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Considerando que um conversor digital/analógico deva ser desenvolvido para converter um sinal que deverá alimentar um aparelho específico, julgue o próximo item.
Uma rede composta somente por resistores não pode ser utilizada para a construção do conversor, ainda que seja um conversor simples de 2 bits.
Certo
Errado

Observe o conversor digital-analógico R-2R apresentado na figura abaixo, assumindo um amplificador operacional ideal e uma palavra digital de quatro bits 1010 onde o dígito mais à esquerda é o mais significativo e o mais à direita é o menos significativo, no qual '1' (um) significa que o respectivo terminal X está ligado na posição A e '0' (zero) na posição B.
Assinale a alternativa que completa CORRETAMENTE a afirmativa abaixo.
A tensão de saída V0 é...
a) 10 V.
b) −5 V.
c) 5 V.
d) −10 V.
e) 0 V.

A figura abaixo representa um modelo simples de conversor digital-analógico de quatro bits. Sabendo que suas entradas podem assumir os valores lógicos 1 (5V) ou 0 (0V), determine a saída do circuito quando a palavra digital de entrada for VaVbVcVd=1100, assim como o degrau (step) do conversor.
a) Vs=7,5V; step=1,25V.
a) Vs=7,5V; step=1,25V.
b) Vs=7,5V; step=0,625V.
c) Vs=5,0V; step=0,625V.
d) Vs=1,875V; step=1,25V.
e) Vs=1,875V; step=0,625V.

Um circuito digital “A” foi construído para monitorar o funcionamento de um circuito digital “B”. Para assegurar o funcionamento do circuito “B”, o circuito A verifica se há atividade no circuito “B” através do envio de um sinal e aguarda uma resposta do circuito “B” por um intervalo de tempo, “tk”. Caso esta resposta seja recebida, o circuito “B” está funcionando normalmente e “A” não tem nada a fazer. Caso “B” não responda, dentro do intervalo “tk“, “A” detecta que “B” parou de funcionar (travou) e então envia um sinal de reset ao circuito “B” e este se reinicia.
Em sistemas digitais microprocessados, “tk “ é definido como:
a) Reset time.
b) Restart time.
c) Watchdog time.
d) Ping time.
e) Watchcat time.

Em relação aos microprocessadores é INCORRETO afirmar que
a) as linguagens de baixo nível são compostas por códigos próximos aos interpretados pelo computador e, portanto, possuem alta velocidade de processamento.
b) as linguagens de alto nível se caracterizam pela facilidade de interface com o programador.
c) compiladores são programas que traduzem o programa fonte, gerando o programa objeto.
d) os microprocessadores utilizam números decimais ao efetuar cálculos matemáticos complexos.
e) a ALU é o local onde o microprocessador efetua as operações lógicas e aritméticas.

Um conversor DAC (digital para analógico) de 10 bits tem um tamanho de degrau de 10 mV.
Determine a tensão de saída de fundo de escala e a resolução percentual.
a) FS = 10,24 V; %res = 0,097%
b) FS = 10,23 V; %res = 0,097%
c) FS = 1,024 V; %res = 0,97%
d) FS = 1,023 V; %res = 0,97%
e) FS = 0,1024 V; %res = 9,76%

Com relação à figura acima, que mostra um circuito elétrico para implementar um conversor D/A com resistores ponderados, e considerando R1<

Considere o circuito denominado power-on reset para responder.
A sua função é
a) limpar o conteúdo da memória RAM do microcontrolador no momento em que a alimentação é desligada.
b) filtrar ruídos de RF provenientes da fonte de alimentação.
c) inicializar o microcontrolador no momento em que a alimentação é ligada.
d) estabilizar a tensão aplicada ao pino reset do microcontrolador para evitar que o mesmo seja acionado em instantes indesejáveis.
e) dividir a tensão de alimentação para que a tensão de reset seja menor do que 5 V.

Em um microcontrolador da família 8051 há um pino de dupla função designado por. As duas funções são, respectivamente,
a) bit 2 do port 3 (bidirecional) e habilitação de escrita para memória de dados externa (entrada).
b) bit 3 do port 2 (entrada) e habilitação de leitura para memória de dados externa (saída).
c) bit 2 do port 3 (saída) e interrupção externa 0 (saída).
d) bit 3 do port 2 (bidirecional) e interrupção de leitura 0 (saída).
e) bit 2 do port 3 (bidirecional) e interrupção externa 0 (entrada).

As instruções dos microcontroladores da família MCS-51 utilizam 12 ou 24 períodos de clock, com exceção das instruções MUL AB e DIV AB que utilizam 48 períodos. Considerando a utilização de um cristal de 12 Mhz e as instruções a seguir:
mov R0,a mov R0,#3Fh
a) 10μs e 20μs
b) 1μs e 2μs
c) 2μs e 1μs
d) 20μs e 10μs
e) 0,5μs e 1μs

Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais recursos e configuração flexível às demandas.
Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
Para economia de pinos no encapsulamento desse dispositivo, geralmente faz-se com que alguns pinos possam ser utilizados por unidades funcionais distintas integradas no mesmo. O uso do pino fica, então, definido pela configuração das unidades utilizadas.
Certo
Errado

A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo.
Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
Em programação assembly, geralmente os comandos que realizam operações lógicas e aritméticas acessam o registrador acumulador, ou outro registrador associado a esta unidade, utilizando endereçamento do tipo indexado.
Certo
Errado

O circuito abaixo é usado para inicializar o microcontrolador no instante imediatamente seguinte à sua alimentação.
No microcontrolador, o terminal X deve ser
a) o INT0 (interrupt).
b) qualquer PORT I/O configurado como output.
c) o XTAL0 ou o XTAL1, dependendo do nível lógico ativo.
d) o GND (ground).
e) o RST (reset).

Considere o trecho de programa da família 8051.
Um programa objeto obtido a partir de programação em alto nível tende a ocupar mais espaço de memória quando comparado a um programa objeto, com o mesmo objetivo do anterior, feito em linguagem de baixo nível.
Certo
Errado

O PIC16F84 é perfeitamente adequado para muitas variedades de aplicações, como em indústria automobilística, sensores remotos, fechaduras elétricas e dispositivos de segurança. Dentre as características do PIC16F84, pode-se apontar:
Dentre as características do PIC16F84, pode-se apontar:
a) Possui arquitetura CISC.
b) Cada instrução é composta de 14 bits.
c) Não possui memória programável tipo Flash.
d) A memória de dados compreende memória EEPROM (56 posições) e memória RAM (64 posições).
e) Possui um conjunto de apenas 51 instruções.

No microcontrolador da linha 8051, a instrução responsável por carregar o registrador Stack Pointer, com o endereço 40H da memória, é
No microcontrolador da linha 8051, a instrução responsável por carregar o registrador Stack Pointer, com o endereço 40H da memória, é
a) MOV SP,#40H.
b) MOV @40H, STACK.
c) MOV 40H → SP.
d) ADD 40H:SP.
e) ADD SP:40H@.

A figura abaixo representa um conversor D/A (Digital para Analógico).
Considerando-se na entrada o conjunto de bits 1011, a tensão VS, em volts, será:
a) −12,5
b) −11
c) −10
d) 8
e) 15

Microcomputadores e processadores digitais atualmente são largamente utilizados na indústria para controle de processos. A maioria dos sistemas industriais é de natureza analógica, requerendo assim o uso de conversores do tipo analógico-digital (A/D) e digital-analógico (D/A) a fim de se implementar processos de automação que utilizam microcomputadores e processadores digitais.
Acerca desse assunto, julgue o item a seguir.
Todo sinal analógico que é processado por um computador digital deve primeiramente ser convertido de analógico para digital por meio de um dispositivo denominado sample-and-hold.
Certo
Errado

Solicitou-se a um engenheiro que projetasse um sistema para o monitoramento da temperatura interna de um ambiente. Após estudar diversas possibilidades, o engenheiro optou por utilizar, entre outras coisas, um sensor de temperatura, um conversor A/D e um microcontrolador para ler a temperatura e, em seguida, transmiti-la, por meio de um fio, para uma central de monitoramento para fins de armazenamento desses dados.
Com relação a essa situação hipotética, julgue o item seguinte.
Caso o microcontrolador seja dotado de memória EPROM, o próprio usuário poderá programar essa memória, por meio do uso de hardware e de software apropriados para esse fim.
Certo
Errado

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Questões resolvidas

Considerando que um conversor digital/analógico deva ser desenvolvido para converter um sinal que deverá alimentar um aparelho específico, julgue o próximo item.
Uma rede composta somente por resistores não pode ser utilizada para a construção do conversor, ainda que seja um conversor simples de 2 bits.
Certo
Errado

Observe o conversor digital-analógico R-2R apresentado na figura abaixo, assumindo um amplificador operacional ideal e uma palavra digital de quatro bits 1010 onde o dígito mais à esquerda é o mais significativo e o mais à direita é o menos significativo, no qual '1' (um) significa que o respectivo terminal X está ligado na posição A e '0' (zero) na posição B.
Assinale a alternativa que completa CORRETAMENTE a afirmativa abaixo.
A tensão de saída V0 é...
a) 10 V.
b) −5 V.
c) 5 V.
d) −10 V.
e) 0 V.

A figura abaixo representa um modelo simples de conversor digital-analógico de quatro bits. Sabendo que suas entradas podem assumir os valores lógicos 1 (5V) ou 0 (0V), determine a saída do circuito quando a palavra digital de entrada for VaVbVcVd=1100, assim como o degrau (step) do conversor.
a) Vs=7,5V; step=1,25V.
a) Vs=7,5V; step=1,25V.
b) Vs=7,5V; step=0,625V.
c) Vs=5,0V; step=0,625V.
d) Vs=1,875V; step=1,25V.
e) Vs=1,875V; step=0,625V.

Um circuito digital “A” foi construído para monitorar o funcionamento de um circuito digital “B”. Para assegurar o funcionamento do circuito “B”, o circuito A verifica se há atividade no circuito “B” através do envio de um sinal e aguarda uma resposta do circuito “B” por um intervalo de tempo, “tk”. Caso esta resposta seja recebida, o circuito “B” está funcionando normalmente e “A” não tem nada a fazer. Caso “B” não responda, dentro do intervalo “tk“, “A” detecta que “B” parou de funcionar (travou) e então envia um sinal de reset ao circuito “B” e este se reinicia.
Em sistemas digitais microprocessados, “tk “ é definido como:
a) Reset time.
b) Restart time.
c) Watchdog time.
d) Ping time.
e) Watchcat time.

Em relação aos microprocessadores é INCORRETO afirmar que
a) as linguagens de baixo nível são compostas por códigos próximos aos interpretados pelo computador e, portanto, possuem alta velocidade de processamento.
b) as linguagens de alto nível se caracterizam pela facilidade de interface com o programador.
c) compiladores são programas que traduzem o programa fonte, gerando o programa objeto.
d) os microprocessadores utilizam números decimais ao efetuar cálculos matemáticos complexos.
e) a ALU é o local onde o microprocessador efetua as operações lógicas e aritméticas.

Um conversor DAC (digital para analógico) de 10 bits tem um tamanho de degrau de 10 mV.
Determine a tensão de saída de fundo de escala e a resolução percentual.
a) FS = 10,24 V; %res = 0,097%
b) FS = 10,23 V; %res = 0,097%
c) FS = 1,024 V; %res = 0,97%
d) FS = 1,023 V; %res = 0,97%
e) FS = 0,1024 V; %res = 9,76%

Com relação à figura acima, que mostra um circuito elétrico para implementar um conversor D/A com resistores ponderados, e considerando R1<

Considere o circuito denominado power-on reset para responder.
A sua função é
a) limpar o conteúdo da memória RAM do microcontrolador no momento em que a alimentação é desligada.
b) filtrar ruídos de RF provenientes da fonte de alimentação.
c) inicializar o microcontrolador no momento em que a alimentação é ligada.
d) estabilizar a tensão aplicada ao pino reset do microcontrolador para evitar que o mesmo seja acionado em instantes indesejáveis.
e) dividir a tensão de alimentação para que a tensão de reset seja menor do que 5 V.

Em um microcontrolador da família 8051 há um pino de dupla função designado por. As duas funções são, respectivamente,
a) bit 2 do port 3 (bidirecional) e habilitação de escrita para memória de dados externa (entrada).
b) bit 3 do port 2 (entrada) e habilitação de leitura para memória de dados externa (saída).
c) bit 2 do port 3 (saída) e interrupção externa 0 (saída).
d) bit 3 do port 2 (bidirecional) e interrupção de leitura 0 (saída).
e) bit 2 do port 3 (bidirecional) e interrupção externa 0 (entrada).

As instruções dos microcontroladores da família MCS-51 utilizam 12 ou 24 períodos de clock, com exceção das instruções MUL AB e DIV AB que utilizam 48 períodos. Considerando a utilização de um cristal de 12 Mhz e as instruções a seguir:
mov R0,a mov R0,#3Fh
a) 10μs e 20μs
b) 1μs e 2μs
c) 2μs e 1μs
d) 20μs e 10μs
e) 0,5μs e 1μs

Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais recursos e configuração flexível às demandas.
Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
Para economia de pinos no encapsulamento desse dispositivo, geralmente faz-se com que alguns pinos possam ser utilizados por unidades funcionais distintas integradas no mesmo. O uso do pino fica, então, definido pela configuração das unidades utilizadas.
Certo
Errado

A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo.
Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
Em programação assembly, geralmente os comandos que realizam operações lógicas e aritméticas acessam o registrador acumulador, ou outro registrador associado a esta unidade, utilizando endereçamento do tipo indexado.
Certo
Errado

O circuito abaixo é usado para inicializar o microcontrolador no instante imediatamente seguinte à sua alimentação.
No microcontrolador, o terminal X deve ser
a) o INT0 (interrupt).
b) qualquer PORT I/O configurado como output.
c) o XTAL0 ou o XTAL1, dependendo do nível lógico ativo.
d) o GND (ground).
e) o RST (reset).

Considere o trecho de programa da família 8051.
Um programa objeto obtido a partir de programação em alto nível tende a ocupar mais espaço de memória quando comparado a um programa objeto, com o mesmo objetivo do anterior, feito em linguagem de baixo nível.
Certo
Errado

O PIC16F84 é perfeitamente adequado para muitas variedades de aplicações, como em indústria automobilística, sensores remotos, fechaduras elétricas e dispositivos de segurança. Dentre as características do PIC16F84, pode-se apontar:
Dentre as características do PIC16F84, pode-se apontar:
a) Possui arquitetura CISC.
b) Cada instrução é composta de 14 bits.
c) Não possui memória programável tipo Flash.
d) A memória de dados compreende memória EEPROM (56 posições) e memória RAM (64 posições).
e) Possui um conjunto de apenas 51 instruções.

No microcontrolador da linha 8051, a instrução responsável por carregar o registrador Stack Pointer, com o endereço 40H da memória, é
No microcontrolador da linha 8051, a instrução responsável por carregar o registrador Stack Pointer, com o endereço 40H da memória, é
a) MOV SP,#40H.
b) MOV @40H, STACK.
c) MOV 40H → SP.
d) ADD 40H:SP.
e) ADD SP:40H@.

