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Eletrônica Analógica 1Eletrônica Analógica 2Eletrônica Analógica Aula 01 – Diodos Semicondutores 3Eletrônica Analógica Semicondutores São materiais que podem apresentar características de isolante ou de condutor. Existem vários tipos de materiais semicondutores, os mais comuns e mais utilizados são o Silício (Si) e o Germânio (Ge). O material semicondutor mais usado é o silício. 4Eletrônica Analógica Semicondutores tipo N: O número de elétrons livres é maior que o número de lacunas, neste semicondutor os elétrons são portadores majoritários e as lacunas são portadoras minoritárias. Como os elétrons livres são cargas elétricas negativas, este semicondutor é chamado tipo N. ( ) ( ) elétrons livres lacunas 5Eletrônica Analógica Semicondutores tipo P: O número de lacunas é maior que o número de elétrons, neste semicondutor as lacunas são portadoras majoritários e os elétrons livres são portadores minoritários. ( ) ( ) elétrons livres lacunas Como as lacunas podem ser consideradas cargas elétricas positivas, este semicondutor é chamado tipo P. 6Eletrônica Analógica Os cristais semicondutores N ou P, por conterem impurezas, são também denominados semicondutores extrínsecos. A técnica de se acrescentar impurezas ao semicondutor para aumentar tanto o número de elétron livres quanto o número de lacunas é chamada de dopagem e, por isso, a impureza também é chamada de dopante. 7Eletrônica Analógica Diodo Semicondutor O diodo semicondutor é um componente que apresenta a característica de se comportar como um condutor ou como um isolante elétrico dependendo da forma como a tensão seja aplicada a seus terminais. Uma das aplicações do diodo é na transformação da corrente alternada em corrente contínua. 8Eletrônica Analógica Junção PN (Diodo): O diodo se constitui na junção de duas pastilhas de material semicondutor: uma de cristal do tipo P e outra de cristal do tipo N. Tipo P Tipo N (Calor) (Junção PN) Zona de fusãoP N P N N P 9Eletrônica Analógica ✓ Na região da junção alguns elétrons livres saem do material N e passam para o material P, recombinando-se com as lacunas das proximidades. ✓ O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para o material N e se recombinam com os elétrons livres. Forma-se na junção uma região onde não existem portadores de carga, porque estão todos recombinados, neutralizando-se. Esta região é denominada de região de depleção, e verifica- se que nela existe uma diferença de potencial proporcionada pelo deslocamento dos portadores de um cristal para o outro. 10Eletrônica Analógica A camada de depleção: P N Vd Essa barreira de potencial é da ordem de 0,7 V para diodos de silício e de 0,3 V para os diodos de germânio. 11Eletrônica Analógica Representação de um diodo semicondutor: P N = P N Anodo (A) Catodo (K) A identificação dos terminais (anodo e catodo) no componente real pode aparecer de duas formas: Símbolo impresso sobre o corpo do componente: Uma barra impressa sobre o corpo do componente, que indica o catodo: catodo anodo 12Eletrônica Analógica Tensão sobre o Diodo A tensão sobre o diodo estabelece a forma como o componente se comporta eletricamente. A tensão pode ser aplicada ao diodo de duas formas diferentes: ➔ Polarização Direta; ➔ Polarização Reversa. 13Eletrônica Analógica ❑ Polarização Direta A polarização do diodo é denominada de polarização direta quando o potencial positivo da fonte é ligado no lado P e o potencial negativo no lado N. E P N E Quando um diodo está polarizado diretamente, entra em condução, permitindo a passagem da corrente elétrica. Dizemos que o diodo está em condução ou saturado. 