ELETRONICA DIGITAL VII

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11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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ELETRONICA DIGITAL ( https://www.tecconcursos.com.br/s/Q152GX )
Engenharia Elétrica e Eletrônica
Questão 1201: CEBRASPE (CESPE) - AJ TRT17/TRT 17/Apoio Especializado/Engenharia Elétrica/2009
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Considerando que um conversor digital/analógico deva ser desenvolvido para converter um sinal que deverá alimentar um aparelho específico, julgue o próximo item.
 
Uma rede composta somente por resistores não pode ser utilizada para a construção do conversor, ainda que seja um conversor simples de 2 bits.
 Certo
 Errado
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Questão 1202: COPERVE-UFSC - Tec (UFSC)/UFSC/Eletrônica/2009
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Observe o conversor digital-analógico R-2R apresentado na figura abaixo, assumindo um amplificador operacional ideal e uma palavra digital de quatro bits 
1010 onde o dígito mais à esquerda é o mais significativo e o mais à direita é o menos significativo, no qual “1” (um) significa que o respectivo terminal X
está ligado na posição A e “0” (zero) na posição B. 
 
 
Assinale a alternativa que completa CORRETAMENTE a afirmativa abaixo. 
 
A tensão de saída V0 é... 
 a) 10 V. 
 b) −5 V. 
 c) 5 V. 
 d) −10 V. 
 e) 0 V.
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Questão 1203: CGC UNIVASF - Tec Lab (UNIVASF)/UNIVASF/Eletrônica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A figura abaixo representa um modelo simples de conversor digital-analógico de quatro bits. Sabendo que suas entradas podem assumir os valores lógicos 1 (5V) ou 0
(0V), determine a saída do circuito quando a palavra digital de entrada for VaVbVcVd=1100, assim como o degrau (step) do conversor.
 a) Vs=7,5V; step=1,25V.
 b) Vs=7,5V; step=0,625V.
 c) Vs=5,0V; step=0,625V.
 d) Vs=1,875V; step=1,25V.
 e) Vs=1,875V; step=0,625V.
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Questão 1204: CGC UNIVASF - Tec Lab (UNIVASF)/UNIVASF/Eletrônica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Um circuito digital “A” foi construído para monitorar o funcionamento de um circuito digital “B”. Para assegurar o funcionamento do circuito “B”, o circuito A verifica se há
atividade no circuito “B” através do envio de um sinal e aguarda uma resposta do circuito “B” por um intervalo de tempo, “tk”. Caso esta resposta seja recebida, o circuito
“B” está funcionando normalmente e “A” não tem nada a fazer. Caso “B” não responda, dentro do intervalo “tk“, “A” detecta que “B” parou de funcionar (travou) e então
envia um sinal de reset ao circuito “B” e este se reinicia. Em sistemas digitais microprocessados, “tk “ é definido como:
 a) Reset time.
 b) Restart time.
 c) Watchdog time.
 d) Ping time.
 e) Watchcat time.
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Questão 1205: FUNRIO - Eng (SUFRAMA)/SUFRAMA/Engenharia Eletrônica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Em relação aos microprocessadores é INCORRETO afirmar que
 a) as linguagens de baixo nível são compostas por códigos próximos aos interpretados pelo computador e, portanto, possuem alta velocidade de processamento.
 b) as linguagens de alto nível se caracterizam pela facilidade de interface com o programador.
 c) compiladores são programas que traduzem o programa fonte, gerando o programa objeto.
 d) os microprocessadores utilizam números decimais ao efetuar cálculos matemáticos complexos.
 e) a ALU é o local onde o microprocessador efetua as operações lógicas e aritméticas.
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Questão 1206: PUC PR - Tec (COPEL)/COPEL/Industrial/Eletrônica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Um conversor DAC (digital para analógico) de 10 bits tem um tamanho de degrau de 10 mV.
Determine a tensão de saída de fundo de escala e a resolução percentual.
 a) FS = 10,24 V; %res = 0,097%
 b) FS = 10,23 V; %res = 0,097%
 c) FS = 1,024 V; %res = 0,97%
 d) FS = 1,023 V; %res = 0,97%
 e) FS = 0,1024 V; %res = 9,76%
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Questão 1207: CEBRASPE (CESPE) - AJ TRT5/TRT 5/Apoio Especializado/Engenharia Elétrica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
 
Com relação à figura acima, que mostra um circuito elétrico para implementar um conversor D/A com resistores ponderados, e considerando R1<<R, julgue o item
subseqüente.
A tensão de saída Vs é maior que a tensão dos níveis lógicos digitais de entrada.
 Certo
 Errado
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Questão 1208: CEBRASPE (CESPE) - AJ TRT5/TRT 5/Apoio Especializado/Engenharia Elétrica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
 
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Com relação à figura acima, que mostra um circuito elétrico para implementar um conversor D/A com resistores ponderados, e considerando R1<<R, julgue o item
subseqüente.
Esse circuito D/A, com resistores ponderados, na prática, é o mais utilizado nesse tipo de conversão.
 Certo
 Errado
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Questão 1209: COPEVE UFMG - Tec (UFMG)/UFMG/Laboratório/Eletroeletrônica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Se um conversor D/A de oito bits produz uma tensão de saída de 2,0V para uma tensão de entrada igual a , uma entrada digital igual a 
sem uso de bit de sinal, resultará em tensão de saída igual a:
 a) 1,79V.
 b) 3,30V.
 c) 3,58V.
 d) 6,40V.
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Questão 1210: FCC - AJ TRF2/TRF 2/Apoio Especializado/Engenharia Eletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Considere o circuito denominado power-on reset para responder.
A sua função é
 a) limpar o conteúdo da memória RAM do microcontrolador no momento em que a alimentação é desligada.
 b) filtrar ruídos de RF provenientes da fonte de alimentação.
 c) inicializar o microcontrolador no momento em que a alimentação é ligada.
 d) estabilizar a tensão aplicada ao pino reset do microcontrolador para evitar que o mesmo seja acionado em instantes indesejáveis.
 e) dividir a tensão de alimentação para que a tensão de reset seja menor do que 5 V.
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Questão 1211: FCC - AJ TRF2/TRF 2/Apoio Especializado/Engenharia Eletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Em um microcontrolador da família 8051 há um pino de dupla função designado por As duas funções são, respectivamente,
 a) bit 2 do port 3 (bidirecional) e habilitação de escrita para memória de dados externa (entrada).
 b) bit 3 do port 2 (entrada) e habilitação de leitura para memória de dados externa (saída).
 c) bit 2 do port 3 (saída) e interrupção externa 0 (saída).
 d) bit 3 do port 2 (bidirecional) e interrupção de leitura 0 (saída).
 e) bit 2 do port 3 (bidirecional) e interrupção externa 0 (entrada).
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Questão 1212: CEFETBAHIA- Tec Lab (IF BA)/IF BA/Eletroeletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
As instruções dos microcontroladores da família MCS-51 utilizam 12 ou 24 períodos de clock, com exceção das instruções MUL AB e DIV AB que utilizam 48 períodos.
Considerando a utilização de um cristal de 12 Mhz e as instruções a seguir:
 
mov R0,a
mov R0,#3Fh
 
Os tempos de processamento dessas instruções serão, respectivamente, iguais a:
 a) 10μs e 20μs
 b) 1μs e 2μs
 c) 2μs e 1μs
 d) 20μs e 10μs
 e) 0,5μs e 1μs
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Questão 1213: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
011001002 101100112
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Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um
microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de
unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais
recursos e configuração flexível às demandas. Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
 