A figura abaixo representa um conversor D/A (Digital para Analógico).
Considerando-se na entrada o conjunto de bits 1011, a tensão VS, em volts, será:
a) −12,5
b) −11
c) −10
d) 8
e) 15

Microcomputadores e processadores digitais atualmente são largamente utilizados na indústria para controle de processos. A maioria dos sistemas industriais é de natureza analógica, requerendo assim o uso de conversores do tipo analógico-digital (A/D) e digital-analógico (D/A) a fim de se implementar processos de automação que utilizam microcomputadores e processadores digitais.
Acerca desse assunto, julgue o item a seguir.
Todo sinal analógico que é processado por um computador digital deve primeiramente ser convertido de analógico para digital por meio de um dispositivo denominado sample-and-hold.
Certo
Errado

Solicitou-se a um engenheiro que projetasse um sistema para o monitoramento da temperatura interna de um ambiente. Após estudar diversas possibilidades, o engenheiro optou por utilizar, entre outras coisas, um sensor de temperatura, um conversor A/D e um microcontrolador para ler a temperatura e, em seguida, transmiti-la, por meio de um fio, para uma central de monitoramento para fins de armazenamento desses dados.
Com relação a essa situação hipotética, julgue o item seguinte.
Caso o microcontrolador seja dotado de memória EPROM, o próprio usuário poderá programar essa memória, por meio do uso de hardware e de software apropriados para esse fim.
Certo
Errado

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11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 1/39
ELETRONICA DIGITAL ( https://www.tecconcursos.com.br/s/Q152GX )
Engenharia Elétrica e Eletrônica
Questão 1201: CEBRASPE (CESPE) - AJ TRT17/TRT 17/Apoio Especializado/Engenharia Elétrica/2009
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Considerando que um conversor digital/analógico deva ser desenvolvido para converter um sinal que deverá alimentar um aparelho específico, julgue o próximo item.
 
Uma rede composta somente por resistores não pode ser utilizada para a construção do conversor, ainda que seja um conversor simples de 2 bits.
 Certo
 Errado
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/219885
Questão 1202: COPERVE-UFSC - Tec (UFSC)/UFSC/Eletrônica/2009
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Observe o conversor digital-analógico R-2R apresentado na figura abaixo, assumindo um amplificador operacional ideal e uma palavra digital de quatro bits 
1010 onde o dígito mais à esquerda é o mais significativo e o mais à direita é o menos significativo, no qual “1” (um) significa que o respectivo terminal X
está ligado na posição A e “0” (zero) na posição B. 
 
 
Assinale a alternativa que completa CORRETAMENTE a afirmativa abaixo. 
 
A tensão de saída V0 é... 
 a) 10 V. 
 b) −5 V. 
 c) 5 V. 
 d) −10 V. 
 e) 0 V.
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Questão 1203: CGC UNIVASF - Tec Lab (UNIVASF)/UNIVASF/Eletrônica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A figura abaixo representa um modelo simples de conversor digital-analógico de quatro bits. Sabendo que suas entradas podem assumir os valores lógicos 1 (5V) ou 0
(0V), determine a saída do circuito quando a palavra digital de entrada for VaVbVcVd=1100, assim como o degrau (step) do conversor.
 a) Vs=7,5V; step=1,25V.
 b) Vs=7,5V; step=0,625V.
 c) Vs=5,0V; step=0,625V.
 d) Vs=1,875V; step=1,25V.
 e) Vs=1,875V; step=0,625V.
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11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 2/39
Questão 1204: CGC UNIVASF - Tec Lab (UNIVASF)/UNIVASF/Eletrônica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Um circuito digital “A” foi construído para monitorar o funcionamento de um circuito digital “B”. Para assegurar o funcionamento do circuito “B”, o circuito A verifica se há
atividade no circuito “B” através do envio de um sinal e aguarda uma resposta do circuito “B” por um intervalo de tempo, “tk”. Caso esta resposta seja recebida, o circuito
“B” está funcionando normalmente e “A” não tem nada a fazer. Caso “B” não responda, dentro do intervalo “tk“, “A” detecta que “B” parou de funcionar (travou) e então
envia um sinal de reset ao circuito “B” e este se reinicia. Em sistemas digitais microprocessados, “tk “ é definido como:
 a) Reset time.
 b) Restart time.
 c) Watchdog time.
 d) Ping time.
 e) Watchcat time.
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Questão 1205: FUNRIO - Eng (SUFRAMA)/SUFRAMA/Engenharia Eletrônica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Em relação aos microprocessadores é INCORRETO afirmar que
 a) as linguagens de baixo nível são compostas por códigos próximos aos interpretados pelo computador e, portanto, possuem alta velocidade de processamento.
 b) as linguagens de alto nível se caracterizam pela facilidade de interface com o programador.
 c) compiladores são programas que traduzem o programa fonte, gerando o programa objeto.
 d) os microprocessadores utilizam números decimais ao efetuar cálculos matemáticos complexos.
 e) a ALU é o local onde o microprocessador efetua as operações lógicas e aritméticas.
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Questão 1206: PUC PR - Tec (COPEL)/COPEL/Industrial/Eletrônica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Um conversor DAC (digital para analógico) de 10 bits tem um tamanho de degrau de 10 mV.
Determine a tensão de saída de fundo de escala e a resolução percentual.
 a) FS = 10,24 V; %res = 0,097%
 b) FS = 10,23 V; %res = 0,097%
 c) FS = 1,024 V; %res = 0,97%
 d) FS = 1,023 V; %res = 0,97%
 e) FS = 0,1024 V; %res = 9,76%
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Questão 1207: CEBRASPE (CESPE) - AJ TRT5/TRT 5/Apoio Especializado/Engenharia Elétrica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
 
Com relação à figura acima, que mostra um circuito elétrico para implementar um conversor D/A com resistores ponderados, e considerando R1<<R, julgue o item
subseqüente.
A tensão de saída Vs é maior que a tensão dos níveis lógicos digitais de entrada.
 Certo
 Errado
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/118927
Questão 1208: CEBRASPE (CESPE) - AJ TRT5/TRT 5/Apoio Especializado/Engenharia Elétrica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
 
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 3/39
Com relação à figura acima, que mostra um circuito elétrico para implementar um conversor D/A com resistores ponderados, e considerando R1<<R, julgue o item
subseqüente.
Esse circuito D/A, com resistores ponderados, na prática, é o mais utilizado nesse tipo de conversão.
 Certo
 Errado
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/118928
Questão 1209: COPEVE UFMG - Tec (UFMG)/UFMG/Laboratório/Eletroeletrônica/2008
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Se um conversor D/A de oito bits produz uma tensão de saída de 2,0V para uma tensão de entrada igual a , uma entrada digital igual a 
sem uso de bit de sinal, resultará em tensão de saída igual a:
 a) 1,79V.
 b) 3,30V.
 c) 3,58V.
 d) 6,40V.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/755209
Questão 1210: FCC - AJ TRF2/TRF 2/Apoio Especializado/Engenharia Eletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Considere o circuito denominado power-on reset para responder.
A sua função é
 a) limpar o conteúdo da memória RAM do microcontrolador no momento em que a alimentação é desligada.
 b) filtrar ruídos de RF provenientes da fonte de alimentação.
 c) inicializar o microcontrolador no momento em que a alimentação é ligada.
 d) estabilizar a tensão aplicada ao pino reset do microcontrolador para evitar que o mesmo seja acionado em instantes indesejáveis.
 e) dividir a tensão de alimentação para que a tensão de reset seja menor do que 5 V.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/854
Questão 1211: FCC - AJ TRF2/TRF 2/Apoio Especializado/Engenharia Eletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Em um microcontrolador da família 8051 há um pino de dupla função designado por As duas funções são, respectivamente,
 a) bit 2 do port 3 (bidirecional) e habilitação de escrita para memória de dados externa (entrada).
 b) bit 3 do port 2 (entrada) e habilitação de leitura para memória de dados externa (saída).
 c) bit 2 do port 3 (saída) e interrupção externa 0 (saída).
 d) bit 3 do port 2 (bidirecional) e interrupção de leitura 0 (saída).
 e) bit 2 do port 3 (bidirecional) e interrupção externa 0 (entrada).
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Questão 1212: CEFETBAHIA- Tec Lab (IF BA)/IF BA/Eletroeletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
As instruções dos microcontroladores da família MCS-51 utilizam 12 ou 24 períodos de clock, com exceção das instruções MUL AB e DIV AB que utilizam 48 períodos.
Considerando a utilização de um cristal de 12 Mhz e as instruções a seguir:
 
mov R0,a
mov R0,#3Fh
 
Os tempos de processamento dessas instruções serão, respectivamente, iguais a:
 a) 10μs e 20μs
 b) 1μs e 2μs
 c) 2μs e 1μs
 d) 20μs e 10μs
 e) 0,5μs e 1μs
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Questão 1213: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
011001002 101100112
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um
microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de
unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais
recursos e configuração flexível às demandas. Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
 
Para que determinada linha (pino) de entrada digital de dados fique em nível alto de maneira forçada, pode-se utilizar um resistor de pull-up conectado à mesma.
 Certo
 Errado
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Questão 1214: FCC - AJ TRF2/TRF 2/Apoio Especializado/Engenharia Eletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Considere o circuito denominado power-on reset para responder.
A forma de onda gerada, considerando que a alimentação seja ligada no instante t, é
 a) 
 b) 
 c) 
 d) 
 e) 
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Questão 1215: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C
e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível
permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo. Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
 
Na maioria das linguagens em assembly, comandos designados por pop e push, ou palavras semelhantes, estão associados às transferências de dados entre
registradores e a área de pilha na memória.
 Certo
 Errado
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Questão 1216: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um
microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de
unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais
recursos e configuração flexível às demandas. Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
 
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Para economia de pinos no encapsulamento desse dispositivo, geralmente faz-se com que alguns pinos possam ser utilizados por unidades funcionais distintas integradas
no mesmo. O uso do pino fica, então, definido pela configuração das unidades utilizadas.
 Certo
 Errado
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Questão 1217: FCC - AJ TRF2/TRF 2/Apoio Especializado/Engenharia Eletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
No microcontrolador da família 8051, a instrução que realiza um desvio se o acumulador for diferente do dado imediato está representada na forma mnemônica em
 a) DJNZ direto, desvio.
 b) LCALL endereço (addr16).
 c) ADDC A, #dado.
 d) ANL A, #dado.
 e) CJNE A, #dado, desvio.
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Questão 1218: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C
e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível
permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo. Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
 
As diretivas de compilação em programas de alto nível são basicamente utilizadas para realizar complexas operações lógicas e aritméticas no microcontrolador, em tempo
real.
 Certo
 Errado
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Questão 1219: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C
e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível
permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo. Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
 
Em programação assembly, geralmente os comandos que realizam operações lógicas e aritméticas acessam o registrador acumulador, ou outro registrador associado a
esta unidade, utilizando endereçamento do tipo indexado.
 Certo
 Errado
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Questão 1220: FCC - Ana MPU/MPU/Engenharia Elétrica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
O circuito abaixo é usado para inicializar o microcontrolador no instante imediatamente seguinte à sua alimentação.
No microcontrolador, o terminal X deve ser
 a) o INT0 (interrupt).
 b) qualquer PORT I/O configurado como output.
 c) o XTAL0 ou o XTAL1, dependendo do nível lógico ativo.
 d) o GND (ground).
 e) o RST (reset).
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Questão 1221: FCC - AJ TRF2/TRF 2/Apoio Especializado/Engenharia Eletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Considere o trecho de programa da família 8051.
MOV A,#3FH
INC A
MOV P1,A
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Ao final, o port P1, em binário, terá
 a) 00110000
 b) 01001111
 c) 01000001
 d) 01000000
 e) 11000011
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Questão 1222: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto:Microcontroladores e sistemas microprocessados
A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C
e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível
permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo. Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
 
Um programa objeto obtido a partir de programação em alto nível tende a ocupar mais espaço de memória quando comparado a um programa objeto, com o mesmo
objetivo do anterior, feito em linguagem de baixo nível.
 Certo
 Errado
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Questão 1223: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A programação de microcontroladores pode ser feita em linguagens de alto e baixo nível. Para a programação em alto nível, pode-se, por exemplo, utilizar a linguagem C
e um compilador correspondente. Para a programação em baixo nível, utiliza-se a linguagem assembly e o montador correspondente. A programação de baixo nível
permite uma interação mais próxima ao hardware do dispositivo. Acerca de programação de microcontroladores, julgue o item subseqüente.
 
Os comandos em linguagem assembly se caracterizam por mnemônicos curtos relacionados aos seus respectivos objetivos.
 Certo
 Errado
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Questão 1224: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um
microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de
unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais
recursos e configuração flexível às demandas. Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
 
Um microcontrolador com arquitetura do tipo von Neumann possui memórias e barramentos internos distintos para dados e instruções.
 Certo
 Errado
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Questão 1225: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um
microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de
unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais
recursos e configuração flexível às demandas. Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
 
Existem microcontroladores que possuem barramento I2C. Este tipo de barramento é unidirecional em relação ao tráfego de dados. Possui uma linha de sinal para dados
e 3 linhas para handshake.
 Certo
 Errado
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Questão 1226: CEFETBAHIA - Tec Lab (IF BA)/IF BA/Eletroeletrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
O PIC16F84 é perfeitamente adequado para muitas variedades de aplicações, como em indústria automobilística, sensores remotos, fechaduras elétricas e dispositivos de
segurança. Dentre as características do PIC16F84, pode-se apontar:
 a) Possui arquitetura CISC.
 b) Cada instrução é composta de 14 bits.
 c) Não possui memória programável tipo Flash.
 d) A memória de dados compreende memória EEPROM (56 posições) e memória RAM (64 posições).
 e) Possui um conjunto de apenas 51 instruções.
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Questão 1227: CEBRASPE (CESPE) - Of BM (CBM DF)/CBM DF/Complementar/Engenharia Mecatrônica/2007
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Na atualidade, em modernos sistemas automatizados, observa-se o emprego cada vez maior de circuitos embasados em microprocessadores ou microcontroladores. Um
microcontrolador, além de memórias, unidade lógica e aritmética e unidade de execução, pode possuir diversos tipos de unidades funcionais internas. Como exemplos de
unidades, tem-se os conversores AD (analógico-digital), temporizadores, canais de comunicação diversos etc. O objetivo é ter sistemas com menores dimensões, mais
recursos e configuração flexível às demandas. Com relação a microcontroladores, julgue o item a seguir.
 