14Eletrônica Analógica * A seta do símbolo do diodo indica o sentido de circulação convencional da corrente. 15Eletrônica Analógica A polarização reversa de um diodo consiste na aplicação de tensão positiva no material N e negativa no material P. ❑ Polarização Reversa Quando o diodo está polarizado reversamente, dizemos que o diodo está em bloqueio ou cortado. E P N E 16Eletrônica Analógica A Curva do Diodo Ruptura (breakdown) Região Reversa Região Direta Corrente de Fuga Tensão de Joelho 0,5 V 0,7 V v i v i Vال V0,3 =ال V – germânio V0,7 =ال V – silício Um diodo é um dispositivo não linear. Abaixo de 0,7 V, o diodo tem apenas uma corrente muito pequena. Logo após 0,7 V, a corrente aumenta rapidamente. 17Eletrônica Analógica Essa ação é muito diferente de um resistor comum, na qual a corrente aumenta, na proporção direta com a tensão. A razão do diodo ser diferente é que ele tem uma barreira de potencial produzida por camada de depleção. 18Eletrônica Analógica a) Tensão de joelho: Ruptura (breakdown) Região Reversa Região Direta Corrente de Fuga Tensão de Joelho 0,5 V 0,7 V v i v i Vال V0,3 =ال V – germânio V0,7 =ال V – silício O valor de tensão na qual a corrente começa a aumentar rapidamente é chamado tensão de joelho do diodo. Para um diodo de silício, a tensão de joelho é igual à barreira de potencial 0,7 V. Um diodo de germânio uma tensão de joelho é igual a 0,3 V. 19Eletrônica Analógica b) Corrente de fuga: Ruptura (breakdown) Região Reversa Região Direta Corrente de Fuga Tensão de Joelho 0,5 V 0,7 V v i v i Vال V0,3 =ال V – germânio V0,7 =ال V – silício É uma pequena corrente que circula pelo diodo polarizado reversamente, ela existe devido as impurezas na superfície e pelas imperfeições na estrutura do cristal. 20Eletrônica Analógica c) Ruptura: Ruptura (breakdown) Região Reversa Região Direta Corrente de Fuga Tensão de Joelho 0,5 V 0,7 V v i v i Vال V0,3 =ال V – germânio V0,7 =ال V – silício Os diodos têm tensões nominais máximas. Existe um limite do valor de tensão reversa que um diodo pode suportar antes de ser destruído. 21Eletrônica Analógica • A tensão de ruptura de um diodo depende do nível de dopagem. Com os diodos retificadores (o tipo mais comum), a tensão de ruptura é geralmente maior que 50 V. Quando usamos um diodo retificador, não devemos exceder sua tensão de ruptura. 22Eletrônica Analógica d) Efeito Avalanche: O efeito avalanche acontece quando o diodo é polarizado inversamente, circulando no diodo uma corrente muito pequena denominada corrente de fuga. Esse campo pode acelerar suficientemente os elétrons livres, fazendo com que eles adquiram bastante energia, provocando choques capazes de romper ligações covalentes (são ligações químicas em que há o compartilhamento de um ou mais pares de elétrons entre os átomos). 23Eletrônica Analógica e) Resistência de Corpo: Acima da tensão de joelho, a corrente no diodo aumenta rapidamente. Isso significa que pequenos aumentos na tensão do diodo implica grande aumentos na corrente do diodo. A razão é que, uma vez vencida a barreira de potencial, tudo o que impede a corrente é a resistência das regiões P e N. A soma dessas resistências é chamada resistência de corpo do diodo. rb = rP+ rN 24Eletrônica Analógica I – Máxima corrente cc Direta: Se a corrente num diodo for muito alta, uma temperatura excessiva irá destruí-lo. Mesmo se aproximarmos do valor da queima, sem, contudo atingi-lo, ele pode encurtar a vida do diodo e degradar suas propriedades. Por essa razão, as folhas de dados (datasheets) dos fabricantes especificam a corrente máxima na qual um diodo pode funcionar com segurança sem diminuir sua vida ou degradar suas características. 