Para que determinada linha (pino) de entrada digital de dados fique em nível alto de maneira forçada, pode-se utilizar um resistor de pull-up conectado à mesma.
 Certo
 Errado
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Questão 1214: FCC - AJ TRF2/TRF 2/Apoio Especializado/Engenharia Eletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Considere o circuito denominado power-on reset para responder.
A forma de onda gerada, considerando que a alimentação seja ligada no instante t, é
 a) 
 b) 
 c) 
 d) 
 e) 
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Questão 1215: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C
e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível
permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo. Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
 
Na maioria das linguagens em assembly, comandos designados por pop e push, ou palavras semelhantes, estão associados às transferências de dados entre
registradores e a área de pilha na memória.
 Certo
 Errado
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Questão 1216: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um
microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de
unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais
recursos e configuração flexível às demandas. Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
 
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Para economia de pinos no encapsulamento desse dispositivo, geralmente faz-se com que alguns pinos possam ser utilizados por unidades funcionais distintas integradas
no mesmo. O uso do pino fica, então, definido pela configuração das unidades utilizadas.
 Certo
 Errado
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Questão 1217: FCC - AJ TRF2/TRF 2/Apoio Especializado/Engenharia Eletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
No microcontrolador da família 8051, a instrução que realiza um desvio se o acumulador for diferente do dado imediato está representada na forma mnemônica em
 a) DJNZ direto, desvio.
 b) LCALL endereço (addr16).
 c) ADDC A, #dado.
 d) ANL A, #dado.
 e) CJNE A, #dado, desvio.
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Questão 1218: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C
e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível
permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo. Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
 
As diretivas de compilação em programas de alto nível são basicamente utilizadas para realizar complexas operações lógicas e aritméticas no microcontrolador, em tempo
real.
 Certo
 Errado
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Questão 1219: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C
e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível
permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo. Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
 
Em programação assembly, geralmente os comandos que realizam operações lógicas e aritméticas acessam o registrador acumulador, ou outro registrador associado a
esta unidade, utilizando endereçamento do tipo indexado.
 Certo
 Errado
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Questão 1220: FCC - Ana MPU/MPU/Engenharia Elétrica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
O circuito abaixo é usado para inicializar o microcontrolador no instante imediatamente seguinte à sua alimentação.
No microcontrolador, o terminal X deve ser
 a) o INT0 (interrupt).
 b) qualquer PORT I/O configurado como output.
 c) o XTAL0 ou o XTAL1, dependendo do nível lógico ativo.
 d) o GND (ground).
 e) o RST (reset).
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Questão 1221: FCC - AJ TRF2/TRF 2/Apoio Especializado/Engenharia Eletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Considere o trecho de programa da família 8051.
MOV A,#3FH
INC A
MOV P1,A
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Ao final, o port P1, em binário, terá
 a) 00110000
 b) 01001111
 c) 01000001
 d) 01000000
 e) 11000011
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Questão 1222: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto:Microcontroladores e sistemas microprocessados
A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C
e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível
permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo. Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
 
Um programa objeto obtido a partir de programação em alto nível tende a ocupar mais espaço de memória quando comparado a um programa objeto, com o mesmo
objetivo do anterior, feito em linguagem de baixo nível.
 Certo
 Errado
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Questão 1223: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C
e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível
permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo. Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
 
Os comandos em linguagem assembly se caracterizam por mnemônicos curtos relacionados aos seus respectivos objetivos.
 Certo
 Errado
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Questão 1224: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um
microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de
unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais
recursos e configuração flexível às demandas. Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
 
Um microcontrolador com arquitetura do tipo von Neumann possui memórias e barramentos internos distintos para dados e instruções.
 Certo
 Errado
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Questão 1225: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um
microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de
unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais
recursos e configuração flexível às demandas. Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
 
Existem microcontroladores que possuem barramento I2C. Este tipo de barramento é unidirecional em relação ao tráfego de dados. Possui uma linha de sinal para dados
e 3 linhas para handshake.
 Certo
 Errado
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Questão 1226: CEFETBAHIA - Tec Lab (IF BA)/IF BA/Eletroeletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
O PIC16F84 é perfeitamente adequado para muitas variedades de aplicações, como em indústria automobilística, sensores remotos, fechaduras elétricas e dispositivos de
segurança. Dentre as características do PIC16F84, pode-se apontar:
 a) Possui arquitetura CISC.
 b) Cada instrução é composta de 14 bits.
 c) Não possui memória programável tipo Flash.
 d) A memória de dados compreende memória EEPROM (56 posições) e memória RAM (64 posições).
 e) Possui um conjunto de apenas 51 instruções.
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Questão 1227: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 7/39
Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um
microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de
unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais
recursos e configuração flexível às demandas. Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
 
Em um microcontrolador, a unidade denominada cão de guarda (watchdog) é responsável pela amostragem e retenção da tensão a ser convertida pela unidade de
conversão AD.
 Certo
 Errado
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Questão 1228: FCC - Tec Min (MPE PE)/MPE PE/Apoio Especializado/Telecomunicações/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
No microcomputador 89S52, para ativar um LED ligado no port P2.0 por meio da instrução CLR P2.0, deve-se adotar a configuração:
 a) 
 b) 
 c) 
 d) 
 e) 
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Questão 1229: FCC - Tec Min (MPE PE)/MPE PE/Apoio Especializado/Telecomunicações/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
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Em um microcontrolador da família 8051 há algumas instruções Assembly capazes de zerar o conteúdo do acumulador. Duas delas são
 a) MOV A = 00H e CLR ACC
 b) MOV A,#00H e CLR A
 c) MOV A,#00H e SUBB A – A = 0
 d) MOV A = 00H e AND A,00H
 e) MOV A → 00H e SUBB A – A → A
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Questão 1230: FCC - Tec Min (MPE PE)/MPE PE/Apoio Especializado/Eletrônica/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Em um microcontroador da família 8051, os pinos e são
 a) para habilitação de memória de programa externa.
 b) entradas de interrupção externas.
 c) saídas de dados seriais.
 d) para habilitação de leitura de memória de dados externa.
 e) entradas de pulsos de clock externos.
 