Em um microcontrolador, a unidade denominada cão de guarda (watchdog) é responsável pela amostragem e retenção da tensão a ser convertida pela unidade de
conversão AD.
 Certo
 Errado
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Questão 1228: FCC - Tec Min (MPE PE)/MPE PE/Apoio Especializado/Telecomunicações/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
No microcomputador 89S52, para ativar um LED ligado no port P2.0 por meio da instrução CLR P2.0, deve-se adotar a configuração:
 a) 
 b) 
 c) 
 d) 
 e) 
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Questão 1229: FCC - Tec Min (MPE PE)/MPE PE/Apoio Especializado/Telecomunicações/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 8/39
Em um microcontrolador da família 8051 há algumas instruções Assembly capazes de zerar o conteúdo do acumulador. Duas delas são
 a) MOV A = 00H e CLR ACC
 b) MOV A,#00H e CLR A
 c) MOV A,#00H e SUBB A – A = 0
 d) MOV A = 00H e AND A,00H
 e) MOV A → 00H e SUBB A – A → A
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Questão 1230: FCC - Tec Min (MPE PE)/MPE PE/Apoio Especializado/Eletrônica/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Em um microcontroador da família 8051, os pinos e são
 a) para habilitação de memória de programa externa.
 b) entradas de interrupção externas.
 c) saídas de dados seriais.
 d) para habilitação de leitura de memória de dados externa.
 e) entradas de pulsos de clock externos.
 
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Questão 1231: FCC - AJ TRE SP/TRE SP/Apoio Especializado/Engenharia Elétrica/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Um microcontrolador da linha 8051 tem o pino de reset ativo em nível alto. O circuito que pode ser usado na função de power-on reset é:
 a) 
 b) 
 c) 
 d) 
 e) 
INTO
−−−
INT1
−−−
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Questão 1232: FCC - AJ TRE SP/TRE SP/Apoio Especializado/Engenharia Elétrica/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
No microcontrolador da linha 8051, a instrução responsável por carregar o registradorStack Pointer, com o endereço 40H da memória, é
 a) MOV SP,#40H.
 b) MOV @40H, STACK.
 c) MOV 40H → SP.
 d) ADD 40H:SP.
 e) ADD SP:40H@.
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Questão 1233: FCC - Tec Min (MPE PE)/MPE PE/Apoio Especializado/Eletrônica/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Um microcontrolador da família 8051 possui dois pinos que servem como entrada e saída seriais de dados. Esses pinos são, respectivamente,
 a) RxD e TxD
 b) ALE e 
 c) T0 e T1
 d) e 
 e) XTAL1 e XTAL2
 
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Questão 1234: FCC - Tec Min (MPE PE)/MPE PE/Apoio Especializado/Eletrônica/2006
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Considere o programa abaixo, escrito para um microcontrolador da família 8051:
 
VOLTA: 
 
CLR A
MOV R0,#03H
INC A
DEC R0
CJNE R0,#00H,VOLTA
MOV R1,#05H
END
 
Ao final do processamento do programa, o conteúdo do acumulador A e dos registradores R0 e R1 serão:
 
 a) 
 b) 
 c) 
 d) 
 e) 
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Questão 1235: CESGRANRIO - Ass Leg Esp (ALTO)/ALTO/Assistência Técnica em Áudio/2005
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
A figura abaixo representa um conversor D/A (Digital para Analógico).
 
PSEN
−−−−
WR
−−−−
RD
−−−−
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 10/39
 
VA, VB, VC e VD são tensões correspondentes aos níveis lógicos binários da família TTL, onde o nível lógico 1 corresponde à tensão de 5V e o nível 0 corresponde a 0V.
Sabe-se que a tensão VA corresponde ao bit mais significativo.
 