25Eletrônica Analógica II – Resistor de Limitação de Corrente: O resistor é chamado resistor de limitação de corrente. Quando maior o valor dessa resistência, menos a corrente no diodo. A resistência de limitação da corrente deve garantir que a corrente no diodo seja menos que o valor nominal máximo R VS VDD VR I26Eletrônica Analógica Da 2ª Lei de Kirchhoff (lei das tensões), temos: VS = VR + VD A corrente no diodo é dada por: I VS - VD= R 1ª Lei de Ohm Onde: Vs→ é a tensão da fonte; VD→ é a tensão no diodo. R VS VDD VR I 27Eletrônica Analógica III – Dissipação Máxima de Potência: Como um resistor, um diodo tem sua potencia nominal. Quando a corrente no diodo é direta, o produto da tensão pela corrente é igual à potencia dissipada pelo diodo. PD = VD . ID 28Eletrônica Analógica Modelos de Diodos ou (Aproximação de Diodos): Idealmente, o diodo é um dispositivo que bloqueia toda a passagem de corrente num sentido e permite a passagem no outro. a) Modelo 1 – Diodo Ideal ID VD Curva do diodo ideal 29Eletrônica Analógica Um diodo ideal funciona como uma chave que fecha quando diretamente polarizada e abre quando reversamente polarizada. A K ID Polarização Direta A K Polarização Reversa 30Eletrônica Analógica b) Modelo 2 – Diodo com Vال Este modelo considera o diodo comportando-se como um condutor em seria com uma bateria de valor Vال na polarização direta, e como um circuito aberto na polarização reversa. ID VD Vال curva do diodo – Modelo 2 (diodo com Vال) 31Eletrônica Analógica A K ID Polarização Direta Vال A K Polarização Reversa 32Eletrônica Analógica c) Modelo 3 – Diodo com Vال e RD ou (Modelo Linear) No modelo 3, incluímos a resistência de corpo rB . Após o diodo entrar em condução, a tensão aumenta linear ou proporcionalmente com o aumento da corrente. Quanto maior a corrente, maior a tensão, porque a queda IR em rB aumenta para a tensão total do diodo 33Eletrônica Analógica ID VD Vال Curva do diodo para o modelo 3 A K ID Polarização Direta Vال VD = Vال + RD . ID A K ID Polarização Direta Vال VD = Vال + RD . ID 34Eletrônica Analógica O circuito equivalente para o modelo 3, é a uma chave em série com uma barreira de potencial de 0,7(V) e uma resistência rB . Quando a tensão aplicada for maior que 0,7(V), o diodo conduz. A tensão total no diodo é igual a: VD = 0,7 + RD . ID 35Eletrônica Analógica A Escolha do Modelo ou (A Escolha da Aproximação): Na verificação de defeito (manutenção) ou uma análise preliminar, os erros são sempre aceitáveis. Por outro lado, se o seu circuito usa resistores de precisão (com tolerância de 1%), você deve usar o modelo 3. Na maioria dos casos, o modelo 2 é a melhor escolha. 36Eletrônica Analógica Exemplos: a) Circuito 1: Para o circuito abaixo, determine a corrente ID utilizando os três modelos. 50 V VDD VR Características do Diodo: V0,7 = ال V RD = 10 Ω 300 Ω ID 37Eletrônica Analógica Modelo 1 – Diodo Ideal 50 V VD 300 Ω ID ID = 50 300 = 167 mA Modelo 2 – Diodo com Vال 50 V VD 300 Ω ID 0,7 V ID = 50 – 0,7 300 = 164 mA 38Eletrônica Analógica Modelo 3 – Diodo com Vال e RD Neste caso, percebemos que as diferenças entre os resultados obtidos são pequenas em relação à ordem de grandeza da corrente no diodo e, portanto, qualquer modelo pode ser adotado, dependendo apenas da precisão desejada. ID = 50 – 0,7 300 + 10 = 159 mA 50 V VD 300 Ω ID 0,7 V 10 Ω 39Eletrônica Analógica b) Circuito 2: 5 V VDD VR Características do Diodo: V0,7 = ال V RD = 10 Ω 50 Ω ID Para o circuito abaixo, determine a corrente ID utilizando os três modelos. 