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Questão 1231: FCC - AJ TRE SP/TRE SP/Apoio Especializado/Engenharia Elétrica/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Um microcontrolador da linha 8051 tem o pino de reset ativo em nível alto. O circuito que pode ser usado na função de power-on reset é:
 a) 
 b) 
 c) 
 d) 
 e) 
INTO
−−−
INT1
−−−
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Questão 1232: FCC - AJ TRE SP/TRE SP/Apoio Especializado/Engenharia Elétrica/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
No microcontrolador da linha 8051, a instrução responsável por carregar o registradorStack Pointer, com o endereço 40H da memória, é
 a) MOV SP,#40H.
 b) MOV @40H, STACK.
 c) MOV 40H → SP.
 d) ADD 40H:SP.
 e) ADD SP:40H@.
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Questão 1233: FCC - Tec Min (MPE PE)/MPE PE/Apoio Especializado/Eletrônica/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Um microcontrolador da família 8051 possui dois pinos que servem como entrada e saída seriais de dados. Esses pinos são, respectivamente,
 a) RxD e TxD
 b) ALE e 
 c) T0 e T1
 d) e 
 e) XTAL1 e XTAL2
 
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Questão 1234: FCC - Tec Min (MPE PE)/MPE PE/Apoio Especializado/Eletrônica/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Considere o programa abaixo, escrito para um microcontrolador da família 8051:
 
VOLTA: 
 
CLR A
MOV R0,#03H
INC A
DEC R0
CJNE R0,#00H,VOLTA
MOV R1,#05H
END
 
Ao final do processamento do programa, o conteúdo do acumulador A e dos registradores R0 e R1 serão:
 
 a) 
 b) 
 c) 
 d) 
 e) 
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Questão 1235: CESGRANRIO - Ass Leg Esp (ALTO)/ALTO/Assistência Técnica em Áudio/2005
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A figura abaixo representa um conversor D/A (Digital para Analógico).
 
PSEN
−−−−
WR
−−−−
RD
−−−−
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VA, VB, VC e VD são tensões correspondentes aos níveis lógicos binários da família TTL, onde o nível lógico 1 corresponde à tensão de 5V e o nível 0 corresponde a 0V.
Sabe-se que a tensão VA corresponde ao bit mais significativo.
 