Considerando-se na entrada o conjunto de bits 1011, a tensão VS, em volts, será:
 a) −12,5
 b) −11
 c) −10
 d) 8
 e) 15
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Questão 1236: CEBRASPE (CESPE) - Eng Elet (PF)/PF/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Microcomputadores e processadores digitais atualmente são largamente utilizados na indústria para controle de processos. A maioria dos sistemas industriais é de
natureza analógica, requerendo assim o uso de conversores do tipo analógico-digital (A/D) e digital-analógico (D/A) a fim de se implementar processos de automação que
utilizam microcomputadores e processadores digitais. 
Acerca desse assunto, julgue o item a seguir.
Todo sinal analógico que é processado por um computador digital deve primeiramente ser convertido de analógico para digital por meio de um dispositivo denominado
sample-and-hold.
 Certo
 Errado
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Questão 1237: CEBRASPE (CESPE) - OI (ABIN)/ABIN/Código 10 (Engenharia Elétrica)/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
 Solicitou-se a um engenheiro que projetasse um sistema para o monitoramento da temperatura interna de um ambiente. Após estudar diversas possibilidades, o
engenheiro optou por utilizar, entre outras coisas, um sensor de temperatura, um conversor A/D e um microcontrolador para ler a temperatura e, em seguida, transmiti-
la, por meio de um fio, para uma central de monitoramento para fins de armazenamento desses dados.
Com relação a essa situação hipotética, julgue o item seguinte.
Caso o microcontrolador seja dotado de memória EPROM, o próprio usuário poderá programar essa memória, por meio do uso de hardware e de software apropriados
para esse fim.
 Certo
 Errado
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Questão 1238: CEBRASPE (CESPE) - Eng Elet (PF)/PF/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Microcomputadores e processadores digitais atualmente são largamente utilizados na indústria para controle de processos. A maioria dos sistemas industriais é de
natureza analógica, requerendo assim o uso de conversores do tipo analógico-digital (A/D) e digital-analógico (D/A) a fim de se implementar processos de automação que
utilizam microcomputadores e processadores digitais. 
Acerca desse assunto, julgue o item a seguir.
Sistemas de tempo discreto utilizam grandezas amostradas no tempo.
 Certo
 Errado
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Questão 1239: CEBRASPE (CESPE) - OI (ABIN)/ABIN/Código 10 (Engenharia Elétrica)/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
 Solicitou-se a um engenheiro que projetasse um sistema para o monitoramento da temperatura interna de um ambiente. Após estudar diversas possibilidades, o
engenheiro optou por utilizar, entre outras coisas, um sensor de temperatura, um conversor A/D e um microcontrolador para ler a temperatura e, em seguida, transmiti-
la, por meio de um fio, para uma central de monitoramento para fins de armazenamento desses dados.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 11/39
Com relação a essa situação hipotética, julgue o item seguinte.
Caso o usuário utilize um termistor para a captação dos dados de temperatura no equipamento, não será necessário o uso de nenhum circuito analógico adicional para o
condicionamento do sinal de temperatura proveniente do termistor, pois este é um dispositivo ativo que gera uma tensão diretamente proporcional à temperatura e que
pode, por isso, ser ligado diretamente aos terminais do conversor A/D.
 Certo
 Errado
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Questão 1240: CEBRASPE (CESPE) - Eng Elet (PF)/PF/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Julgue o item a seguir, a respeito da aplicação de conversores D/A que são adequadamente ajustados para atuar no circuito de controle de um motor de corrente
contínua.
À saída do conversor D/A pode ser inserido um circuito de potência transistorizado.
 Certo
 Errado
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Questão 1241: CEBRASPE (CESPE) - Eng Elet (PF)/PF/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
Julgue o item a seguir, a respeito da aplicação de conversores D/A que são adequadamente ajustados para atuar no circuito de controle de um motor de corrente
contínua.
O conversor D/A pode ser utilizado para controle de velocidade do motor. Mas não deve ser utilizado em situações que requeiram reversão do sentido de rotação. 
 Certo
 Errado
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Questão 1242: CEBRASPE (CESPE) - OI (ABIN)/ABIN/Código 10 (Engenharia Elétrica)/2004
Assunto: Microcontroladores e sistemas microprocessados
 Solicitou-se a um engenheiro que projetasse um sistema para o monitoramento da temperatura interna de um ambiente. Após estudar diversas possibilidades, o
engenheiro optou por utilizar, entre outras coisas, um sensor de temperatura, um conversor A/D e um microcontrolador para ler a temperatura e, em seguida, transmiti-
la, por meio de um fio, para uma central de monitoramento para fins de armazenamento desses dados.
Com relação a essa situação hipotética, julgue o item seguinte.
Caso o microcontrolador possua um timer interno, esse timer poderá ser útil para o projeto do sistema, uma vez que pode ser utilizado no controle da freqüência de
amostragem do sinal de temperatura.
 Certo
 Errado
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Questão 1243: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Com relação às etapas do fluxo de projeto, considereas afirmativas abaixo:
I – Floorplanning é o processo de posicionar as células em locais apropriados dentro do chip.
II – Na análise estática de tempo (STA), o projetista cria vetores de teste que são simulados utilizando a gate-level netlist para verificar os requisitos de tempo.
III – Na etapa de floorplannig ocorre o planejamento das linhas de alimentação do chip.
Está correto APENAS o que se afirma em:
 a) I.
 b) II.
 c) III.
 d) I e II.
 e) II e III.
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Questão 1244: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
As coberturas antirrefletoras (ARC) em fotolitografia são utilizadas para
 a) reduzir as ondas estacionárias em fotorresistes.
 b) reduzir a dose do UV nos fotorresistes.
 c) diminuir a espessura dos fotorresistes.
 d) reduzir a sensibilidade dos fotorresistes.
 e) atuar como filtros de UV em fotorresistes.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Questão 1245: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O que significa CD (Critical Dimension) in microlitografia?
 a) A menor linha da máscara litográfica.
 b) A menor dimensão para fabricar um transistor MOS.
 c) A menor dimensão definida por processo litográfico.
 d) A menor espessura do fotorresiste.
 e) A maior espessura do fotorresiste.
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Questão 1246: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Defina o termo stripping para litografia.
 a) Revelação do fotorresiste.
 b) Estabilização do fotorresiste.
 c) Completa remoção do fotorresiste.
 d) Etapa posterior à litografia para corrosão do substrato.
 e) Limpeza do substrato antes do spinning.
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Questão 1247: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Que lei rege a revelação do fotorresiste?
 a) A difusão de Fickian ou Lei de Bruner’s.
 b) A lei de Lambert.
 c) A lei de Swelling.
 d) A lei de não linearidade de Raylleig.
 e) A lei da difusão de Mark-Houwink.
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Questão 1248: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quais as principais causas das ondas estacionárias nos fotorresistes?
 a) Pouca mobilidade das cadeias poliméricas no fotorresiste.
 b) Pouca difusão do foto-ácido.
 c) Espessura do fotorresiste.
 d) A difração nos limites das lentes e nas bordas das estruturas nas máscaras.
 e) Comprimento de onda utilizado.
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Questão 1249: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Que fenômenos podem ocorrer no fotorresiste negativo após a exposição?
 a) Ativação do foto-ácido, cross-link, dissolução do polímero.
 b) Cross-link, polimerização, formação de grupos polares ou apolares, mudança do estado de oxidação dos íons.
 c) Ativação do foto-ácido, polimerização, mobilização das cadeias poliméricas.
 d) Dissolução do polímero, foto-ativação, difusão de íons.
 e) Inibição do foto-ácido, estabilização térmica, cross-link.
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Questão 1250: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quais as funções das curas no processamento do fotorresiste positivo, sotbake, PEB e hardbake respectivamente:
 a) Amolecimento do fotorresiste, uniformização da área exposta, endurecimento do fotorresiste.
 b) Amolecimento do fotorresiste, exposição do fotorresiste, endurecimento do fotorresiste.
 c) Uniformização da camada, endurecimento do fotorresiste, interrupção da revelação.
 d) Refluxo do fotorresiste, evaporação do solvente e inibição do foto-ácido.
 e) Evaporação do solvente e ativação do foto-ácido, refluxo do fotorresiste e inibição do foto-ácido com estabilização do fotorresiste.
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Questão 1251: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Para verificar erros de alinhamento em dispositivos, podem ser utilizados dispositivos
 a) elétricos simples e medidas de resistência.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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 b) observados do posicionamento da porta do transistor MOS.
 c) alternativos além das marcas de alinhamento.
 d) por interferometria ótica.
 e) por microscopia holográfica.
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Questão 1252: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Durante a etapa de síntese, diversas modificações são realizadas na estrutura do circuito para que as restrições do projeto sejam atingidas. Existem também
especificações de projeto que são colocadas nessa fase, como multi-cycle path ou false path. Alteram algumas estruturas, mas não a funcionalidade do sistema. As
ferramentas de síntese podem gerar um script contendo essas informações, que serão usadas em
 a) Floorplaning.
 b) Cross-talking.
 c) IR Drop.
 d) Placement.
 e) LEC.
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Questão 1253: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Como é verificado o erro de alinhamento entre níveis na litografia?
 a) Através das marcas de alinhamento.
 b) Através de estruturas do tipo Verniers.
 c) Por interferência ótica.
 d) Pela medição da largura de linha.
 e) Pela resolução do sistema ótico.
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Questão 1254: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Uma empresa de CI planeja lançar um microcontrolador que possui diversos periféricos, como conversores AD e DA, SPI, USB, I²C e memórias. Durante a fase de testes
em laboratório, detectou-se que o microcontrolador funcionou corretamente com todos os periféricos. Porém, quando os dados foram enviados para USB, mesmo não
sendo utilizados, provocaram uma pane geral no chip. O caso descrito pode ser caracterizar como
 a) Electromigration.
 b) Cross-talking.
 c) Hold Violation.
 d) Setup Violation.
 e) Antenna Violation.
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Questão 1255: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O que é o erro de alinhamento?
 a) É o erro observado entre a litografia e a corrosão.
 b) É o deslocamento dentre os níveis de fabricação de um CI.
 c) É o erro ocasionado pela distância entre a máscara litográfica e a lâmina de silício.
 d) É a rotação entre máscara litográfica e a lâmina de silício.
 e) É a má definição das estruturas litografadas.
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Questão 1256: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A 'Síntese Física' é o processo no qual há uma realimentação do projeto físico para a síntese. Sobre essa operação é correto afirmar o seguinte:
 a) Devido à complexidade encontrada no projetofísico, a nova síntese resultará em uma arquitetura otimizada, já que o modelo wireload é o mais preciso para
projetos já roteados.
 b) As otimizações para low-power não serão afetadas ou incrementadas pela síntese física.
 c) Tem como objetivo a combinação de otimizações de tempo, área, potência e condições de roteamento, devido à utilização de uma nova biblioteca de células.
 d) As informações realimentadas para a síntese referem-se aos dados mais precisos de resistência e capacitância das interconexões, resultando em uma melhora nas
estimativas de temporização e consumo de potência.
 e) A síntese física não leva em consideração os aspectos do leiaute.
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Questão 1257: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual a necessidade de estruturas de inspeção em litografia?
 a) Para o controle do processo litográfico sem que haja a necessidade de fabricar totalmente o dispositivo.
 b) Para testar o sistema ótico da alinhadora.
 c) É utilizado como marca d’água pelo fabricante das máscaras.
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 d) Para o controle do projetista da máscara litográfica.
 e) Só é utilizada ao término do dispositivo.
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Questão 1258: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Onde se aplica o limite de Abbe em fotolitografia?
 a) No projeto das máscaras litográficas.
 b) No projeto de lentes da alinhadora.
 c) No cálculo do limite de resolução do sistema óptico das alinhadoras.
 d) No limite do microscópio utilizado para o alinhamento.
 e) Na escolha da lâmpada da alinhadora.
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Questão 1259: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual a equação do limite de Rayleigh?
 a) R = 1,22 N.
 b) R = 4 N.
 c) R = 1,22 .
 d) R = 1,32 N.
 e) R = 2 N.
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Questão 1260: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quais as principais causas do limite de resolução em fotolitografia?
 a) Espessura do fotorresiste, tempo de cura e revelador.
 b) Material da máscara litográfica e tipo de alinhadora.
 c) Tecnologia do dispositivo e fabricante da máscara.
 d) Revelador utilizado, tempo de exposição do fotorresiste e conteúdo sólido do fotorresiste.
 e) Comprimento de onda, tipo de fotorresiste, sistema ótico da alinhadora e limite de definição da máscara.
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Questão 1261: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Com relação às spare cells, pode-se afirmar que:
 a) São introduzidas somente no estágio de Back-End (projeto físico).
 b) São células posicionadas aleatoriamente tendo sua utilização possibilitada somente pelo processo de FIB (Focus Ion Beam).
 c) Permite pequenas correções no projeto do chip já fabricado, reduzindo os custos das máscaras.
 d) São utilizados apenas em ECOs (Engineering Change Order) para alterar as máscaras de dopagem.
 e) São células utilizadas para manter a coerência nas ligações das linhas de alimentação e terra.
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Questão 1262: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual a definição de resolução em litografia?
 a) Menor distância entre dois pontos observados no microscópio.
 b) Espaço entre duas estruturas em um dispositivo.
 c) Comprimento de onda do UltraVioleta utilizado.
 d) Menor distância entre duas linhas definidas no resiste.
 e) Significado definido pelo fabricante da alinhadora.
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Questão 1263: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Como se define a profundidade de foco em fotolitografia?
 a) É a maior profundidade em que é projetada a imagem no fotorresiste sem que haja perda de definição das bordas.
 b) É a maior área do fotorresiste iluminada durante a exposição litográfica.
 c) É a distância em que deve ser colocada a lâmina de silício em relação à máscara litográfica.
 d) É a espessura máxima do fotorresiste.
 e) É a profundidade das trincheiras obtidas após a revelação do fotorresiste.
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Questão 1264: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FOTOLI/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual a definição de litografia em processos de microeletrônica?
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 a) A escrita em substratos planos.
 b) Qualquer método de definição de padrões em circuitos integrados.
 c) A etapa de processo utilizada para a transferência de padrões na fabricação de circuitos integrados.
 d) Método ótico de escrita direta.
 e) Método de fabricação de circuitos integrados.
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Questão 1265: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Processos de Sputtering têm várias aplicações na produção de circuitos integrados. Considere o processo que envolve as etapas abaixo.
I – Emissão de um feixe de íons.
II – Íons se chocam contra o alvo, provocando o arrancamento de átomos do alvo.
III – Os átomos ejetados são termodinamicamente instáveis e depositam-se sobre as paredes da câmara e sobre o substrato.
IV – Os átomos recobrem o substrato com um filme fino.
O processo acima descrito corresponde a
 a) Etching.
 b) Espectrometria de massa por íons secundários.
 c) Deposição química a partir de vapor.
 d) Deposição química de vapor melhorada por plasma.
 e) Deposição física de vapor por Sputtering.
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Questão 1266: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Assinale a opção que apresenta a vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
 a) Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato auto-alinhadas.
 b) Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato desalinhadas.
 c) Esses materiais jamais formam estruturas de contato auto-alinhadas.
 d) Não existe vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
 e) Esses silicetos têm baixo ponto de fusão e, por isso, grande condutividade.
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Questão 1267: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Considerando as duas principais aplicações dos silicetos - porta em transistores MOS e como metal de contato sobre as regiões de fonte e dreno desses transistores - a
escolha do siliceto para estas utilizações requer a observação do seguinte requisito:
 a) máxima penetração na junção.
 b) alta resistividade.
 c) alta rugosidade.
 d) existência de processo de corrosão seletiva do metal evaporado em relação ao siliceto.
 e) Reação ao SiO2 durante as temperaturas de silicetação.
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Questão 1268:FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Sobre o IR Drop e as técnicas para a minimização do seu impacto, é correto afirmar o seguinte:
 a) É um efeito decorrente do alto consumo de potência pois as fontes de alimentação não suportam o alto consumo de corrente, reduzindo o nível de tensão nas
células. Pode ser minimizado com um melhor planejamento das linhas de alimentação.
 b) Causa uma redução na tensão de alimentação em certas regiões do chip e eleva a tensão do terra (ground bounce). Pode ser minimizado com a inserção de
capacitores entre as linhas de alimentação.
 c) Modifica as características dos atrasos nas células, o que incorre em resultados diferentes para a análise temporal. Pode ser resolvido adicionando diodos nas
linhas de alimentação.
 d) Aumenta o atraso nas interconexões devido ao aumento da carga de cada célula que é alimentada por esse sinal. Pode-se minimizar usando as camadas
superiores de metalização para reduzir as resistências parasitas.
 e) O aumento da resistência interna das células devido às correntes causa uma redução na tensão de alimentação das mesmas. Pode ser minimizado com o aumento
da espessura dos metais de alimentação nas camadas de metalização inferiores.
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Questão 1269: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Considere os seguintes efeitos:
1) Da variação da espessura do dielétrico entre as camadas de metal.
2) Decréscimo do yield.
3) Aumento das capacitâncias de acoplamento.
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4) Degradação do desempenho (tempo).
O metal fiel é uma técnica utilizada para reduzir quantos desses efeitos?
 a) Apenas o primeiro.
 b) Apenas o segundo.
 c) Apenas o terceiro.
 d) Apenas o quarto.
 e) Todos os quatro.
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Questão 1270: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Pode-se afirmar que o SALICIDE é o emprego de
 a) silicetos na estrutura desalinhada.
 b) silicetos na estrutura auto-alinhada.
 c) silicetos na estrutura.
 d) tungstênio na estrutura auto-alinhada.
 e) tungstênio na estrutura desalinhada.
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Questão 1271: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A utilização de silicetos na estrutura auto-alinhada possibilita
 a) a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a baixa velocidade de operação do dispositivo.
 b) a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
 c) a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
 d) a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
 e) a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
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Questão 1272: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Para o estudo de conformidade e morfologia de filmes finos, a microscopia eletrônica de varredura pode ser utilizada para
 a) obter a densidade areal.
 b) obter informações da composição C (Configuração do material como uma função da profundidade imediatamente abaixo da superfície, geralmente alguns
micrômetros).
 c) determinar a distribuição das impurezas em filmes finos como função da profundidade.
 d) estiramento das moléculas.
 e) obter a composição química.
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Questão 1273: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A incorporação de oxigênio (O2) residual ao filme fino pode causar
 a) aumento da resistividade do filme.
 b) indução à formação de hillocks.
 c) tensões.
 d) inibição à formação de hillocks.
 e) aumento da condutividade.
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Questão 1274: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Nos circuitos integrados, deseja-se determinar a fase em que se encontram os silicetos, utilizando-se, para isso, a difratografia por raios-X. Essa técnica permite
determinar
 a) o estiramento das moléculas.
 b) a densidade areal do filme.
 c) a composição física do filme.
 d) a estrutura do filme formado.
 e) a microestrutura do filme formado.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/160810
Questão 1275: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O aquecimento do substrato proporciona uma boa cobertura de degrau porque
 a) aumenta a mobilidade dos elétrons.
 b) aumenta a mobilidade dos átomos no interior do substrato.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 17/39
 c) aumenta a mobilidade dos íons.
 d) aumenta a mobilidade dos átomos na superfície.
 e) diminui a mobilidade dos átomos na superfície.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/160809
Questão 1276: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O facetamento por Sputtering decorre da dependência da taxa de remoção em relação ao ângulo de incidência dos íons que bombardeiam a superfície. Com relação ao
ângulo entre o feixe de íons incidentes e a superfície bombardeada pelo feixe, a taxa de remoção será menor para um ângulo de
 a) 45º.
 b) 67,5º.
 c) 90º.
 d) 0º.
 e) 135º.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/160808
Questão 1277: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Com relação ao fenômeno da Eletromigração, pode-se afirmar que
 a) o resultado dessa migração é a formação de degraus no filme, devido ao excesso de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
 b) o resultado dessa migração é a formação de depressões no filme, devido à falta de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
 c) o resultado dessa migração é a formação de degraus no filme, devido à falta de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
 d) o resultado dessa migração é a formação de depressões no filme, devido ao excesso de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
 e) o aumento da condutividade ocorre no estrangulamento do filme.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/160807
Questão 1278: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No estrangulamento do filme, na Eletromigração, ocorre
 a) um aumento de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
 b) uma diminuição de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
 c) uma diminuição de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
 d) um aumento de temperatura que acelerao processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
 e) uma diminuição de temperatura que não acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
