensão e 
corrente em cima do diodo elevando a tensão do gerador em dois volts a cada medição. 
 
 
O segundo experimento foi realizado invertendo a polaridade da fonte, variando sua 
tensão de 0 a 10V, e observando como o diodo se comporta com corrente reversa 
aplicada elevando a tensão do gerador a cada dois volts. 
 
 
R1
100Ohm
R2
1k
B1
20V
+88.8
mA
+88.8
Volts
D1
1N4007
R1
100Ohm
R2
1k
B1
20V
+88.8
mA
+88.8
Volts
D1
1N4007
 
8 
 
3.0 Resultados e Discussões 
 
3.1 Circuito A 
Na primeira montagem, posicionando o diodo no circuito de forma diretamente 
polarizada, foi observado que quando a tensão medida nele (Vd) se aproximou de 0,7V 
teve inicio a passagem de corrente pelo semicondutor. Conforme era elevado a tensão 
na fonte (V1), consequentemente a tensão Vd subia e era perceptível que o valor de 
corrente medida (Id) também aumentava. 
V1(V) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 
Vd(V) 0 0,187 0,367 0,522 0,605 0,643 0,665 0,680 0,692 0,701 0,704 
Id(mA) 0 0 0 0,26 1,36 2,75 4,7 5,9 7,6 9,4 11,3 
 
 
 
3.2 Circuito B 
Na segunda montagem, invertendo a polaridade da fonte, foi observado que a corrente 
medida no diodo (Id) permaneceu zero em todo o experimento. Mesmo havendo tensão 
no nele (Vd) e sendo elevada sempre que a tensão da fonte (V1) era intensificada, o 
semicondutor foi capaz de bloquear a passagem de corrente. 
V1(V) 0 -2 -4 -6 -8 -10 
Vd(V) 0 0,18 0,367 0,547 0,728 0,9 
Id(mA) 0 0 0 0 0 0 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
9 
 
4.0 Cálculos 
Abaixo estão representadas as curvas de cada experimento. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Vd(V) 0 0,187 0,367 0,522 0,605 0,643 0,665 0,68 0,692 0,701 0,704
Id(mA) 0 0 0 0,26 1,36 2,75 4,7 5,9 7,6 9,4 11,3
0
2
4
6
8
10
12
V
1
(V
)
Título do Eixo
Circuito A
Vd(V) Id(mA)
0 -2 -4 -6 -8 -10
Vd(V) 0 0,18 0,367 0,547 0,728 0,9
Id(mA) 0 0 0 0 0 0
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
V
1
(V
)
Circuito B
Vd(V) Id(mA)
 
10 
 
5.0 Conclusão 
A tarefa teve como objetivo observar na prática o comportamento do diodo num 
circuito, inserindo-o em situações possíveis de ser aplicado em circuitos eletrônicos. 
Quando utilizado de forma diretamente polarizado, o diodo mostrou que para ser um 
condutor ele necessita de que seja mantido nele um valor de 0,7V ou como foi visto na 
prática, algo muito próximo disso. No momento que foi testado numa polarização 
inversa, foi percebido que não houve passagem de corrente independente do valor de 
tensão que foi inserido nele. Cabe observar que nessa segunda situação, há um limite de 
tensão especificado de acordo com suas características na qual ele pode ser submetido, 
caso ocorra a aplicação de uma tensão superior a essa especificada ele saturará, podendo 
entrar em curto ou abrir. 
Durante a execução dessa atividade foi possível compreender o funcionamento do 
diodo, e quando analisados os resultados obtidos ao seguir os procedimentosfoi 
comprovado que houve proximidade com o que foi apresentado na teoria em sala de 
aula. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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6.0 Bibliografia 
Livro - Dispositivos Eletrônicos e Teoria dos Circuitos 11ª ed – Boylestad. 
 
Livro - Dispositivos semicondutores: Diodos e transistores 13ª ed. - Angelo Eduardo B. 
Marques, Eduardo Cesar Alves Cruz, Salomão Choueri Junior.