Considerando-se na entrada o conjunto de bits 1011, a tensão VS, em volts, será:
 a) −12,5
 b) −11
 c) −10
 d) 8
 e) 15
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Questão 1236: CEBRASPE (CESPE) - Eng Elet (PF)/PF/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Microcomputadores e processadores digitais atualmente são largamente utilizados na indústria para controle de processos. A maioria dos sistemas industriais é de
natureza analógica, requerendo assim o uso de conversores do tipo analógico-digital (A/D) e digital-analógico (D/A) a fim de se implementar processos de automação que
utilizam microcomputadores e processadores digitais. 
Acerca desse assunto, julgue o item a seguir.
Todo sinal analógico que é processado por um computador digital deve primeiramente ser convertido de analógico para digital por meio de um dispositivo denominado
sample-and-hold.
 Certo
 Errado
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Questão 1237: CEBRASPE (CESPE) - OI (ABIN)/ABIN/Código 10 (Engenharia Elétrica)/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
 Solicitou-se a um engenheiro que projetasse um sistema para o monitoramento da temperatura interna de um ambiente. Após estudar diversas possibilidades, o
engenheiro optou por utilizar, entre outras coisas, um sensor de temperatura, um conversor A/D e um microcontrolador para ler a temperatura e, em seguida, transmiti-
la, por meio de um fio, para uma central de monitoramento para fins de armazenamento desses dados.
Com relação a essa situação hipotética, julgue o item seguinte.
Caso o microcontrolador seja dotado de memória EPROM, o próprio usuário poderá programar essa memória, por meio do uso de hardware e de software apropriados
para esse fim.
 Certo
 Errado
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Questão 1238: CEBRASPE (CESPE) - Eng Elet (PF)/PF/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Microcomputadores e processadores digitais atualmente são largamente utilizados na indústria para controle de processos. A maioria dos sistemas industriais é de
natureza analógica, requerendo assim o uso de conversores do tipo analógico-digital (A/D) e digital-analógico (D/A) a fim de se implementar processos de automação que
utilizam microcomputadores e processadores digitais. 
Acerca desse assunto, julgue o item a seguir.
Sistemas de tempo discreto utilizam grandezas amostradas no tempo.
 Certo
 Errado
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Questão 1239: CEBRASPE (CESPE) - OI (ABIN)/ABIN/Código 10 (Engenharia Elétrica)/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
 Solicitou-se a um engenheiro que projetasse um sistema para o monitoramento da temperatura interna de um ambiente. Após estudar diversas possibilidades, o
engenheiro optou por utilizar, entre outras coisas, um sensor de temperatura, um conversor A/D e um microcontrolador para ler a temperatura e, em seguida, transmiti-
la, por meio de um fio, para uma central de monitoramento para fins de armazenamento desses dados.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 11/39
Com relação a essa situação hipotética, julgue o item seguinte.
Caso o usuário utilize um termistor para a captação dos dados de temperatura no equipamento, não será necessário o uso de nenhum circuito analógico adicional para o
condicionamento do sinal de temperatura proveniente do termistor, pois este é um dispositivo ativo que gera uma tensão diretamente proporcional à temperatura e que
pode, por isso, ser ligado diretamente aos terminais do conversor A/D.
 Certo
 Errado
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Questão 1240: CEBRASPE (CESPE) - Eng Elet (PF)/PF/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Julgue o item a seguir, a respeito da aplicação de conversores D/A que são adequadamente ajustados para atuar no circuito de controle de um motor de corrente
contínua.
À saída do conversor D/A pode ser inserido um circuito de potência transistorizado.
 Certo
 Errado
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Questão 1241: CEBRASPE (CESPE) - Eng Elet (PF)/PF/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Julgue o item a seguir, a respeito da aplicação de conversores D/A que são adequadamente ajustados para atuar no circuito de controle de um motor de corrente
contínua.
O conversor D/A pode ser utilizado para controle de velocidade do motor. Mas não deve ser utilizado em situações que requeiram reversão do sentido de rotação. 
 Certo
 Errado
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Questão 1242: CEBRASPE (CESPE) - OI (ABIN)/ABIN/Código 10 (Engenharia Elétrica)/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
 Solicitou-se a um engenheiro que projetasse um sistema para o monitoramento da temperatura interna de um ambiente. Após estudar diversas possibilidades, o
engenheiro optou por utilizar, entre outras coisas, um sensor de temperatura, um conversor A/D e um microcontrolador para ler a temperatura e, em seguida, transmiti-
la, por meio de um fio, para uma central de monitoramento para fins de armazenamento desses dados.
Com relação a essa situação hipotética, julgue o item seguinte.
Caso o microcontrolador possua um timer interno, esse timer poderá ser útil para o projeto do sistema, uma vez que pode ser utilizado no controle da freqüência de
amostragem do sinal de temperatura.
 Certo
 Errado
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Questão 1243: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Com relação às etapas do fluxo de projeto, considereas afirmativas abaixo:
I – Floorplanning é o processo de posicionar as células em locais apropriados dentro do chip.
II – Na análise estática de tempo (STA), o projetista cria vetores de teste que são simulados utilizando a gate-level netlist para verificar os requisitos de tempo.
III – Na etapa de floorplannig ocorre o planejamento das linhas de alimentação do chip.
Está correto APENAS o que se afirma em:
 a) I.
 b) II.
 c) III.
 d) I e II.
 e) II e III.
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Questão 1244: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
As coberturas antirrefletoras (ARC) em fotolitografia são utilizadas para
 a) reduzir as ondas estacionárias em fotorresistes.
 b) reduzir a dose do UV nos fotorresistes.
 c) diminuir a espessura dos fotorresistes.
 d) reduzir a sensibilidade dos fotorresistes.
 e) atuar como filtros de UV em fotorresistes.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 12/39
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Questão 1245: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O que significa CD (Critical Dimension) in microlitografia?
 a) A menor linha da máscara litográfica.
 b) A menor dimensão para fabricar um transistor MOS.
 c) A menor dimensão definida por processo litográfico.
 d) A menor espessura do fotorresiste.
 e) A maior espessura do fotorresiste.
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Questão 1246: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Defina o termo stripping para litografia.
 a) Revelação do fotorresiste.
 b) Estabilização do fotorresiste.
 c) Completa remoção do fotorresiste.
 d) Etapa posterior à litografia para corrosão do substrato.
 e) Limpeza do substrato antes do spinning.
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Questão 1247: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Que lei rege a revelação do fotorresiste?
 a) A difusão de Fickian ou Lei de Bruner’s.
 b) A lei de Lambert.
 c) A lei de Swelling.
 d) A lei de não linearidade de Raylleig.
 e) A lei da difusão de Mark-Houwink.
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Questão 1248: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quais as principais causas das ondas estacionárias nos fotorresistes?
 a) Pouca mobilidade das cadeias poliméricas no fotorresiste.
 b) Pouca difusão do foto-ácido.
 c) Espessura do fotorresiste.
 d) A difração nos limites das lentes e nas bordas das estruturas nas máscaras.
 e) Comprimento de onda utilizado.
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Questão 1249: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Que fenômenos podem ocorrer no fotorresiste negativo após a exposição?
 a) Ativação do foto-ácido, cross-link, dissolução do polímero.
 b) Cross-link, polimerização, formação de grupos polares ou apolares, mudança do estado de oxidação dos íons.
 c) Ativação do foto-ácido, polimerização, mobilização das cadeias poliméricas.
 d) Dissolução do polímero, foto-ativação, difusão de íons.
 e) Inibição do foto-ácido, estabilização térmica, cross-link.
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Questão 1250: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quais as funções das curas no processamento do fotorresiste positivo, sotbake, PEB e hardbake respectivamente:
 a) Amolecimento do fotorresiste, uniformização da área exposta, endurecimento do fotorresiste.
 b) Amolecimento do fotorresiste, exposição do fotorresiste, endurecimento do fotorresiste.
 c) Uniformização da camada, endurecimento do fotorresiste, interrupção da revelação.
 d) Refluxo do fotorresiste, evaporação do solvente e inibição do foto-ácido.