Esta questão não possui comentário do professor no site. www.tecconcursos.com.br/questoes/160806
Questão 1279: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um dos grandes problemas enfrentados no projeto digital é a falta de especificação dos atrasos nos circuitos fora do chip. Para minimizar esses problemas, uma solução é
a utilização de constraints somente nas interfaces. No caso do sinal de entrada, o objetivo é garantir que a captura do sinal pelo chip seja feita no menor tempo possível.
Para um sistema com um período de clock de 30ns, quais as constraints que mais se ajustam para que o sinal de entrada seja obrigatoriamente estável por apenas 7ns
(excetuando-se os tempos inerentes ao clock)?
 a) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_input_delay -max 23.0 -clock CLK {data_in}
 set_input_delay -min 0.0 -clock CLK {data_in}
 b) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_input_delay -max 7.0 -clock CLK {data_in}
 set_input_delay -min 0.0 -clock CLK {data_in}
 c) create_clock –period 30 –waveform {0 7} CLK
 set_input_delay -max 15.0 -clock CLK {data_in}
 set_input_delay -min 7.0 -clock CLK {data_in}
 d) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_input_delay -max 7.0 -clock CLK {data_in}
 set_input_delay -min 23.0 -clock CLK {data_in}
 e) create_clock –period 30 –waveform {0 7} CLK
 set_input_delay -max 15.0 -clock CLK {data_in}
 set_input_delay -min 0.0 -clock CLK {data_in}
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Questão 1280: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIBA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um dos grandes problemas enfrentados no projeto digital é a falta de especificação dos atrasos nos circuitos fora do chip. Para minimizar esses problemas, uma solução é
a utilização de constraints somente nas interfaces. No caso do sinal de saída, o objetivo é garantir que o sinal esteja estável pela maior tempo possível. Para um sistema
com um período de clock de 30ns, quais as constraints que mais se ajustam para que o sinal de saída esteja obrigatoriamente estável por apenas 7ns (excetuando-se os
tempos inerentes ao clock)?
 a) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_output_delay -max 23.0 -clock CLK {data_out}
 set_output_delay -min 0.0 -clock CLK {data_out}
 b) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_output_delay -max 7.0 -clock CLK {data_out}
 set_output_delay -min 23.0 -clock CLK {data_out}
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 18/39
 c) create_clock –period 30 –waveform {0 7} CLK
 set_output_delay -max 15.0 -clock CLK {data_out}
 set_output_delay -min 7.0 -clock CLK {data_out}
 d) create_clock –period 30 –waveform {0 7} CLK
 set_output_delay -max 15.0 -clock CLK {data_out}
 set_output_delay -min 0.0 -clock CLK {data_out}
 e) create_clock –period 30 –waveform {0 15} CLK
 set_output_delay -max 7.0 -clock CLK {data_out}
 set_output_delay -min 0.0 -clock CLK {data_out}
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Questão 1281: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Eletromigração pode ser definida como
 a) o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento das partículas que fluem no
condutor aos átomos que compõe o metal.
 b) o fenômeno do deslocamento do metal em linhas grossas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no
condutor aos átomos que não compõe o metal.
 c) o fenômeno da transformação do metal em grossas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no
condutor aos átomos que compõe o metal.
 d) o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos íons que fluem no
condutor aos átomos que compõe o metal.
 e) o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no
condutor aos átomos que compõe o metal.
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Questão 1282: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A densidade de plasma será tanto maior quanto maior for
 a) o grau de ionização.
 b) a quantidade de radicais livres.
 c) a quantidade de partículas sólidas a alta velocidade.
 d) a quantidade de átomos.
 e) a quantidade de moléculas.
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Questão 1283: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No processo de geração de plasma, quando se aumenta a voltagem, a densidade do plasma
 a) não se altera.
 b) diminui.
 c) aumenta.
 d) fica instável.
 e) aumenta ou diminui em função do tipo de gás.
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Questão 1284: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDICO/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Tendo em vista o fluxo de implementação de um projeto digital de um Circuito Integrado de Aplicação Específica (ASIC – “Application Specific Integrated Circuit”), pode-
se afirmar que o processo de “Floorplanning”
 a) prepara a região do chip que será utilizada para implementar os módulos do projeto.
 b) verifica os requisitos de desempenho de todos os sinais do circuito com relação ao tempo de propagação entre os módulos.
 c) realiza a distribuição dos blocos de um circuito ao longo do chip, definindo a localização dos pinos de entrada e saída e de alimentação.
 d) define o tipo de recobrimento utilizado na estrutura do chip.
 e) planeja a distribuição de consumo ao longo da superfície do chip, buscando a uniformização na distribuição de potência.
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Questão 1285: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A densidade do plasma está relacionada com a frequência utilizada e com a/o
 a) operador do equipamento.
 b) fonte de alimentação.
 c) diferença de potencial.
 d) temperatura do processo.
 e) modo de acoplamento.
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Questão 1286: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./TTMIE11/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Para o projeto e geração de um layout de uma placa de circuito impresso (PCI), são utilizados programas de CAD (Computer Aided Design). Tais programas agilizam o
processo de projeto e construção das imagens de uma PCI e permite a geração de um arquivo que pode ser enviado a uma indústria para a fabricação da PCI. Para o
processo completo, são necessários alguns passos. Dentre estes, podem-se destacar:
I) Elaboração do esquemático
II) Definição dos encapsulamentos, pinagens e simbologia dos componentes utilizados
III) Geração de uma netlist
IV) Geração dos gerbers
V) Roteamento
VI) Posicionamento dos componentes
A correta ordem dos passos é:
 a) I, II, III, VI, IV, V
 b) II, I, III, V, VI, IV
 c) I, II, III, V, VI, IV
 d) II, I, III, VI, V, IV
 e) VI, II, III,I, V, IV
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Questão 1287: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Considerando as propriedades de um plasma e as de um gás com moléculas eletricamente neutras é correto afirmar que
 a) um plasma, assim como um gás com moléculas neutras, tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, além de não absorver qualquer tipo de
radiação.
 b) um plasma não tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, ambos absorvem certos
tipos de radiação.
 c) um plasma tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, ambos absorvem radiação.
 d) um plasma não tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, assim como um gás com moléculas neutras. Além disso, não absorve qualquer tipo de
radiação.
 e) um plasma tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, um plasma absorve certos tipos
de radiação que passariam sem interagir em um gás formado por moléculas neutras.
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Questão 1288: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Assinale uma desvantagem do processo de deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.
 a) Contaminação química e por partículas.
 b) Elevada temperatura.
 c) Baixa taxa de deposição.
 d) Péssima cobertura de degrau.
 e) Não possui desvantagem.
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Questão 1289: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Uma vantagem do reator para deposição química a partir de vapor melhorada por plasma é
 a) o mecanismo simples.
 b) a elevada temperatura.
 c) a alta taxa de deposição.
 d) ser isento de contaminação.
 e) não ter vantagens.
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Questão 1290: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O tipo de reator de deposição química melhorada por plasma (PECVD) utilizado para obter um processamento de substratos com diâmetros maiores que 200 mm
 a) é impossível ter substratos com diâmetros maiores que 200 mm.
 b) é o de tubo horizontal.
 c) é o de placas paralelas.
 d) é o de substrato único.
 e) é o de tubo vertical.
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Questão 1291: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quanto aos reatores de deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD), é correto afirmar que
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 a) as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões acima de 0,1 atm.
 b) as frequências utilizadas estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões são de até 0,01 atm.
 c) as frequências utilizadas estão na faixa do ultravioleta e as pressões acima de 0,1 atm.
 d) as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões são de até 0,01 atm.
 e) as frequências estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões devem ser maiores que 0,1 atm.
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Questão 1292: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Os 3 (três) tipos principais de reatores para deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD) são as placas
 a) perpendiculares, tubo horizontal e substrato único.
 b) paralelas, tubo horizontal e substrato duplo.
 c) paralelas, tubo horizontal e substrato único.
 d) paralelas, tubo vertical e substrato único.
 e) paralelas, tubo vertical e substrato duplo.
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Questão 1293: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./FILFIN/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Leia atentamente as afirmativas abaixo.
I – O plasma pode ser caracterizado por fluorescência de raios-X.
II – A espectrometria de emissão ótica é uma técnica de caracterização de plasma baseada na emissão de fótons característicos pelo plasma.
III – A espectrometria de emissão ótica possibilita a quantificação de espécies ativas e a medida da temperatura dos elétrons, dentre outras medidas possíveis.
Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
 a) Apenas I está correta.
 b) Apenas II está correta.
 c) Apenas III está correta.
 d) Apenas I e II estão corretas.
 e) Apenas II e III estão corretas.
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Questão 1294: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDICO/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No projeto de um Circuito Integrado de Aplicação Específica (ASIC – “Application Specific Integrated Circuit”), o processo de realizar as conexões entre os módulos e
entre as células lógicas, de forma que os sinais possam trafegar de acordo com os requisitos de tempo, chama-se
 a) Floorplanning.
 b) Posicionamento.
 c) Síntese de conexão.
 d) Roteamento.
 e) Static Timing Analysis.
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Questão 1295: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em uma linha de produção de circuitos integrados, os testes demandam uma grande parte do tempo e de homens-hora por peça gastos no processo. Em contrapartida, é
um passo essencial na cadeia produtiva, permitindo muitas vezes detectar antecipadamente falhas no processo produtivo, evitando custos desnecessários. Com relação
aos testes de semicondutores, analise as seguintes sentenças e assinale a opção correta:
I) O BISR (Built-In-Self-Repair) é uma técnica muito utilizada na fabricação de memórias.
II) Na fabricação de memórias, quando estas apresentam um padrão de repetitividade de blocos funcionais, podem ser criados blocos extras dentro do circuito
que no caso de uma falha pontual podem substituir os blocos problemáticos.
 a) As duas sentenças são verdadeiras, e a segunda complementa a definição da primeira.
 b) As duas sentenças são verdadeiras, mas a segunda não está relacionada com a definição da primeira.
 c) A primeira sentença é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
 d) A primeira sentença é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
 e) Tanto a primeira como a segunda sentenças são falsas.
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Questão 1296: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Durante o projeto e layout de uma placa de circuito impresso (PCI), alguns arquivos são gerados durante o processo. Ao finalizar o esquemático de um circuito, o
programa de projeto gera um arquivo que contem informações acerca dos componentes, alguns de seus atributos e as conexões realizadas entre eles, ou seja, define
como os componentes de um circuito se conectam. Este arquivo é conhecido como:
 a) Netlist.
 b) CAD.
 c) Router.
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 d) Gerber.
 e) Tango.
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Questão 1297: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDICO/2012
Assunto: Tópicosavançados em microeletrônica
Ao se definir em um projeto de um Circuito Integrado de Aplicação Específica (ASIC – “Application Specific Integrated Circuit”) as interconexões dos sinais de relógio
(clock), um dos problemas a ser resolvido é o chamado “clock skew”.
Dentro desse contexto, analise as asserções a seguir e assinale a opção correta:
I - O “clock skew” ocorre devido à diferença de tamanho dos percursos que o sinal de clock percorre antes de alimentar as células lógicas de um circuito.
II - Na realização das interconexões do sinal de clock de um projeto de um ASIC, podem ser inseridos buffers especiais controlando o atraso inserido em cada
linha da árvore de clock.
 a) As duas asserções são verdadeiras, e a segunda é uma solução correta para o problema apresentado na primeira.
 b) As duas asserções são verdadeiras, mas a segunda não é uma solução correta para o problema apresentado na primeira.
 c) A primeira asserção é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
 d) A primeira asserção é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
 e) Tanto a primeira como a segunda asserções são falsas.
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Questão 1298: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Durante o projeto de circuitos de sinais mistos, digitais e analógicos, alguns cuidados devem ser tomados relativos à interferência entre os sinais de chaveamento e os
sinais analógicos, que normalmente possuem níveis de amplitude bem menores. Com relação a este tipo de circuito, analise as seguintes sentenças:
I) Em um projeto de circuito de sinais mistos, devem ser criados dois tipos distintos de terra: um digital e um analógico.
II) Em circuitos mistos, as correntes de retorno pelo terra podem gerar diferenças de potenciais (DDPs) ao longo do caminho até a fonte. Estas DDPs variam ao
longo do tempo e podem se somar a sinais que utilizem esta mesma referência, gerando oscilação em sinais de baixa amplitude constantes do circuito.
Em relação a estas sentenças, pode-se afirmar que:
 a) As duas sentenças são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
 b) As duas sentenças são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
 c) A primeira sentença é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
 d) A primeira sentença é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
 e) Tanto a primeira como a segunda sentenças são falsas.
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Questão 1299: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Ao projetar uma placa de circuito impresso (PCI), devem ser utilizadas algumas técnicas para garantir a minimização de efeitos indesejáveis, tais como: crosstalk, efeitos
parasitas, dentre outros. Para circuitos que utilizam sinais de alta frequência, uma técnica permite a elaboração de guias de transmissão em PCIs. O nome dado a este
tipo de linha de transmissão é:
 a) RFline.
 b) Ground Transmission.
 c) Centerstrip.
 d) Microstrip.
 e) Spurline.
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Questão 1300: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Assinale a alternativa que identifique corretamente o método com as seguintes características:
I) Este método pode ser utilizado para realizar a conexão entre terminais de um chip e uma placa de circuito impresso diretamente, sem a necessidade de
encapsulamento do chip.
II) É um método de baixo custo que consiste na conexão de fios, usualmente ouro, alumínio ou cobre, aos terminais de um chip, permitindo a ligação a um
encapsulamento que facilite o manuseio e a utilização em circuito mais complexo.
 a) Wire-Bonder.
 b) Probe-card.
 c) Flip-chip.
 d) Wire-Probing.
 e) Chip-Soldering.
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Questão 1301: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 22/39
Um possível método de conexão entre um dispositivo semicondutor e um circuito externo consiste em realizar a conexão do primeiro diretamente ao segundo. Neste
método, os terminais do chip recebem deposições de porções de solda, antes mesmo de sua separação do wafer. Posteriormente, o chip é virado com seus terminais
sobre o circuito externo e a soldagem é realizada pelo derretimento da solda, normalmente através de ar quente. Tal método é conhecido como:
 a) Wire-Bonder.
 b) Probe-card.
 c) Flip-chip.
 d) Wire-Probing.
 e) Chip-Soldering.
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Questão 1302: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O processo de teste de circuitos integrados em uma linha de produção é um passo que consome grande parte do tempo de fabricação. Além disso, é fundamental para a
qualidade dos circuitos produzidos. Várias técnicas foram desenvolvidas para permitir um melhor desempenho neste quesito. Quanto a estas técnicas, analise as
seguintes sentenças:
I) Um dos métodos para contornar alguns problemas encontrados na etapa de testes é o DFT (Design For Testing), aplicado ainda na fase de projeto do produto.
II) No método DFT, o produto é projetado de forma que suas arquiteturas permitam um teste de parâmetros realizado em condições de fábrica em vez de testar
sua forma real de operação.
Em relação a estas sentenças, pode-se afirmar que:
 a) As duas sentenças são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
 b) As duas sentenças são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
 c) A primeira sentença é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
 d) A primeira sentença é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
 e) Tanto a primeira como a segunda sentenças são falsas.
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Questão 1303: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Analise as sentenças abaixo sobre testes na fabricação de circuitos integrados:
I) Durante a fase conhecida como “Wafer Testing”, os circuitos integrados que não forem aprovados em todos os padrões de teste são descartados.
II) Os testes realizados em chips, ainda no wafer, são realizados por amostragem, de acordo com teorias estatísticas permitindo uma avaliação média de cada
lote.
III) Um probe card é um meio de conexão física entre os circuitos integrados fabricados em um wafer e um sistema eletrônico de teste.
Estão corretas as sentenças:
 a) I
 b) I e II
 c) II
 d) II e III
 e) III
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Questão 1304: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MEFA111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A placa de orifício é um dos dispositivos de medição de fluxo mais utilizado na indústria. Em relação a esse dispositivo, pergunta-se qual é o método que ele emprega
para realizar a medição de fluxo.
 a) Pressão diferencial.
 b) Força.
 c) Ciclos ou revoluções.
 d) Frequência.
 e) Temperatura.
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Questão 1305: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIVE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
I. Em verificação de caixa preta (“black-box verification”), a verificação funcional é realizada sem conhecimento da implementação do RTL.
II. Em verificação de caixa branca (“white-boxverification”), a verificação funcional é realizada tendo visibilidade completa do projeto digital implementado.
Sobre as afirmações acima, pode-se dizer que:
 a) Em verificação de caixa preta, observamos as entradas e saídas de todos os módulos da hierarquia do design.
 b) Um testbench utilizando a metodologia de caixa branca pode ser reutilizado em uma implementação diferente do mesmo projeto.
 c) Um contador problemático pode ser verificado sem aumento de risco utilizando a metodologia de caixa preta, mesmo que ele não seja facilmente controlável ou
seus valores observáveis.
 d) Uma metodologia de teste correta tenta sempre que possível utilizar a metodologia de caixa-preta, mas utilizando metodologia de caixa branca em partes de risco
maior.
 e) Verificação de caixa branca deve ser utilizada se todos os testes para a validação funcional do projeto forem escritos durante a implementação do projeto.
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11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Questão 1306: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIVE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Sobre cobertura de parâmetros de projeto em RTL parametrizável no nível mais alto, é correto afirmar.
 a) Deve-se testar o DUV somente para os valores padrão.
 b) Deve-se testar o DUV para os valores padrão, mas variando-se um parâmetro de cada vez.
 c) Deve-se testar o DUV comparando-se o comportamento do circuito duas instâncias do circuito com parâmetros diferentes.
 d) Deve-se testar o DUV considerando-se todas variações de parâmetros que são válidas para uso.
 e) Deve-se testar o DUV sem considerar os parâmetros.
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Questão 1307: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um circuito integrado se encontra em teste de consumo, ou seja, deseja-se quantificar esta característica em algumas situações de uso. Sabe-se que este circuito
integrado recebe alimentação de uma fonte DC por meio de seus pinos 8 e 16, conectados, respectivamente, ao negativo e ao positivo da fonte. Para se estimar a
potência consumida da fonte, dispõe-se de um resistor de precisão com valor de 0,1 Ω, uma fonte com indicação de tensão fornecida e um voltímetro. Analise os
procedimentos abaixo:
I) Conectar o resistor em paralelo com a fonte.
II) Conectar o resistor em série com a fonte e o CI.
III) Medir a tensão sobre o resistor.
IV) Medir a tensão entre os pinos 16 e 8 do CI.
Para obter a estimativa da potência consumida:
 a) Os materiais disponíveis não são suficientes.
 b) Deve-se realizar I e III, então fazer o produto entre o valor da fonte, o valor medido em III e um fator de 0,1.
 c) Deve-se realizar I e IV, então fazer o produto entre o valor da fonte, o valor medido em IV e um fator de 10.
 d) Deve-se realizar II e III, então fazer o produto entre o valor da fonte, o valor medido em III e um fator de 10.
 e) Deve-se realizar II e IV, então fazer o produto entre o valor da fonte, o valor medido em IV e um fator de 0,1.
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Questão 1308: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MEFA111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Filmes finos desempenham uma função essencial nos dispositivos e circuitos integrados. São utilizados nas conexões das regiões ativas de um dispositivo, na
comunicação entre dispositivos, no acesso externo aos circuitos, para isolar camadas condutoras, como elementos estruturais dos dispositivos, para proteger as
superfícies do ambiente externo, como fonte de dopante e como barreira para a dopagem. Os filmes finos podem ser condutores, semicondutores ou isolantes,
normalmente crescidos termicamente ou depositados a partir da fase vapor. No caso da deposição química a partir da fase vapor, quando há deposição de uma camada
de monocristal sobre o substrato, a camada depositada assume exatamente a orientação cristalina do substrato. Este processo é conhecido como
 a) dopagem.
 b) epitaxia.
 c) implantação iônica.
 d) nitretação térmica do substrato.
 e) mascaramento.
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Questão 1309: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MEFA111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Matérias-primas alternativas como, por exemplo, Germânio e o Arseneto de Gálio, têm sido utilizadas na fabricação de dispositivos semicondutores. Entretanto, o Silício
ainda é o material mais popular empregado nessa prática, pois apresenta propriedades físicas que o tornam adequado à fabricação de dispositivos ativos com boas
características elétricas. Além disso, o Silício pode ser facilmente oxidado, sendo a oxidação com vapor d’água a mais rápida. Com relação ao produto principal obtido na
reação de oxidação do silício com vapor d’água, da equação química exposta abaixo, não é correto afirmar que é
 
