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Prof. Alfredo Ganime Jr. Página 1 de 3 8/10/2020 DISCIPLINA: ELETRÔNICA DE POTÊNCIA – TRABALHO T1 1- DESCREVA DUAS TÉCNICAS PARA DESLIGAR UM SCR. Os dois métodos para desligar um SCR são classificados como interrupção da corrente do ânodo e técnica de comutação forçada [2]. ... Outra forma de interromper um SCR é utilizando um capacitor de comutação 2- COMO FUNCIONA UM “GTO”, COMO DIFERE DE UM “SCR”? O GTO permite o desligamento pelo gate, por pulso negativo de alta corrente, daí o nome (Gate Turn Off, desligamento pelo gate). Estruturalmente, é similar ao SCR, mas a dopagem e a geometria da camada do gate permite minimizar o sobre-aquecimento durante o desligamento (o que destruiria um SCR). 3- EXPLIQUE O FUNCIONAMENTO DO TRIAC . Um TRIAC, ou "triodo para corrente alternada", é um componente eletrônico semelhante a dois retificadores controlados de silício (SCR/tiristores) ligados em antiparalelo, porém com construção que permite operação com um único terminal de disparo ("gate"). ... O TRIAC faz parte da família dos tiristores. 4- O QUE É UM “IGBT”? QUAIS SÃO AS SUAS VANTAGENS COMPARADO AOS OUTROS DISPOSITIVOS DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA? IGBT é o acrônimo para Insutaled-Gate Bipolar Transistor, ou seja, transistor bipolar com comporta isolada.Trata-se de um transistor que na condução, ou seja, entre o coletor (C) e o emissor (E), se comporta como um transistor bipolar, mas não é disparado por uma corrente, pois em lugar da base temos uma comporta (gate) como num transistor de efeito de campo.Assim, seu disparo é feito por uma tensão, o que faz com que nesta operação, o dispositivo se comporte como um MOSFET.Podemos então dizer que esse dispositivo “combinado” tem as características dos dois componentes: Como um MOSFETÉ controlado por uma tensão; Exige os mesmos circuitos de disparo que os utilizados com os MOSFETs de potência; A velocidade de comutação é maior do que a obtida com os transistores bipolares. Como um Bipolar A queda de tensão que ocorre quando o dispositivo conduz é bem menor do que a que ocorre num MOSFET em condução; O IGBT não possui um diodo inverso intrínseco; Não há tensão de bloqueio inversa. 5- EXPLIQUE O FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO ABAIXO, SIMULE NO EWB E CALCULE O VALOR DE TENSÃO MÉDIA NO RESISTOR DE CARGA DE 1 KOHMS.(OBS.: COMPONENTE DE CHAVEAMENTO É UMA CHAVE CONTROLADA POR TENSÃO – EX. MOSFET).SE DIMINUIRMOS A TENSÃO DA BATERIA PARA 6 V, QUAL DEVE SER O DT(DUTY CYCLE) PARA MANTER A TENSÃO MÉDIA INICIAL. Prof. Alfredo Ganime Jr. Página 2 de 3 8/10/2020 6- A TENSÃO APLICADA EM UM RESISTOR DE 10 OHMS É v(t) = 170 SEN (377t) V. DETERMINE (a) UMA EXPRESSÃO PARA POTÊNCIA INSTANTÂNEA ABSORVIDA PELO RESISTOR, (b) A POTÊNCIA DE PICO E (c) A POTÊNCIA MÉDIA. 7- A TENSÃO E A CORRENTE PARA UM DISPOSITIVO ( USANDO O SINAL DE CONVENÇÃO PASSIVO) SÃO FUNÇÕES PERIÓDICAS COM T = 100 ms DESCRITAS POR v(t) = 10 V 0<t<70ms ; 0 V 70ms<t<100ms i(t) = 0 A 0<t<50ms ; 4 A 50ms<t<100ms DETERMINE (a) A POTÊNCIA INSTANTÂNEA, (b) A POTÊNCIA MÉDIA E (c) A ENERGIA ABSORVIDA PELO DISPOSITIVO EM CADA PERÍODO. 8- UMA RESISTÊNCIA ELÉTRICA DE UM AQUECEDOR COM VALOR NOMINAL DE 1500 W PARA UMA FONTE DE TENSÃO DE v(t) = 120 √2 SEN (2π60t) VOLTS TEM UMA CHAVE CONTROLADA POR UM TERMOSTATO. O AQUECEDOR É LIGADO PERIODICAMENTE POR 5 MIN E DESLIGADO POR 7 MIN. DETERMINE (a) A POTÊNCIA INSTANTÂNEA MÁXIMA, (b) A POTÊNCIA MÉDIA SOBRE O CICLO DE 12 min E (c) A ENERGIA ELÉTRICA CONVERTIDA PELO AQUECEDOR EM CADA 12 min. 9- DETERMNE O VALOR RMS DAS FORMAS DE ONDAS DA TENSÃO E DA CORRENTE NO PROBLEMA 7. 10- NA FIGURA ABAIXO , R= 4 OHM , L = 10 mH , Vcc = 12 V E v(t) = 50 + 30cos(4π60t) + 10cos(8π60t) VOLTS. DETERMINE A POTÊNCIA ABSORVIDA PELOS ELEMENTOS. Prof. Alfredo Ganime Jr. Página 3 de 3 8/10/2020 11- QUAL A POTÊNCIA MÉDIA P EM UMA RESISTÊNCIA PURA DE 10 OHMS, ONDE CIRCULA UMA CORRENTE i(t) = 14,14 COS wt AMPÈRES? 12- ENCONTRE OS VALORES MÉDIO E EFICAZ DA FORMA DE ONDA EM DENTE DE SERRA MOSTRADA NA FIGURA ABAIXO. 50 V 0 s 2 s 3 s 4 s 5 s
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