 e) Evaporação do solvente e ativação do foto-ácido, refluxo do fotorresiste e inibição do foto-ácido com estabilização do fotorresiste.
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Questão 1251: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Para verificar erros de alinhamento em dispositivos, podem ser utilizados dispositivos
 a) elétricos simples e medidas de resistência.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 13/39
 b) observados do posicionamento da porta do transistor MOS.
 c) alternativos além das marcas de alinhamento.
 d) por interferometria ótica.
 e) por microscopia holográfica.
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Questão 1252: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Durante a etapa de síntese, diversas modificações são realizadas na estrutura do circuito para que as restrições do projeto sejam atingidas. Existem também
especificações de projeto que são colocadas nessa fase, como multi-cycle path ou false path. Alteram algumas estruturas, mas não a funcionalidade do sistema. As
ferramentas de síntese podem gerar um script contendo essas informações, que serão usadas em
 a) Floorplaning.
 b) Cross-talking.
 c) IR Drop.
 d) Placement.
 e) LEC.
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Questão 1253: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Como é verificado o erro de alinhamento entre níveis na litografia?
 a) Através das marcas de alinhamento.
 b) Através de estruturas do tipo Verniers.
 c) Por interferência ótica.
 d) Pela medição da largura de linha.
 e) Pela resolução do sistema ótico.
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Questão 1254: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Uma empresa de CI planeja lançar um microcontrolador que possui diversos periféricos, como conversores AD e DA, SPI, USB, I²C e memórias. Durante a fase de testes
em laboratório, detectou-se que o microcontrolador funcionou corretamente com todos os periféricos. Porém, quando os dados foram enviados para USB, mesmo não
sendo utilizados, provocaram uma pane geral no chip. O caso descrito pode ser caracterizar como
 a) Electromigration.
 b) Cross-talking.
 c) Hold Violation.
 d) Setup Violation.
 e) Antenna Violation.
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Questão 1255: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O que é o erro de alinhamento?
 a) É o erro observado entre a litografia e a corrosão.
 b) É o deslocamento dentre os níveis de fabricação de um CI.
 c) É o erro ocasionado pela distância entre a máscara litográfica e a lâmina de silício.
 d) É a rotação entre máscara litográfica e a lâmina de silício.
 e) É a má definição das estruturas litografadas.
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Questão 1256: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A 'Síntese Física' é o processo no qual há uma realimentação do projeto físico para a síntese. Sobre essa operação é correto afirmar o seguinte:
 a) Devido à complexidade encontrada no projetofísico, a nova síntese resultará em uma arquitetura otimizada, já que o modelo wireload é o mais preciso para
projetos já roteados.
 b) As otimizações para low-power não serão afetadas ou incrementadas pela síntese física.
 c) Tem como objetivo a combinação de otimizações de tempo, área, potência e condições de roteamento, devido à utilização de uma nova biblioteca de células.
 d) As informações realimentadas para a síntese referem-se aos dados mais precisos de resistência e capacitância das interconexões, resultando em uma melhora nas
estimativas de temporização e consumo de potência.
 e) A síntese física não leva em consideração os aspectos do leiaute.
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Questão 1257: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual a necessidade de estruturas de inspeção em litografia?
 a) Para o controle do processo litográfico sem que haja a necessidade de fabricar totalmente o dispositivo.
 b) Para testar o sistema ótico da alinhadora.
 c) É utilizado como marca d’água pelo fabricante das máscaras.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 14/39
 d) Para o controle do projetista da máscara litográfica.
 e) Só é utilizada ao término do dispositivo.
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Questão 1258: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Onde se aplica o limite de Abbe em fotolitografia?
 a) No projeto das máscaras litográficas.
 b) No projeto de lentes da alinhadora.
 c) No cálculo do limite de resolução do sistema óptico das alinhadoras.
 d) No limite do microscópio utilizado para o alinhamento.
 e) Na escolha da lâmpada da alinhadora.
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Questão 1259: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual a equação do limite de Rayleigh?
 a) R = 1,22 N.
 b) R = 4 N.
 c) R = 1,22 .
 d) R = 1,32 N.
 e) R = 2 N.
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Questão 1260: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quais as principais causas do limite de resolução em fotolitografia?
 a) Espessura do fotorresiste, tempo de cura e revelador.
 b) Material da máscara litográfica e tipo de alinhadora.
 c) Tecnologia do dispositivo e fabricante da máscara.
 d) Revelador utilizado, tempo de exposição do fotorresiste e conteúdo sólido do fotorresiste.
 e) Comprimento de onda, tipo de fotorresiste, sistema ótico da alinhadora e limite de definição da máscara.
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Questão 1261: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Com relação às spare cells, pode-se afirmar que:
 a) São introduzidas somente no estágio de Back-End (projeto físico).
 b) São células posicionadas aleatoriamente tendo sua utilização possibilitada somente pelo processo de FIB (Focus Ion Beam).
 c) Permite pequenas correções no projeto do chip já fabricado, reduzindo os custos das máscaras.
 d) São utilizados apenas em ECOs (Engineering Change Order) para alterar as máscaras de dopagem.
 e) São células utilizadas para manter a coerência nas ligações das linhas de alimentação e terra.
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Questão 1262: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual a definição de resolução em litografia?
 a) Menor distância entre dois pontos observados no microscópio.
 b) Espaço entre duas estruturas em um dispositivo.
 c) Comprimento de onda do UltraVioleta utilizado.
 d) Menor distância entre duas linhas definidas no resiste.
 e) Significado definido pelo fabricante da alinhadora.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/160822
Questão 1263: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Como se define a profundidade de foco em fotolitografia?
 a) É a maior profundidade em que é projetada a imagem no fotorresiste sem que haja perda de definição das bordas.
 b) É a maior área do fotorresiste iluminada durante a exposição litográfica.
 c) É a distância em que deve ser colocada a lâmina de silício em relação à máscara litográfica.
 d) É a espessura máxima do fotorresiste.
 e) É a profundidade das trincheiras obtidas após a revelação do fotorresiste.
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Questão 1264: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual a definição de litografia em processos de microeletrônica?
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 15/39
 a) A escrita em substratos planos.
 b) Qualquer método de definição de padrões em circuitos integrados.
 c) A etapa de processo utilizada para a transferência de padrões na fabricação de circuitos integrados.
 d) Método ótico de escrita direta.
 e) Método de fabricação de circuitos integrados.
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Questão 1265: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Processos de Sputtering têm várias aplicações na produção de circuitos integrados. Considere o processo que envolve as etapas abaixo.
I – Emissão de um feixe de íons.
II – Íons se chocam contra o alvo, provocando o arrancamento de átomos do alvo.
III – Os átomos ejetados são termodinamicamente instáveis e depositam-se sobre as paredes da câmara e sobre o substrato.
IV – Os átomos recobrem o substrato com um filme fino.
O processo acima descrito corresponde a
 a) Etching.
 b) Espectrometria de massa por íons secundários.
 c) Deposição química a partir de vapor.
 d) Deposição química de vapor melhorada por plasma.
 e) Deposição física de vapor por Sputtering.
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Questão 1266: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Assinale a opção que apresenta a vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
 a) Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato auto-alinhadas.
 b) Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato desalinhadas.
 c) Esses materiais jamais formam estruturas de contato auto-alinhadas.
 d) Não existe vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
 e) Esses silicetos têm baixo ponto de fusão e, por isso, grande condutividade.