Si + 2H2O → SiO2 + 2H2
 
 a) usado como máscara, durante a difusão do dopante.
 b) usado como passivação.
 c) usado como óxido condutor
 d) formado a partir do próprio substrato por oxidação térmica
 e) comumente conhecido pelo nome de sílica
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Questão 1310: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Durante a análise de um circuito alimentado por uma fonte de tensão contínua, um amperímetro DC foi colocado em série com um capacitor. Já com o circuito em regime
estacionário, o amperímetro indica um valor de 0,010. O valor medido no equipamento indica que: alguns circuitos apresentam uma característica conhecida como
corrente de fuga. Em um circuito alimentado por uma fonte de tensão de corrente contínua, é correto afirmar que:
 a) O componente funciona corretamente e o valor se refere à corrente de carga.
 b) O componente funciona corretamente e o valor se refere à diferença de potencial presente sobre este.
 c) O componente está defeituoso e o valor se refere à corrente de fuga.
 d) O componente está defeituoso e o valor se refere à diferença de potencial excessiva sobre o componente.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 24/39
 e) O componente funciona corretamente e o valor demonstra a corrente que circula através deste.
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Questão 1311: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ETMIE2/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Para avaliar um defeito em um circuito, é necessário realizar a análise de continuidade elétrica entre 2 (dois) pontos de um circuito. Analise as assertivas abaixo e assinale
a opção correta:
I) Um teste de continuidade sempre pode ser realizado em um circuito durante seu funcionamento.
II) Através da inserção de uma fonte de corrente em um ponto de um circuito e medindo-se a corrente em outro ponto, é possível testar se existe continuidade
elétrica entre estes 2 (dois) pontos sem a necessidade de se alterar características físicas do circuito.
 a) As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
 b) As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
 c) A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
 d) A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
 e) Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.
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Questão 1312: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITECS.A./MEFA111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Na fabricação de circuitos integrados, existe um fator adicional ao processamento a ser considerado, que é a existência de defeitos. Os defeitos podem ser classificados
como defeitos aleatórios ou não aleatórios. Os defeitos não aleatórios estão associados ao processamento em si. Defeitos aleatórios são puntiformes, entretanto capazes
de inutilizar uma pastilha (chip). Sua origem normalmente é a contaminação por partículas provenientes da atmosfera ou dos equipamentos e materiais empregados no
processamento. A minimização/exclusão dos defeitos aleatórios e não-aleatórios pode ocorrer, respectivamente, através de
 a) resolução inadequada e corrosão completa.
 b) deposições uniformes e Registros adequados.
 c) sala limpa e corrosão completa.
 d) sala limpa e deposição não uniforme.
 e) deposição uniforme e Resolução adequada.
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Questão 1313: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MEFA111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A limpeza das lâminas é fundamental num processo de microfabricação. Para garantir uma limpeza eficaz, com a menor quantidade possível de impurezas, em geral,
segue-se um processo padrão RCA (Radio Corporation of America). Esse processo consiste de uma sequência de etapas. Para a remoção principalmente de gordura das
lâminas, é utilizada uma solução denominada “piranha”, representada por
 a) NaCl/H2O
 b) HCl /H2O2/H2O
 c) NH4OH /H2O2/H2O
 d) HF/ H2O
 e) H2SO4/H2O2
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Questão 1314: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MEFA111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Durante a fabricação de semicondutores, uma fina camada metálica (20-100 nm) pode ser depositada sobre o substrato, através da técnica de evaporação térmica. Essa
camada metálica é, geralmente, constituída de Cr/Au. Dessa forma, a função da camada de cromo é a de
 a) atuar como máscara e aumentar a aderência da camada de ouro à superfície.
 b) atuar como isolante.
 c) sofrer oxidação e atuar como óxido isolante.
 d) atuar como revelador.
 e) atuar como dopante.
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Questão 1315: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MEFA111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Os microchips ou microdispositivos podem ser fabricados através de tecnologias convencionais ou alternativas, usando diferentes substratos planares. Nas tecnologias
convencionais, há a necessidade do uso de uma fonte energética para fazer a transferência da imagem dos microcanais para o substrato utilizado. Tipicamente, essa
transferência é primeiramente feita para a superfície de um polímero sensível à radiação utilizada, o qual pode ser denominado
 a) óxido
 b) máscara
 c) substrato
 d) fotorresiste
 e) dopante
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Questão 1316: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./MEFA111/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Um equipamento, quando projetado, possui uma expectativa de vida útil, porém não é incomum a extensão dessa vida além do estipulado. Isso ocorre uma vez que os
equipamentos continuam operando satisfatoriamente após esgotado o limite de tempo. Porém, para que se possa fazer essa prorrogação do tempo de vida útil, é
necessário levar em conta alguns fatores como, por exemplo,
 a) os objetivos estratégicos da empresa.
 b) os interesses da produção, mesmo que isso provoque uma queda na qualidade do produto.
 c) a falta de necessidade de o equipamento manter o padrão de confiabilidade original.
 d) emprego somente de operadores experientes devido ao elevado tempo de uso do equipamento.
 e) o atendimento da legislação quanto à avaliação do risco potencial envolvido.
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Questão 1317: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
As lâminas que estão aguardando processamento entre etapas de processo em uma fábrica de semicondutores de 200mm devem ser estocadas na seguinte área da
fábrica:
 a) Almoxarifado.
 b) Corredor de Serviço.
 c) Área de Equipamentos.
 d) Área de Processo.
 e) Sala de Troca de Roupa.
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Questão 1318: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRDIVE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em uma declaração de um “covergroup”, a seguinte definição de “bins” foi encontrada.
bins meus_bins [4] = { [1:10], 1, 4, 7};
Como os bins são distribuídos?
 a) {1,2,3,4,5,6,7,8,9,10}, {1}, {4}, {7}.
 b) {2,3,5,6,8,9,10},{1},{4},{7}.
 c) {1,10},{1},{4},{7}.
 d) {1,2,3},{4,5,6},{7,8,9},{10,1,4,7}.
 e) {1,2,3},{4,5,6},{7,8,9,10},{1,4,7}.
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Questão 1319: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Vários equipamentos de fotolitografia utilizam lasers. Qual dos equipamentos de proteção pessoal não é necessário quando se está fazendo a manutenção no laser de um
equipamento de fotolitografia
 a) óculos.
 b) luvas.
 c) respiradores.
 d) avental de borracha.
 e) nenhuma das anteriores.
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Questão 1320: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A Silana (SiH4) é um gás pirofórico. Isto significa que a silana tem o seguinte comportamento:
 a) é inofensiva e pode ser misturada com o ar da sala limpa.
 b) entra em combustão em contato com o ar.
 c) causa o congelamento de água.
 d) troca de cor quando misturada com nitrogênio.
 e) remove toxinas do ambiente.
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Questão 1321: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um equipamento é considerado Operacional mas não em Manufatura quando ele está em tempo de
 a) espera (Standby).
 b) produção.
 c) engenharia.
 d) manutenção Preventiva.
 e) manutenção Corretiva.
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Questão 1322: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual é o objetivo de se realizar uma simulação falhas?
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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 a) Ter certeza que o circuito funciona em qualquer circunstância.
 b) Introduzir um conjunto conhecido de falhas e verificar se o circuito é imune a elas.
 c) Buscar um conjunto de vetores de entrada e de saída que possa auxiliar na identificação de possíveis defeitos de fabricação.
 d) Verificar se o circuito está funcionando conforme as especificações.
 e) Evitar o surgimento de falhas do tipo excesso de atraso.
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Questão 1323: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual dos parâmetros não é monitorado rotineiramente após processos de corrosão por plasma?
 a) Largura de linhas.
 b) Espaçamento entre linhas.
 c) Contaminação por partículas.
 d) Dopagem do substrato.
 e) Seletividade da remoção de materiais.
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Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Que tipo de falha tipicamente necessita um teste de excesso de atraso?
 a) Falha do tipo stuck-at 1.
 b) Falha do tipo stuck-at 0.
 c) Falha do tipo circuito aberto.
 d) Falha do tipo circuito fechado.
 e) Falha do tipo resistiva causando um caminha reagir mais lentamente.
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Questão 1325: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual equipamento deve ser utilizado para colocação e retirada de lâminas nos cassetes em uma fábrica de 200mm com processo CMOS de 0,35 microns?
 a) Pinça metálica.
 b) Pinça de madeira.
 c) Mãos com luvas.
 d) Mãos sem luvas.
 e) Pinça a vácuo.
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Questão 1326: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual dos equipamentos abaixo não é de uso obrigatório em uma sala limpa Classe 10?
 a) Óculos.
 b) Luvas.
Alternativa Botas.
 c) Gorro.
 d) Respirador.
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Questão 1327: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O uso de roupas de sala limpa pelos operadores evitam que vários contaminantes atinjam as lâminas de silício durante o processamento. Qual dos contaminantes abaixo
não é bloqueado pelas roupas de sala limpa?
 a) NaCl.
 b) K.
 c) Cabelo.
 d) Pedaços de pele.
 e) Radiação.
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Questão 1328: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual é a etapa de processo que aparece com mais frequência na fabricação de circuitos integrados CMOS?
 a) Limpeza.
 b) Implantação.
 c) Oxidação.
 d) Fotolitografia.
 e) Recozimento.
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11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Questão 1329: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual é a cor da luz que deve ser utilizada na área de fotolitografia para evitar a degradação dos filmes fotosensíveis?
 a) Verde.
 b) Azul.
 c) Amarela.
 d) Negra.
 e) Nenhuma (a área de fotolitografia deve permanecer no escuro).
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Questão 1330: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um equipamento de corrosão por plasma realiza uma etapa de processo com uma densidade de defeitos que somente atinge valores abaixo do máximo permitido se ele
sofrer manutenções periódicas a cada 50 horas de processamento. Se a frequência das manutenções for dobrada, sendo realizada a cada 25 horas, resultaria em
 a) redução do número de lâminas processadas por hora.
 b) aumento da densidade de defeitos.
 c) redução da densidade de defeitos.
 d) aumento do número de lâminas processadas por hora.
 e) aumento da disponibilidade do equipamento.
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Questão 1331: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Após um processo de oxidação de uma lâmina de silício, a cor da superfície da lâmina pode ser utilizada para se ter uma estimativa de vários parâmetros do filme, sendo
um deles
 a) a Espessura.
 b) a Pureza.
 c) a Composição.
 d) a Dureza.
 e) a Volatilidae.
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Questão 1332: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em qual das áreas de processo de uma fábrica de semicondutores são realizadas as oxidações e recozimentos a altas temperaturas?
 a) Fotolitografia.
 b) Corrosão.
 c) Limpeza.
 d) Difusão.
 e) Implantação.
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Questão 1333: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Escolha a sequência correta para a realização de um processo de fotogravação.
 a) Exposição a luz UV, Revelação, Deposição de fotoresiste, Cura de fotoresiste.
 b) Revelação, Deposição de fotoresiste, Cura de fotoresiste, Exposição a luz UV.
 c) Exposição a luz UV, Deposição de fotoresiste, Cura de fotoresiste, Revelação.
 d) Deposição de fotoresiste, Cura de fotoresiste, Exposição a luz UV, Revelação.
 e) Cura de fotoresiste, Deposição de fotoresiste, Exposição a luz UV, Revelação.
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Questão 1334: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quais dos equipamentos abaixo não é um equipamento de medida de espessura?
 a) Perfilômetro.
 b) Elipsômetro.
 c) Micrômetro.
 d) Fluorescência de Raios-X.
 e) Interferômetro.
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Questão 1335: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Para a fabricação de um perfil de dopagem rasa tipo n em substrato de silício, devemos utilizar as seguintes condições de implantação iônica:
 a) baixa energia e Elemento a ser implantado: B.
 b) baixa energia e Elemento a ser implantado: As.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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 c) alta energia e Elemento a ser implantado: P.
 d) alta energia e Elemento a ser implantado: B.
 e) alta energia e Elemento a ser implantado: As.
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Questão 1336: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual dos gases abaixo não é utilizado para a oxidação de lâminas de silício durante a fabricação de circuitos integrados MOS?
 a) O2
 b) HCl
 c) N2O
 d) H2
 e) HBr
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Questão 1337: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um processo de fabricação F possui 300 etapas sendo que uma etapa de processo P1 é repetida 50 vezes. Qual é o impacto no rendimento final do processo de
fabricação F da melhoria no rendimento da etapa de processo P1 em 0,1%, passando de 95,7% para 95,8%, quando comparada com a melhoria de uma etapa de
processo P2 que acontece uma única vez mas tem uma melhoria no rendimento de 10%, passando de 89% para 99%?
 a) O rendimento total da fabricação F é melhorado de maneira mais efetiva pela melhoria no processo P1.
 b) O rendimento total da fabricação F é melhorado de maneira mais efetiva pela melhoria no processo P2.
 c) O rendimento total da fabricação F não é afetado pela melhoria do processo P1.
 d) O rendimento total da fabricação F não é afetado pela melhoria do processo P2.
 e) O rendimento total da fabricação F é piorado pela melhoria no processo P1.
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Questão 1338: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Dado o desenvolvimento de um sistema integrado VLSI, a inserção de blocos ou estruturas para facilitar o teste do circuito integrado ocorre durante:
 a) a especificaçãodo sistema.
 b) o processo de síntese e mapeamento do sistema no nível de portas lógicas com a habilitação das primitivas de teste.
 c) o processo de verificação e extração pós-leiaute do circuito com as primitivas de teste habilitadas.
 d) a coloção do anel de pads de teste.
 e) a verificação lógica e funcional visando a geração de padrões de teste.
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Questão 1339: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um processo de fotolitografia apresenta um gráfico de controle de processos que contém 150 pontos resultantes do monitoramento diário do processo. Os últimos 7
pontos, que são referentes ao monitoramento dos últimos 7 dias, se apresentam todos entre a média e o Limite Superior de Controle do Processo mas sem ultrapassá-lo.
Esse processo está
 a) dentro das Especificações e em Controle.
 b) fora das Especificações e em Controle.
 c) dentro das Especificações e Fora de Controle.
 d) fora das Especificações e Fora de Controle.
 e) parcialmente dentro das Especificações e em Controle.
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Questão 1340: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um forno de oxidação foi qualificado com índices de Cp = Cpk = 2. Após um mês de operação, a espessura média obtida nesse forno teve um deslocamento de 1,5σ.
Considere que a variância da espessura dos filmes se manteve inalterada. Qual é a variação esperada nos índices Cp e Cpk?
 a) Cp aumenta, Cpk não se altera.
 b) Cp não se altera, Cpk aumenta.
 c) Cp diminui, Cpk não se altera.
 d) Cp não se altera, Cpk diminui.
 e) Cp e Cpk aumentam.
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Questão 1341: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em um projeto com a aplicação de metodologia voltada para testabilidade (DFT), visa-se:
 a) aumentar as saídas primárias e a observabilidade dos defeitos internos.
 b) aumentar o número de entradas primárias para facilitar o acesso aos internos do circuito.
 c) diminuir a complexidade dos equipamentos de teste automático.