40Eletrônica Analógica Modelo 1 – Diodo Ideal 5(V) VD 50(Ω) ID ID = 5 50 =100(mA) Modelo 2 – Diodo com Vال 5(V) VD 50(Ω) ID 0,7(V) ID = 5 – 0,7 50 = 86(mA) 41Eletrônica Analógica Modelo 3 – Diodo com Vال e RD ID = 5 – 0,7 50 + 10 = 71,7(mA) 5(V) VD 50(Ω) ID 0,7(V) 10(Ω) Neste caso, percebemos que as diferenças entre os resultados obtidos são quase da mesma ordem de grandeza da corrente no diodo e, portanto, o modelo 3 deve ser o preferido, pois a corrente resultante certamente é muito próxima do valor real. 42Eletrônica Analógica Reta de Carga Reta de Carga Ponto Quiescente(Q) Curva Característica do Diodo Corrente de Saturação Tensão de Corte VS R ID ID VSVD VD 0 Vال Denomina-se ponto de trabalho ou ponto quiescente (Q) do diodo os valores de tensão VD e a corrente ID aos quais ele está submetido no circuito. 43Eletrônica Analógica Principais Especificações do Diodo Semicondutor 1) Como a junção PN possui uma barreira de potencial natural Vال,na polarização direta só existe corrente elétrica se a tensão aplicada ao diodo VD for: 2) Na polarização direta, existe uma corrente máxima que o diodo pode conduzir ( IDM ou IFM) e uma potência máxima de dissipação ( PDM ou PFM), cuja relação é: VD ≥ Vال PDM = VD . IDM 44Eletrônica Analógica 3) Na polarização reversa, existe uma tensão reversa máxima que pode ser aplicada ao diodo chamada tensão de ruptura ou breakdown voltage (VBr). 4) Na polarização reversa, existe uma corrente muito pequena denominada corrente reversa (IR). 45Eletrônica Analógica Interpretação da Folha de Dados (Data Sheet) Como exemplo, utilizaremos o diodo 1N4001(diodo retificador). A folha de dados apresentará a série 1N40XX, ou seja, dos diodos de 1N4001 até 1N4007, sete diodos que têm as mesmas características diretas, mas diferentes características reversas. 46Eletrônica Analógica a) A tensão de Ruptura Tensão de Pico Inverso Repetitivo Tensão de Pico Inverso de Trabalho Tensão de Bloqueio CC Símbolo 1N4001 VRRM VRWM VR 50 V 50 V 50 V Esses três símbolos de ruptura diferentes especificam a ruptura sobre certas condições de operação, é necessário saber que a tensão de ruptura para esse diodo é de 50 V, não importa como o diodo está sendo usado. 47Eletrônica Analógica b) A Corrente Máxima Direta Essas informações revelam que o 1N4001 pode funcionar com 1 A no sentido direto quando usado como retificador. O tempo de vida de um dispositivo diminui com valores próximos dos nominais. Símbolo 1N4001 IO 1 ACorrente Direta Retificada Média (carga resistiva, monofásica, 60 Hz, TA = 75ºC 48Eletrônica Analógica c) Queda de Tensão Direta Essas medições são feitas com um sinal CA (corrente alternada), que explica o aparecimento do termo instantâneo na especificação. O diodo 1N4001 típico tem uma queda de tensão direta de 0,93 V quando a corrente for de 1 A e a temperatura na junção for de 25 ºC. Queda de Tensão Direta Máxima Instantânea iF = 1,0 A, TJ = 25ºC Características e Condições Símbolo Valor Típico Valor Máximo 0,93 V 1,1 VvF 49Eletrônica Analógica d) A Corrente Reversa Máxima Essa é a corrente reversa com uma tensão CC (corrente contínua) nominal (50 V para um diodo 1N4001). A 25 ºC, o 1N4001 típico tem uma corrente reversa de 0,05 µA, mas ela aumenta para 1,0 µA a 100 ºC. No pior caso, a corrente reversa é de 10 µA a 25 ºC e 50 µA a 100ºC. TJ = 25ºC Características e Condições Símbolo Valor Típico Valor Máximo TJ = 100ºC Corrente Reversa Máxima 0,05 µA 10 µA 1,0 µA 50 µA IR 50Eletrônica Analógica Um projeto baseado na corrente reversa de 0,05 µA trabalhará bem na temperatura de 25 ºC com um 1N4001 típico, mas não funcionará bem se a temperatura de junção atingir o valor de 100 ºC. 51Eletrônica Analógica Referência Bibliográfica: MARQUES, Angelo Eduardo B. ; CRUZ, Eduardo Cesar Alves. ; JÚNIOR, Salomão Choueri. Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores - Estude e Use, 12ª ed. São Paulo, Érica, 2008.
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