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Questão 1267: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Considerando as duas principais aplicações dos silicetos - porta em transistores MOS e como metal de contato sobre as regiões de fonte e dreno desses transistores - a
escolha do siliceto para estas utilizações requer a observação do seguinte requisito:
 a) máxima penetração na junção.
 b) alta resistividade.
 c) alta rugosidade.
 d) existência de processo de corrosão seletiva do metal evaporado em relação ao siliceto.
 e) Reação ao SiO2 durante as temperaturas de silicetação.
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Questão 1268:FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Sobre o IR Drop e as técnicas para a minimização do seu impacto, é correto afirmar o seguinte:
 a) É um efeito decorrente do alto consumo de potência pois as fontes de alimentação não suportam o alto consumo de corrente, reduzindo o nível de tensão nas
células. Pode ser minimizado com um melhor planejamento das linhas de alimentação.
 b) Causa uma redução na tensão de alimentação em certas regiões do chip e eleva a tensão do terra (ground bounce). Pode ser minimizado com a inserção de
capacitores entre as linhas de alimentação.
 c) Modifica as características dos atrasos nas células, o que incorre em resultados diferentes para a análise temporal. Pode ser resolvido adicionando diodos nas
linhas de alimentação.
 d) Aumenta o atraso nas interconexões devido ao aumento da carga de cada célula que é alimentada por esse sinal. Pode-se minimizar usando as camadas
superiores de metalização para reduzir as resistências parasitas.
 e) O aumento da resistência interna das células devido às correntes causa uma redução na tensão de alimentação das mesmas. Pode ser minimizado com o aumento
da espessura dos metais de alimentação nas camadas de metalização inferiores.
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Questão 1269: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Considere os seguintes efeitos:
1) Da variação da espessura do dielétrico entre as camadas de metal.
2) Decréscimo do yield.
3) Aumento das capacitâncias de acoplamento.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 16/39
4) Degradação do desempenho (tempo).
O metal fiel é uma técnica utilizada para reduzir quantos desses efeitos?
 a) Apenas o primeiro.
 b) Apenas o segundo.
 c) Apenas o terceiro.
 d) Apenas o quarto.
 e) Todos os quatro.
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Questão 1270: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Pode-se afirmar que o SALICIDE é o emprego de
 a) silicetos na estrutura desalinhada.
 b) silicetos na estrutura auto-alinhada.
 c) silicetos na estrutura.
 d) tungstênio na estrutura auto-alinhada.
 e) tungstênio na estrutura desalinhada.
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Questão 1271: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A utilização de silicetos na estrutura auto-alinhada possibilita
 a) a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a baixa velocidade de operação do dispositivo.
 b) a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
 c) a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
 d) a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
 e) a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
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Questão 1272: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Para o estudo de conformidade e morfologia de filmes finos, a microscopia eletrônica de varredura pode ser utilizada para
 a) obter a densidade areal.
 b) obter informações da composição C (Configuração do material como uma função da profundidade imediatamente abaixo da superfície, geralmente alguns
micrômetros).
 c) determinar a distribuição das impurezas em filmes finos como função da profundidade.
 d) estiramento das moléculas.
 e) obter a composição química.
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Questão 1273: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A incorporação de oxigênio (O2) residual ao filme fino pode causar
 a) aumento da resistividade do filme.
 b) indução à formação de hillocks.
 c) tensões.
 d) inibição à formação de hillocks.
 e) aumento da condutividade.
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Questão 1274: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Nos circuitos integrados, deseja-se determinar a fase em que se encontram os silicetos, utilizando-se, para isso, a difratografia por raios-X. Essa técnica permite
determinar
 a) o estiramento das moléculas.
 b) a densidade areal do filme.
 c) a composição física do filme.
 d) a estrutura do filme formado.
 e) a microestrutura do filme formado.
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Questão 1275: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O aquecimento do substrato proporciona uma boa cobertura de degrau porque
 a) aumenta a mobilidade dos elétrons.
 b) aumenta a mobilidade dos átomos no interior do substrato.
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 c) aumenta a mobilidade dos íons.
 d) aumenta a mobilidade dos átomos na superfície.
 e) diminui a mobilidade dos átomos na superfície.
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Questão 1276: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O facetamento por Sputtering decorre da dependência da taxa de remoção em relação ao ângulo de incidência dos íons que bombardeiam a superfície. Com relação ao
ângulo entre o feixe de íons incidentes e a superfície bombardeada pelo feixe, a taxa de remoção será menor para um ângulo de
 a) 45º.
 b) 67,5º.
 c) 90º.
 d) 0º.
 e) 135º.
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Questão 1277: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Com relação ao fenômeno da Eletromigração, pode-se afirmar que
 a) o resultado dessa migração é a formação de degraus no filme, devido ao excesso de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
 b) o resultado dessa migração é a formação de depressões no filme, devido à falta de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
 c) o resultado dessa migração é a formação de degraus no filme, devido à falta de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
 d) o resultado dessa migração é a formação de depressões no filme, devido ao excesso de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
 e) o aumento da condutividade ocorre no estrangulamento do filme.
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Questão 1278: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No estrangulamento do filme, na Eletromigração, ocorre
 a) um aumento de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
 b) uma diminuição de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
 c) uma diminuição de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
 d) um aumento de temperatura que acelerao processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
 e) uma diminuição de temperatura que não acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
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Questão 1279: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um dos grandes problemas enfrentados no projeto digital é a falta de especificação dos atrasos nos circuitos fora do chip. Para minimizar esses problemas, uma solução é
a utilização de constraints somente nas interfaces. No caso do sinal de entrada, o objetivo é garantir que a captura do sinal pelo chip seja feita no menor tempo possível.
Para um sistema com um período de clock de 30ns, quais as constraints que mais se ajustam para que o sinal de entrada seja obrigatoriamente estável por apenas 7ns
(excetuando-se os tempos inerentes ao clock)?
 a) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_input_delay -max 23.0 -clock CLK {data_in}
 set_input_delay -min 0.0 -clock CLK {data_in}
 b) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_input_delay -max 7.0 -clock CLK {data_in}
 set_input_delay -min 0.0 -clock CLK {data_in}
 c) create_clock –period 30 –waveform {0 7} CLK
 set_input_delay -max 15.0 -clock CLK {data_in}
 set_input_delay -min 7.0 -clock CLK {data_in}
 d) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_input_delay -max 7.0 -clock CLK {data_in}
 set_input_delay -min 23.0 -clock CLK {data_in}
 e) create_clock –period 30 –waveform {0 7} CLK
 set_input_delay -max 15.0 -clock CLK {data_in}
 set_input_delay -min 0.0 -clock CLK {data_in}
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Questão 1280: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um dos grandes problemas enfrentados no projeto digital é a falta de especificação dos atrasos nos circuitos fora do chip. Para minimizar esses problemas, uma solução é
a utilização de constraints somente nas interfaces. No caso do sinal de saída, o objetivo é garantir que o sinal esteja estável pela maior tempo possível. Para um sistema
com um período de clock de 30ns, quais as constraints que mais se ajustam para que o sinal de saída esteja obrigatoriamente estável por apenas 7ns (excetuando-se os
tempos inerentes ao clock)?
 a) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_output_delay -max 23.0 -clock CLK {data_out}