 d) facilitar a aplicação do processo de teste.
 e) não se aplica metodologia com esse objetivo.
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11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Questão 1342: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Calcule o rendimento global de um processo de fabricação que apresenta 95% de rendimento de fabricação e 80% de rendimento de empacotamento e teste.
 a) 95%.
 b) 80%.
 c) 15%.
 d) 25%.
 e) 76%.
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Questão 1343: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No contexto de teste funcional e estrutural de um sistema afirma-se o que segue.
I. O teste funcional sempre pode ser executado e é a de forma de teste que proporciona a maior cobertura de falhas em menor tempo de execução.
II. O teste estrutural é destinado somente para o teste de sistemas que tenham falhado no teste funcional e necessita-se localizar o que causou a falha funcional.
III. Para a elaboração de um teste estrutural são necessários o netlist das portas lógicas que implementa o circuito sob teste e o modelo das falhas que deseja-se
testar.
Tendo em vistas as afirmações de I a III acima, temos que:
 a) Apenas a afirmação I está correta.
 b) Apenas a afirmação II está correta.
 c) Apenas a afirmação III está correta.
 d) Apenas as afirmações II e III estão corretas.
 e) Todas as afirmações estão corretas.
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Questão 1344: FUNRIO - TEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ADGEPR1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Indique qual das alternativas contém uma mudança que acarretará no aumento (melhoria) do rendimento (yield) do processo de fabricação de um dado circuito
integrado (CI).
 a) Redução do diâmetro da lâmina (wafer).
 b) Redução do tamanho do circuito integrado (Die).
 c) Aumento do número de etapas de processamento da tecnologia utilizada.
 d) Introdução de novos materiais na tecnologia utilizada.
 e) Aumento da densidade de defeitos da tecnologia utilizada.
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Questão 1345: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPDNE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O sinal considerado indesejável na transmissão de uma mensagem, ocasionando perda de informação durante o transporte da mensagem entre a fonte e o destinatário,
recebe o nome de
 a) rush.
 b) ninho.
 c) hint.
 d) ruído.
 e) orelha.
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Questão 1346: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No contexto de melhorar a testabilidade e a cobertura de falhas de um sistema digital, pode-se:
1 - Criar mecanismos para aumentar a observabilidade e a controlabilidade das interconexões lógicas internas do sistema sob teste, em relação às entradas e saída
primárias, ou mesmo, aumentar o número destas entradas e saídas.
2 - Aumentar a frequência de operação do circuito sob teste, para executar um número maior de testes funcionais em menor tempo.
3 - Desabilitar todos os registradores internos para poder testar todas as portas lógicas como se o circuito fosse composto apenas por lógica combinacional.
4 - Criar um circuito complementar que emule as falhas possíveis do circuito sob teste.
Estão corretas apenas as afirmativas:
 a) 1, 2 e 3.
 b) 2, 3 e 4.
 c) 1, 3 e 4.
 d) 1 e 3.
 e) 1, 2, 3 e 4.
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11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
https://www.tecconcursos.com.br/questoes/cadernos/experimental/15976689/imprimir 30/39
Questão 1347: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPDNE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual dos processos abaixo não está diretamente relacionado com as etapas de fabricação de um circuito integrado em um processo CMOS padrão moderno?
 a) Oxidação.
 b) Deposição química a vapor.
 c) Difusão.
 d) Corrosão por plasma.
 e) Funcionalização da superfície.
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Questão 1348: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O emprego de técnicas de projeto voltadas ao teste (DFT) pode auxiliar tanto no teste de dispositivos isolados (teste de manufatura) como no teste de um sistema
composto por vários dispositivos interconectados em uma placa de circuito impresso. Neste sentido, para minimizar ou mesmo evitar o emprego de “camas de pregos”
para teste e diagnóstico de falhas em sistemas eletrônicos pode-se:
 a) Desenvolver testes funcionais mais elaborados que permitam exercitar todas as funcionalidades do sistema e indicar a presença de falhas.
 b) Empregar dispositivos que possuam a funcionalidade de “boundary scan” (JTAG – IEEE 1149.4).
 c) Testar os dispositivos eletrônicos antes de utilizá-los.
 d) Empregar somente dispositivos eletrônicos de boa procedência.
 e) Empregar qualquer dispositivo eletrônico.
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Questão 1349: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Dadauma memória embarcada em um sistemas em chip (SoC) organizada em 210 palavras de 08 bits cada. Quantos ciclos, no mínimo, de leitura e escrita são
necessários para detectar a presença de falhas de transição em alguma posição.
 a) 3 ciclos de escrita e 2 ciclos de leitura por posição de memória.
 b) 3 ciclos de escrita e 3 ciclos de leitura por posição de memória.
 c) 2 ciclos de escrita e 3 ciclos de leitura por posição de memória.
 d) 2 ciclos de escrita e 2 ciclos de leitura por posição de memória.
 e) 4 ciclos de escrita e 3 ciclos de leitura por posição de memória.
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Questão 1350: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPDNE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em um transistor PMOS de efeito de campo de um processo CMOS padrão,
 a) a região do dreno deve ser mais dopada que a da fonte.
 b) a região da fonte deve ser mais dopada que a do dreno.
 c) dreno e fonte devem ser fortemente dopados com fósforo.
 d) dreno e fonte são alinhados pela respectiva porta, não necessitando de máscara litográfica específica.
 e) a mobilidade dos portadores de carga no canal é maior que a dos portadores no canal de um NMOS com as mesmas dimensões.
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Questão 1351: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPDNE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Para se projetar um pixel de memória flash, não volátil, com dimensões mínimas compatível com tecnologia CMOS é necessário
 a) ter uma porta flutuante e uma porta de controle para se obter o tunelamento de portadores de carga.
 b) ter duas portas flutuantes para a troca de portadores de carga entre elas.
 c) acrescentar uma janela óptica no encapsulamento para a interação com a radiação ultra-violeta (UV).
 d) utilizar MOSFETs modo depleção do canal ao invés de MOSFETs modo enriquecimento do canal.
 e) utilizar tecnologia SOI (Silicon-on-Insulator).
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Questão 1352: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPDNE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Sobre o silício (Si) utilizado na indústria de microeletrônica, qual das afirmativas abaixo é correta?
 a) Apenas utiliza-se o Si encontrado em sua forma monocristalina na natureza.
 b) O Si de células solares policristalinas tem pureza comparável ao Si para a microeletrônica.
 c) O Si utilizado em microeletrônica é encontrado em forma de silicato e sofre sucessivas etapas de destilação fracionada.
 d) O Si é encontrado policristalino na natureza, depois é derretido, purificado e recristalizado através de choque térmico.
 e) Durante a cristalização do Si, são acrescentados átomos de germânio para aumentar a mobilidade dos elétrons.
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Questão 1353: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPDNE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No projeto de um circuito integrado analógico, frequentemente é necessária a inclusão de capacitores no chip. Em uma tecnologia CMOS padrão com 3 camadas de
metal, 2 camadas de polisilício e poço n, qual dos capacitores abaixo tem sua capacitância mais sensível a variações de tensão?
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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 a) Capacitor de placas paralelas polisilício1-polisilício2.
 b) Capacitor de placas paralelas metal1-metal3.
 c) Capacitor de placas paralelas metal1 – polisilício1.
 d) Capacitor MOS no poço n.
 e) Capacitor de polisilício2 interdigitado.
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Questão 1354: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPDNE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O método das quatro pontas é utilizado para
 a) implantação seletiva de dopantes na lâmina de silício.
 b) medida da resistividade da lâmina de silício.
 c) medida da espessura do óxido de porta.
 d) medida das características corrente-tensão de um transistor MOSFET.
 e) levantamento das característica capacitância-tensão de capacitores MOS.
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Questão 1355: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPDNE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um circuito integrado CMOS arbitrário possui substrato do tipo p coberto com uma camada epitaxial do tipo p, e a possibilidade de poços n contidos dentro da camada
epitaxial. Qual das afirmativas abaixo é falsa?
 a) A camada epitaxial deve estar sempre conectada ao menor potencial praticado no chip.
 b) Um poço n com transistor FET dentro de si deve estar sempre conectado ao maior potencial praticado no chip.
 c) Deve-se projetar um único transistor PMOS por poço n.
 d) O dreno e a fonte de dois transistores PMOS, respectivamente, conectados em série, podem ser projetados sobrepostos.
 e) Pode-se projetar um resistor utilizando-se o poço n.
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Questão 1356: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPDNE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Os níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados com campo constante. Dos fatores abaixo
relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência?
 a) Maior concentração de dopantes nas regiões de dreno e fonte dos transistores MOSFET.
 b) Inclusão de transistores bipolares no chip.
 c) Utilização de filmes com baixa permissividade elétrica relativa entre camadas de metal.
 d) Aumento no número de camadas de metal para trilhas.
 e) Necessidade de níveis de tensão cada vez menores na saída do chip.
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Questão 1357: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPDNE/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Circuitos integrados são fabricados em salas limpas, também denominadas salas brancas. Qual das afirmativas abaixo é incorreta?
 a) Há mais de um sistema amplamente utilizado para a classificação do nível de pureza do ar de salas limpas.
 b) O ambiente da sala limpa onde se realiza a etapa de fotolitografia deve ser iluminado com luz amarelada apropriada.
 c) Segundo um mesmo critério de avaliação, uma sala limpa classe 100 exibe maior nível de pureza que outra classe 1000.
 d) A pressão dentro de um ambiente de sala limpa em microeletrônica deve ser positiva.
 e) Para se utilizar uma sala limpa deve-se utilizar vestimenta especial com tecido isolante elétrico.
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Questão 1358: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPCON/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial fracamente dopada com Boro, dentro da qual pode ser criada uma região
denominada poço n. Qual é a principal finalidade do poço n em uma tecnologia CMOS em que se pretende alta densidade de transistores?
 a) Possibilitar a criação de dispositivos PMOS.
 b) Possibilitar a criação de dispositivos NMOS.
 c) Reduzir a possibilidade de interferência de sinal entre transistores vizinhos.
 d) Servir como dreno ou fonte para os transistores NMOS.
 e) Introduzir dispositivos do tipo diodo retificador no chip.
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Questão 1359: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPCON/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O processo de fotolitografia é essencial para a fabricação de circuitos integrados. No escopo da fotolitografia qual das afirmativas abaixo é a correta?
 a) Utiliza-se um materialpolimérico denominado eletroresiste para a transferência de um padrão geométrico para o chip.
 b) Consegue-se uma definição lateral menor de um padrão geométrico com um comprimento de onda maior do feixe de luz.
 c) Consegue-se obter dimensões laterais menores do padrão geométrico através de imersão em solução líquida.
 d) Fotolitografia de contato é o método que permite a maior repetibilidade na produção de chips.
 e) A melhor resolução fotolitográfica é obtida quando se utiliza uma lente de projeção com superfície esférica.
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Questão 1360: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPCON/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Quando se indica que um circuito integrado foi fabricado em tecnologia CMOS com rótulo de 0,35 micrometro, sabe-se que
 a) o óxido de porta tem espessura de 0,35 micrometro.
 b) a distância mínima entre dois transistores deve ser de 0,35 micrometro.
 c) a menor dimensão de um transistor que se consegue realizar no chip é de 0,35 micrometro.
 d) o comprimento de onda da fonte UV utilizada para a etapa de fotolitografia é de 0,35 micrometro.
 e) a densidade de transistores nesta tecnologia pode ser maior que em uma tecnologia CMOS com rótulo 0,5 micrometro.
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Questão 1361: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPCON/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Circuitos integrados fabricados em tecnologia CMOS padrão são geralmente processados em lâminas com superfície (100), pois
 a) essas lâminas são mais robustas que lâminas com superfície (010).
 b) essas lâminas são mais robustas que lâminas com superfície (001).
 c) essas lâminas propiciam menor ruído em MOSFETs que lâminas com superfície (111).
 d) o índice (100) indica o maior grau de pureza alcançável em lâminas de silício.
 e) a superfície (100) exibe uma densidade menor de impurezas que lâminas (110).
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Questão 1362: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPCON/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A maior parte dos circuitos integrados atualmente comercializados é processada a partir de que tipo de substrato indicado abaixo. Assinale-o.
 a) Silício policristalino com grãos menores que 1 micrometro em sua maior dimensão.
 b) Silício policristalino com grãos menores que 0,5 micrometro em sua maior dimensão.
 c) Silício monocristalino obtido pelo processo de refusão zonal.
 d) Silício monocristalino obtido pelo processo de Czochralski.
 e) Silício amorfo apassivado com Hidrogênio.
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Questão 1363: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPACP/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O gerenciamento de custos do projeto de componentes eletrônicos inclui a supervisão:
1) somente dos custos dos recursos adicionais necessários para terminar as atividades do projeto.
2) da manutenção do orçamento inicial, sem permitir a agregação dos custos estimados de atividades individuais em pacotes de trabalho.
3) aparente dos fatores responsáveis somente pelas variações de prazo de execução do projeto.
Quantos dos itens acima podem, de fato, ser incluídos nesse gerenciamento?
 a) Nenhum dos três.
 b) Todos os três.
 c) Somente o primeiro.
 d) Somente o segundo.
 e) Somente o terceiro.
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Questão 1364: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ESPACP/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Os projetos de componentes e equipamentos eletrônicos são associados à elaboração de um conjunto de documentos nos quais existem especificações, listas de
materiais e desenhos dos diversos detalhes. No caso de equipamentos de grande porte e de alto custo pode-se afirmar que:
1) O projeto básico deve indicar superficialmente o que deve ser obrigatoriamente seguido e nunca o que poderá ser modificado no projeto executivo.
2) O anteprojeto preliminar é um plano minucioso que reúne somente as informações necessárias para descobrir se existe alguma alternativa técnica para o
projeto.
3) O anteprojeto definitivo é um estudo de viabilidade que estabelece somente as alternativas que permitem alcançar o objetivo almejado, sem considera as
possíveis modificações no projeto.
Quantas dessas afirmações são corretas?
 a) Todas elas.
 b) Nenhuma delas.
 c) Somente a primeira.
 d) Somente a segunda.
 e) Somente a terceira.
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Questão 1365: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
O método de medida de IDDq (corrente quiescente total) é mais indicado para diagnosticar falhas do tipo:
 a) Stuck-at ‘1’.
 b) Stuck-at ‘0’.
 c) Excesso de atraso (delay faults).
 d) Excesso de atraso em circuitos sequenciais.
 e) Falha em transistor do tipo curto circuito.
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Questão 1366: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual é a técnica de inspeção não destrutiva capaz de detectar defeitos em montagens Flip-Chip?
 a) Microscopia eletrônica de varredura.
 b) Microscopia eletrônica de transmissão.
 c) Microscopia de força atômica.
 d) Tomografia de Raios-X.
 e) Fluorescência de Raios-X.
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Questão 1367: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual das alternativas não é um processo para a formação de bumps em CI's a serem montados pela técnica de flip-chip?
 a) Eletrodeposição (Electroplating).
 b) Ball Drop.
 c) Solder Paste Screening.
 d) Stud Bump.
 e) Deposição por Sputtering.
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Questão 1368: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A iniciativa RoHS / WEEE, que determina a eliminação do uso de materiais nocivos ao meio ambiente, teve um impacto significativo na indústria de semicondutores, pois
ela requer o banimento de qual elemento?
 a) Ouro.
 b) Platina.
 c) Prata.
 d) Estanho.
 e) Chumbo.
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Questão 1369: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual dos processos abaixo não é utilizado na fabricação de placas de circuito impresso com tecnologia SMT (Surface Mount Technology)?
 a) Projeto da interconexão entre os componentes.
 b) Definição das interconexões na placa.
 c) Perfuração da placa para fixação dos componentes.
 d) Montagem dos componentes na superfície da placa.
 e) Refusão da solda para estabelecimento do contato elétrico entre a placa e os componentes.
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Questão 1370: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual material apresenta o melhor desempenho com relação à redução de impedâncias parasitárias quando utilizado para a fabricação de placas de circuito impresso para
aplicações em altas frequência (2,4 GHz)?
 a) Fenolite.
 b) Fibra de vidro.
 c) Cobre.
 d) Plástico.
 e) Alumina.
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Questão 1371: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Dentro das possíveis arquiteturas para DFT afirma-se o que segue.
I. Para possibilitar o autoteste integrado (‘built-in self test’) em um sistema, é necessária a presença de um bloco de geração automática de vetores de testes e
compactação do resultado de teste com o respectivo mecanismo de analise de assinatura de falha.
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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II. O emprego de técnicas de boundary scan (JTAG) só é possível em sistemas cuja a técnica de testabilidade é o full scan (escaneamento completo).
III. Em mecanismos de compactação da resposta baseados em Multiple-Input Signature Register (MISR), emprega-se uma topologia baseada em Linear-
Feedback-Shift-Register (LSFR) que possibilita a detecção de falhas e o diagnóstico preciso das falhas existentes bem como a reconstrução dos vetores aplicados.
Podemos dizer que:
 a) Apenas I é verdadeira.
 b) Apenas III é verdadeira.
 c) Apenas I e II verdadeira.
 d) Apenas I e III verdadeira.
 e) I, II e III são verdadeiras.
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Questão 1372: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual medida elétrica permite avaliar a presença de defeitos e cargas no dielétrico de porta de estruturas Metal-isolante-semicondutor (MIS)?
 a) Corrente em função da tensão.
 b) Resistência em função da tensão.
 c) Condutância em função da tensão.
 d) Capacitância em função da tensão.
 e) Frequência em função da tensão.
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Questão 1373: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual técnica de análise é um método não invasivo para a identificação e determinação da estrutura cristalina de materiais?
 a) Microscopia eletrônica de varredura.
 b) Microscopia eletrônica de transmissão.
 c) Espectroscopia de elétrons Auger.
 d) Difração de Raios-X.
 e) Difração ótica.
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Questão 1374: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No projeto de um sistema em chip (SoC), é empregado um grande número de núcleos e blocos de propriedade intelectual.
Uma estratégia para lidar com a testabilidade deste tipo de sistema é:
 a) Reprojetar os núcleos para unificar as interfaces de teste.
 b) Utilizar o conceito de ‘wrapper’ para unificar a interface de teste externa aos núcleos de forma a criar um test access mechanism (TAM) a cada bloco hierárquico a
ser testado.
 c) Colocar pontos de teste para possibilitar o acesso aos núcleos utilizados.
 d) Trazer para um conjunto de pinos externos a interface de teste de cada núcleo.
 e) Não existe estratégia para testar este tipo de sistema.
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Questão 1375: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual deve ser a mínima taxa de amostragem para que amostras obtidas permitam reconstituir um sinal analógico?
 a) Igual a frequência máxima do sinal.
 b) Igual a frequência mínima do sinal.
 c) Igual ao dobro da frequência máxima do sinal.
 d) Igual ao dobro da frequência mínima do sinal.
 e) Igual a 10x a frequência máxima do sinal.
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Questão 1376: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um módulo Multi-chip-module (MCM) formado por 4 circuitos integrados pré-testados (Known-good-dies) devem seguir qual protocolo de teste após o encapsulamento?
 a) Não necessitam de teste pois todos os CI's já foram pré-testados.
 b) Testes para verificar o processo de encapsulamento.
 c) Testes para verificar o processo de fabricação dos CI's.
 d) Testes para testar somente um dos CI's para economizar tempo de teste.
 e) Testes para testar dois dos CI's para economizar tempo de teste.
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Questão 1377: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Como é denominado o teste de parâmetros não discretos, como margens de ruído e atrasos de propagação, que não operam com valores lógicos?
 a) Testes Ilógicos.
 b) Testes Lógicos.
 c) Testes Funcionais.
 d) Testes Paramétricos.
 e) Testes de Produção.
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Questão 1378: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual estilo de projeto de circuitos integrados é caracterizado pelo uso de uma matriz pré-definida sobre a qual o circuito é implementado através da definição das
interconexões entre os elementos da matriz?
 a) Células Padrão (Standard Cells).
 b) Circuitos Integrados de Aplicação Específica (Aplication Specific Integrated Circuit -ASIC).
 c) Matriz de Portas (Gate Array).
 d) Lógica (Logic).
 e) Simplificada (Simplified).
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Questão 1379: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Como é denominada a metodologia de projeto de circuitos integrados que partindo de uma descrição abstrata da operação do circuito, se utiliza de refinamentos
sucessivos da descrição do circuito até que se obtenha uma descrição física do circuito?
 a) Crescente (Bottom-up).
 b) Descendente (Top-down).
 c) Progressiva (Progressive).
 d) Incremental (Incremental).
 e) Lógica (Logic).
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Questão 1380: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual dos itens abaixo pode ser utilizado em uma Sala Limpa de fabricação de semicondutores classe 10?
 a) Maquiagem.
 b) Sapatos fechados de salto alto.
 c) Sandálias abertas.
 d) Luvas de algodão.
 e) Relógio de ouro.
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Questão 1381: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual é a maior fonte de contaminação em uma Sala Limpa de fabricação de semicondutores?
 a) Máquinas e equipamentos.
 b) Seres humanos.
 c) Lâminas.
 d) Produtos químicos.
 e) Gases.
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Questão 1382: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No contexto do fluxo de projeto de um circuito integrado afirma-se o que segue.
I. O resultado da síntese lógica de um sistema digital é um netlist de portas lógicas que implementa a funcionalidade modelada em HDL.
II. O emprego de linguagem HLD Verilog para modelamento de um sistema nos dá um nível de abstração dos detalhes relativos à sua implementação física.
III. Tendo o projeto passado pela análise estática de temporização (STA – static timing analysis ) e pela checagem de equivalência lógica (LEC – logic equivalence
checking) durante a síntese lógica não há necessidade de repetir estes passos novamente após o leiaute.
 a) Apenas I é verdadeira.
 b) Apenas II é verdadeira.
 c) Apenas I e II são verdadeiras.
 d) ApenasI e III são verdadeira.
 e) I, II e III são verdadeiras.
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Questão 1383: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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As técnicas de planejamento de experimentos (DoE) são utilizadas para melhorar a qualidade de processos de fabricação e do produto final. Qual das alternativas não
apresenta uma vantagem do uso de DoE?
 a) Redução no número de experimentos.
 b) Aumento do número de fatores investigados.
 c) Aumento no número de respostas investigadas.
 d) Determinação da interação entre os fatores.
 e) Análise estatística dos resultados
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Questão 1384: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
As conexões internas de um circuito integrado definem qual nível de empacotamento?
 a) Quatro.
 b) Três.
 c) Dois.
 d) Um.
 e) Zero.
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Questão 1385: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A etapa de síntese da malha de distribuição de relógio (CTS – clock tree synthesis) de um sistema digital deve ser feita:
 a) Durante a síntese lógica.
 b) Durante a simulação lógica.
 c) Durante o STA (static timing analysis) .
 d) Após a disposição dos blocos no leiaute (placement)
 e) No momento da definição da arquitetura do sistema.
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Questão 1386: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual modo de condução térmica é a transferência de calor de um sólido a um fluído ou gás em movimento?
 a) Convecção.
 b) Condução.
 c) Radiação.
 d) Bipolarização.
 e) Indução.
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Questão 1387: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A técnica de montagem de chips (dies) por Solda de Fios (Wire Bonding) apresenta a seguinte vantagem quando comparada com a técnica de flip-chip:
 a) maior facilidade de detecção de defeitos.
 b) maior densidade de conexões possíveis.
 c) maior dissipação elétrica.
 d) menor indutância parasita.
 e) maior condutividade elétrica.
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Questão 1388: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./EPMIE1/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Em um processo de encapsulamento de circuito integrado utilizando Solda de Fios, qual fio é utilizado na técnica de Solda de Bola (Ball bonding)?
 a) Alumínio.
 b) Ferro.
 c) Níquel.
 d) Ouro.
 e) Platina.
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Questão 1389: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A montagem de capacitores eletrolíticos é feita por qual técnica?
 a) Flip-chip.
 b) Solda de fios (wire-bonding).
 c) Através de buraco (Through-hole).
 d) Montagem de matriz de bolas (Ball Grid Array).
 e) Solda de bolas (Ball-bonding).
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Questão 1390: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um empacotamento de multi-chip-module (MCM) é composto por 4 dies idênticos fabricados com um processo que possui um rendimento de 90%. Qual é o rendimento
estimado para a montagem MCM?
 a) 90%.
 b) 85%.
 c) 75%.
 d) 65%.
 e) 50%.
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Questão 1391: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A quebra de um fio metálico devido à repetição da dobra e retificação de um local específico, se deve a uma falha de que tipo?
 a) Fratura.
 b) Fadiga.
 c) Fluência.
 d) Cansaço.
 e) Corrosão.
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Questão 1392: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um condutor fabricado por um processo subtrativo irá apresentar uma seção transversal com qual formato?
 a) Retangular.
 b) Elíptico.
 c) Circular.
 d) Trapezoidal.
 e) Octagonal.
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Questão 1393: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Um processo de produção subtrativo apresenta um fator de qualidade que mede a seletividade do processo. Este fator é denominado
 a) fator de correção (Correction Factor).
 b) fator de planarização (Planarization Factor).
 c) fator de potência (Power Factor).
 d) fator de atraso (Delay Factor).
 e) fator de corrosão (Etch Factor).
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Questão 1394: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual processo de fabricação de Multi-chip-module (MCM) resulta na maior densidade de interconexões e menor dimensão mínima?
 a) MCM Atrativo (Atractive).
 b) MCM Cerâmico (Cofired Ceramic).
 c) MCM Semicondutor (Semiconductor).
 d) MCM Filme Fino (Thin Film).
 e) MCM Orgânico (Laminated Organic).
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Questão 1395: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual modo de transporte térmico é a transferência espontânea de energia térmica através do material entre uma região de alta temperatura e uma região de baixa
temperatura?
 a) Convecção.
 b) Condução.
 c) Radiação.
 d) Bipolarização.
 e) Transmissão.
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Questão 1396: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./PRTEVA/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
No contexto da implementação física de um circuito integrado afirma-se o que segue.
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I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de interconexão sendo uma das causas de
ruptura ou falha mecânica das mesmas.
II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente de fuga (leakage) em geometrias com
canal mais curto.
III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a integridade do sinal.
 a) Apenas I é verdadeira.
 b) Apenas II é verdadeira.
 c) Apenas I e II verdadeiras.
 d) Apenas I e III verdadeira.
 e) I, II e III são verdadeiras.
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Questão 1397: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A taxa de falhas de um empacotamento aumenta com
 a) a redução da temperatura.
 b) a redução da corrente.
 c) o aumento da temperatura.
 d) o aumento da condutividade térmica.
 e) o aumento da condutividade elétrica.
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Questão 1398: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual técnica de montagem permite a conexão de uma maior densidade de sinais de entrada e saída (I/O)?
 a) Solda de fios (wire bonding).
 b) Flip-chip.
 c) Solda Eutética.
 d) Solda Termossônica.
 e) Solda por Termocompressão.
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Questão 1399: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
A fadiga mecânica (Shear Displacement) pode ser causada por
 a) fios da solda de fios se expandindo a taxas diferentes entre eles.
 b) fios da solda de fios se expandindo a uma taxa diferente do die.
 c) um die montado por flip-chip se expandindo a uma taxa diferente do substrato no qual está montado.
 d) fios da solda de fios conduzindo eletricidade a tensões diferentes.
 e) esferas de uma montagem flip-chip em diferentes potenciais elétricos.
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Questão 1400: FUNRIO - ETEA (CEITEC)/CEITEC S.A./ENCAPS/2012
Assunto: Tópicos avançados em microeletrônica
Qual das alternativas apresenta a sequência correta de etapas de uma montagem flip-chip?
 a) Montagem do CI (Die attachment); Preenchimento sob o CI (Under Filling); Formação dos Bumps.
 b) Montagem do CI (Die attachment); Formação dos Bumps; Preenchimento sob o CI (Under Filling).
 c) Preenchimento sob o CI (Under Filling); Formação dos Bumps; Montagem do CI (Die attachment).
 d) Formação dos Bumps; Preenchimento sob o CI (Under Filling); Montagem do CI (Die attachment).
 e) Formação dos Bumps; Montagem do CI (Die attachment); Preenchimento sob o CI (Under Filling).
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11/03/2020 TEC Concursos - Questões para concursos, provas, editais, simulados.
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Gabarito
1201) Errado 1202) D 1203) B 1204) C 1205) D 1206) B 1207) Errado
1208) Errado 1209) C 1210) C 1211) E 1212) B 1213) Certo 1214) A
1215) Certo 1216) Certo 1217) E 1218) Errado 1219) Errado 1220) E 1221) D
1222) Certo 1223) Certo 1224) Errado 1225) Errado 1226) B 1227) Errado 1228) C
1229) B 1230) B 1231) D 1232) A 1233) A 1234) C 1235) B
1236) Errado 1237) Certo 1238) Certo 1239) Errado 1240) Certo 1241) Errado 1242) Certo
1243) C 1244) A 1245) C 1246) C 1247) A 1248) D 1249) B
1250) E 1251) A 1252) E 1253) B 1254) B 1255) B 1256) D
1257) A 1258) C 1259) A 1260) E 1261) C 1262) D 1263) A
1264) C 1265) E 1266) A 1267) D 1268) B 1269) E 1270) B
1271) E 1272) B 1273) A 1274) D 1275) D 1276) Anulada 1277) B
1278) A 1279) A 1280) A 1281) E 1282) A 1283) C 1284) C
1285) Anulada 1286) D 1287) E 1288) A 1289) C 1290) D 1291) B
1292) C 1293) E 1294) D 1295) A 1296) A 1297) A 1298) A
1299) D 1300) A 1301) C 1302) A 1303) E 1304) A 1305) D
1306) D 1307) D 1308) B 1309) C 1310) C 1311) E 1312) C
1313) E 1314) A 1315) D 1316) E 1317) D 1318) D 1319) D
1320) B 1321) C 1322) C 1323) D 1324) E 1325) E 1326) E
1327) E 1328) A 1329) C 1330) C 1331) A 1332) D 1333) D
1334) D 1335) B 1336) E 1337) A 1338) B 1339) C 1340) D
1341) Anulada 1342) E 1343) C 1344) B 1345) D 1346) Anulada 1347) E
1348) B 1349) A 1350) D 1351) A 1352) C 1353) D 1354) B
1355) C 1356) A 1357) E 1358) A 1359) C 1360) E 1361) C
1362) D 1363) B 1364) A 1365) E 1366) D 1367) E 1368) E
1369) C 1370) E 1371) A 1372) D 1373) D 1374) B 1375) C
1376) B 1377) D 1378) C 1379) B 1380) Anulada 1381) B 1382) C
1383) C 1384) E 1385) D 1386) A 1387) A 1388) D 1389) C
1390) D 1391) B 1392) D 1393) E 1394) D 1395) B 1396) E
1397) C 1398) B 1399) C 1400) E

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