 set_output_delay -min 0.0 -clock CLK {data_out}
 b) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_output_delay -max 7.0 -clock CLK {data_out}
 set_output_delay -min 23.0 -clock CLK {data_out}
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 c) create_clock –period 30 –waveform {0 7} CLK
 set_output_delay -max 15.0 -clock CLK {data_out}
 set_output_delay -min 7.0 -clock CLK {data_out}
 d) create_clock –period 30 –waveform {0 7} CLK
 set_output_delay -max 15.0 -clock CLK {data_out}
 set_output_delay -min 0.0 -clock CLK {data_out}
 e) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_output_delay -max 7.0 -clock CLK {data_out}
 set_output_delay -min 0.0 -clock CLK {data_out}
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Questão 1281: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Eletromigração pode ser definida como
 a) o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento das partículas que fluem no
condutor aos átomos que compõe o metal.
 b) o fenômeno do deslocamento do metal em linhas grossas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no
condutor aos átomos que não compõe o metal.
 c) o fenômeno da transformação do metal em grossas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no
condutor aos átomos que compõe o metal.
 d) o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos íons que fluem no
condutor aos átomos que compõe o metal.
 e) o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no
condutor aos átomos que compõe o metal.
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Questão 1282: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A densidade de plasma será tanto maior quanto maior for
 a) o grau de ionização.
 b) a quantidade de radicais livres.
 c) a quantidade de partículas sólidas a alta velocidade.
 d) a quantidade de átomos.
 e) a quantidade de moléculas.
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Questão 1283: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No processo de geração de plasma, quando se aumenta a voltagem, a densidade do plasma
 a) não se altera.
 b) diminui.
 c) aumenta.
 d) fica instável.
 e) aumenta ou diminui em função do tipo de gás.
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Questão 1284: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDICO/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Tendo em vista o fluxo de implementação de um projeto digital de um Circuito Integrado de Aplicação Específica (ASIC – “Application Specific Integrated Circuit”), pode-
se afirmar que o processo de “Floorplanning”
 a) prepara a região do chip que será utilizada para implementar os módulos do projeto.
 b) verifica os requisitos de desempenho de todos os sinais do circuito com relação ao tempo de propagação entre os módulos.
 c) realiza a distribuição dos blocos de um circuito ao longo do chip, definindo a localização dos pinos de entrada e saída e de alimentação.
 d) define o tipo de recobrimento utilizado na estrutura do chip.
 e) planeja a distribuição de consumo ao longo da superfície do chip, buscando a uniformização na distribuição de potência.
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Questão 1285: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A densidade do plasma está relacionada com a frequência utilizada e com a/o
 a) operador do equipamento.
 b) fonte de alimentação.
 c) diferença de potencial.
 d) temperatura do processo.
 e) modo de acoplamento.
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Questão 1286: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./TTMIE11/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
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Para o projeto e geração de um layout de uma placa de circuito impresso (PCI), são utilizados programas de CAD (Computer Aided Design). Tais programas agilizam o
processo de projeto e construção das imagens de uma PCI e permite a geração de um arquivo que pode ser enviado a uma indústria para a fabricação da PCI. Para o
processo completo, são necessários alguns passos. Dentre estes, podem-se destacar:
I) Elaboração do esquemático
II) Definição dos encapsulamentos, pinagens e simbologia dos componentes utilizados
III) Geração de uma netlist
IV) Geração dos gerbers
V) Roteamento
VI) Posicionamento dos componentes
A correta ordem dos passos é:
 a) I, II, III, VI, IV, V
 b) II, I, III, V, VI, IV
 c) I, II, III, V, VI, IV
 d) II, I, III, VI, V, IV
 e) VI, II, III,I, V, IV
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Questão 1287: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Considerando as propriedades de um plasma e as de um gás com moléculas eletricamente neutras é correto afirmar que
 a) um plasma, assim como um gás com moléculas neutras, tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, além de não absorver qualquer tipo de
radiação.
 b) um plasma não tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, ambos absorvem certos
tipos de radiação.
 c) um plasma tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, ambos absorvem radiação.
 d) um plasma não tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, assim como um gás com moléculas neutras. Além disso, não absorve qualquer tipo de
radiação.
 e) um plasma tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, um plasma absorve certos tipos
de radiação que passariam sem interagir em um gás formado por moléculas neutras.
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Questão 1288: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Assinale uma desvantagem do processo de deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.
 a) Contaminação química e por partículas.
 b) Elevada temperatura.
 c) Baixa taxa de deposição.
 d) Péssima cobertura de degrau.
 e) Não possui desvantagem.
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Questão 1289: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Uma vantagem do reator para deposição química a partir de vapor melhorada por plasma é
 a) o mecanismo simples.
 b) a elevada temperatura.
 c) a alta taxa de deposição.
 d) ser isento de contaminação.
 e) não ter vantagens.
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Questão 1290: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O tipo de reator de deposição química melhorada por plasma (PECVD) utilizado para obter um processamento de substratos com diâmetros maiores que 200 mm
 a) é impossível ter substratos com diâmetros maiores que 200 mm.
 b) é o de tubo horizontal.
 c) é o de placas paralelas.
 d) é o de substrato único.
 e) é o de tubo vertical.
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Questão 1291: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quanto aos reatores de deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD), é correto afirmar que
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 a) as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões acima de 0,1 atm.
 b) as frequências utilizadas estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões são de até 0,01 atm.
 c) as frequências utilizadas estão na faixa do ultravioleta e as pressões acima de 0,1 atm.
 d) as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões são de até 0,01 atm.
 e) as frequências estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões devem ser maiores que 0,1 atm.
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Questão 1292: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Os 3 (três) tipos principais de reatores para deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD) são as placas
 a) perpendiculares, tubo horizontal e substrato único.
 b) paralelas, tubo horizontal e substrato duplo.
 c) paralelas, tubo horizontal e substrato único.
 d) paralelas, tubo vertical e substrato único.
 e) paralelas, tubo vertical e substrato duplo.
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Questão 1293: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Leia atentamente as afirmativas abaixo.
I – O plasma pode ser caracterizado por fluorescência de raios-X.
II – A espectrometria de emissão ótica é uma técnica de caracterização de plasma baseada na emissão de fótons característicos pelo plasma.
III – A espectrometria de emissão ótica possibilita a quantificação de espécies ativas e a medida da temperatura dos elétrons, dentre outras medidas possíveis.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
 a) Apenas I está correta.
 b) Apenas II está correta.
 c) Apenas III está correta.
 d) Apenas I e II estão corretas.
 e) Apenas II e III estão corretas.
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Questão 1294: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDICO/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No projeto de um Circuito Integrado de Aplicação Específica (ASIC – “Application Specific Integrated Circuit”), o processo de realizar as conexões entre os módulos e
entre as células lógicas, de forma que os sinais possam trafegar de acordo com os requisitos de tempo, chama-se
 a) Floorplanning.
 b) Posicionamento.
 c) Síntese de conexão.
 d) Roteamento.
 e) Static Timing Analysis.
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Questão 1295: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em uma linha de produção de circuitos integrados, os testes demandam uma grande parte do tempo e de homens-hora por peça gastos no processo. Em contrapartida, é
um passo essencial na cadeia produtiva, permitindo muitas vezes detectar antecipadamente falhas no processo produtivo, evitando custos desnecessários. Com relação
aos testes de semicondutores, analise as seguintes sentenças e assinale a opção correta:
I) O BISR (Built-In-Self-Repair) é uma técnica muito utilizada na fabricação de memórias.
II) Na fabricação de memórias, quando estas apresentam um padrão de repetitividade de blocos funcionais, podem ser criados blocos extras dentro do circuito
que no caso de uma falha pontual podem substituir os blocos problemáticos.
 a) As duas sentenças são verdadeiras, e a segunda complementa a definição da primeira.
 b) As duas sentenças são verdadeiras, mas a segunda não está relacionada com a definição da primeira.
 c) A primeira sentença é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
 d) A primeira sentença é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
 e) Tanto a primeira como a segunda sentenças são falsas.
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Questão 1296: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Durante o projeto e layout de uma placa de circuito impresso (PCI), alguns arquivos são gerados durante o processo. Ao finalizar o esquemático de um circuito, o
programa de projeto gera um arquivo que contem informações acerca dos componentes, alguns de seus atributos e as conexões realizadas entre eles, ou seja, define
como os componentes de um circuito se conectam. Este arquivo é conhecido como:
 a) Netlist.
 b) CAD.
 c) Router.
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 d) Gerber.
 e) Tango.
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Questão 1297: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDICO/2012
Assunto: Tópicosavançados em microeletrônica
Ao se definir em um projeto de um Circuito Integrado de Aplicação Específica (ASIC – “Application Specific Integrated Circuit”) as interconexões dos sinais de relógio
(clock), um dos problemas a ser resolvido é o chamado “clock skew”.
Dentro desse contexto, analise as asserções a seguir e assinale a opção correta:
I - O “clock skew” ocorre devido à diferença de tamanho dos percursos que o sinal de clock percorre antes de alimentar as células lógicas de um circuito.
II - Na realização das interconexões do sinal de clock de um projeto de um ASIC, podem ser inseridos buffers especiais controlando o atraso inserido em cada
linha da árvore de clock.
 a) As duas asserções são verdadeiras, e a segunda é uma solução correta para o problema apresentado na primeira.
 b) As duas asserções são verdadeiras, mas a segunda não é uma solução correta para o problema apresentado na primeira.
 c) A primeira asserção é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
 d) A primeira asserção é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
 e) Tanto a primeira como a segunda asserções são falsas.
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Questão 1298: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Durante o projeto de circuitos de sinais mistos, digitais e analógicos, alguns cuidados devem ser tomados relativos à interferência entre os sinais de chaveamento e os
sinais analógicos, que normalmente possuem níveis de amplitude bem menores. Com relação a este tipo de circuito, analise as seguintes sentenças:
I) Em um projeto de circuito de sinais mistos, devem ser criados dois tipos distintos de terra: um digital e um analógico.
II) Em circuitos mistos, as correntes de retorno pelo terra podem gerar diferenças de potenciais (DDPs) ao longo do caminho até a fonte. Estas DDPs variam ao
longo do tempo e podem se somar a sinais que utilizem esta mesma referência, gerando oscilação em sinais de baixa amplitude constantes do circuito.
Em relação a estas sentenças, pode-se afirmar que:
 a) As duas sentenças são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
 b) As duas sentenças são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
 c) A primeira sentença é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
 d) A primeira sentença é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
 e) Tanto a primeira como a segunda sentenças são falsas.
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Questão 1299: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Ao projetar uma placa de circuito impresso (PCI), devem ser utilizadas algumas técnicas para garantir a minimização de efeitos indesejáveis, tais como: crosstalk, efeitos
parasitas, dentre outros. Para circuitos que utilizam sinais de alta frequência, uma técnica permite a elaboração de guias de transmissão em PCIs. O nome dado a este
tipo de linha de transmissão é:
 a) RFline.
 b) Ground Transmission.
 c) Centerstrip.
 d) Microstrip.
 e) Spurline.
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Questão 1300: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Assinale a alternativa que identifique corretamente o método com as seguintes características:
I) Este método pode ser utilizado para realizar a conexão entre terminais de um chip e uma placa de circuito impresso diretamente, sem a necessidade de
encapsulamento do chip.
II) É um método de baixo custo que consiste na conexão de fios, usualmente ouro, alumínio ou cobre, aos terminais de um chip, permitindo a ligação a um
encapsulamento que facilite o manuseio e a utilização em circuito mais complexo.
 a) Wire-Bonder.
 b) Probe-card.
 c) Flip-chip.
 d) Wire-Probing.
 e) Chip-Soldering.
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Questão 1301: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Um possível método de conexão entre um dispositivo semicondutor e um circuito externo consiste em realizar a conexão do primeiro diretamente ao segundo. Neste
método, os terminais do chip recebem deposições de porções de solda, antes mesmo de sua separação do wafer. Posteriormente, o chip é virado com seus terminais
sobre o circuito externo e a soldagem é realizada pelo derretimento da solda, normalmente através de ar quente. Tal método é conhecido como:
 a) Wire-Bonder.
 b) Probe-card.
 c) Flip-chip.
 d) Wire-Probing.
 e) Chip-Soldering.
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Questão 1302: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O processo de teste de circuitos integrados em uma linha de produção é um passo que consome grande parte do tempo de fabricação. Além disso, é fundamental para a
qualidade dos circuitos produzidos. Várias técnicas foram desenvolvidas para permitir um melhor desempenho neste quesito. Quanto a estas técnicas, analise as
seguintes sentenças:
I) Um dos métodos para contornar alguns problemas encontrados na etapa de testes é o DFT (Design For Testing), aplicado ainda na fase de projeto do produto.
II) No método DFT, o produto é projetado de forma que suas arquiteturas permitam um teste de parâmetros realizado em condições de fábrica em vez de testar
sua forma real de operação.
Em relação a estas sentenças, pode-se afirmar que:
 a) As duas sentenças são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
 b) As duas sentenças são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
 c) A primeira sentença é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
 d) A primeira sentença é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
 e) Tanto a primeira como a segunda sentenças são falsas.
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Questão 1303: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Analise as sentenças abaixo sobre testes na fabricação de circuitos integrados:
I) Durante a fase conhecida como “Wafer Testing”, os circuitos integrados que não forem aprovados em todos os padrões de teste são descartados.
II) Os testes realizados em chips, ainda no wafer, são realizados por amostragem, de acordo com teorias estatísticas permitindo uma avaliação média de cada
lote.
III) Um probe card é um meio de conexão física entre os circuitos integrados fabricados em um wafer e um sistema eletrônico de teste.
Estão corretas as sentenças:
 a) I
 b) I e II
 c) II
 d) II e III
 e) III
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Questão 1304: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MEFA111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A placa de orifício é um dos dispositivos de medição de fluxo mais utilizado na indústria. Em relação a esse dispositivo, pergunta-se qual é o método que ele emprega
para realizar a medição de fluxo.
 a) Pressão diferencial.
 b) Força.
 c) Ciclos ou revoluções.
 d) Frequência.
 e) Temperatura.
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Questão 1305: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIVE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
I. Em verificação de caixa preta (“black-box verification”), a verificação funcional é realizada sem conhecimento da implementação do RTL.
II. Em verificação de caixa branca (“white-box