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UFC – UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ – CAMPUS SOBRAL CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA DISCIPLINA: ELETRÔNICA ANALÓGICA PROFESSOR: MARCOS ROGERIO DE CASTRO PRÁTICA Nº 01 CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ALUNO MATRÍCULA FRANCISCO DENILSON MESQUITA RIBEIRO 400306 SOBRAL – CE 2020 SUMÁRIO 1. Introdução ................................................................................................................................ 3 2. Objetivos da Prática ................................................................................................................ 6 3. Material Utilizado ................................................................................................................... 6 4. Procedimento Experimental ................................................................................................... 7 5. Questionário ........................................................................................................................... 12 6. Conclusão ............................................................................................................................... 14 7. Referências Bibliográficas .................................................................................................... 15 1. Introdução O diodo é um componente eletrônico composto por um cristal semicondutor, entre os principais estão o silício (Si) e germânio (Ge), sendo que destes, o silício é mais utilizado na fabricação destes dispositivos, visto que não só possui caraterísticas superiores ao germânio, como também é um elemento mais abundante na natureza. A respeito de suas propriedades eletrônicas, a principal delas é que o diodo permite a passagem da corrente elétrica somente em um sentido, que ocorre quando a corrente flui do ânodo para o cátodo, que ocorre quando o diodo está diretamente polarizado. Através do esquema do diodo em circuitos eletrônicos é possível notar o sentido que há a circulação de corrente pelo sentido da seta do elemento. Na prática, é possível notar isto através de uma marcação no cátodo (sentido para qual a corrente flui). A figura 01 abaixo mostra um esquema de um diodo e a representação de um diodo real. Figura 01 – Esquema de diodo em circuitos e diodo real Fonte: Wikipédia Já quando o diodo está inversamente polarizado, ou seja, quando o potencial aplicado no cátodo é maior que no ânodo, diz-se que o diodo está em bloqueio, logo, não se passa corrente por ele, mas há a diferença de potencial entre os polos do diodo, e essa diferença de potencial é característica de cada material. São ilustrados nas figuras 02 e 03, respectivamente, o comportamento da curva característica 𝐼 = 𝑓(𝑣) do diodo real e o modelo de segmentos lineares utilizados na determinação dos seus parâmetros. De fato, o comportamento da curva exponencial é dependente do material que constitui a junção, sua área e a variação de temperatura, apresentando assim uma queda de tensão específica para o componente (0,6 a 0,8 V para o diodo de silício). Figura 02 – Comportamento da curva característica 𝐼 = 𝑓(𝑣) Fonte: Manual da Prática Figura 03 – Modelo de segmentos lineares do diodo Fonte: Manual da Prática É bastante comum em aplicações onde se é desejável analisar as perdas do componente quando em condução, ter o conhecimento dos parâmetros do modelo do diodo. Claramente, a partir da análise gráfica da figura 02 e do modelo apresentado na figura 03, obtemos as equações (1), (2), (3), (4) e (5), que são, em ordem, a resistência média do componente (𝑅 ), o modelo de segmentos lineares adotado, a expressão geral da potência no componente, a potência média dissipada no componente na forma integral do valor médio e resultado da potência média. Cabe ressaltar que a equação (5) é composta por uma componente de corrente média e uma componente de corrente eficaz ao quadrado. 𝑅 = (1) 𝑉𝑑 = 𝑉𝑓 + 𝑅 ∙ 𝐼𝑑 (2) 𝑝 (𝑡) = 𝐼𝑑 ∙ 𝑉𝑑 = 𝑉𝑓 ∙ 𝐼𝑑 + 𝑅 ∙ 𝐼𝑑² (3) 𝑃𝑑 (𝑡) = ∙ ∫ 𝑝 (𝑡) 𝑑𝑡 (4) 𝑃𝑑 (𝑡) = 𝑉𝑓 ∙ 𝐼𝑑 + 𝑅 ∙ 𝐼𝑑 ² (5) 2. Objetivos da Prática Levantamento das curvas características do diodo mediante simulação. 3. Material Utilizado Fonte de Tensão CC Resistores de 1,7 Ω. Diodo 1N4007 Amperímetro e voltímetro. 4. Procedimento Experimental A prática começou com a determinação e especificação da resistência bem como a potência dissipada. De fato, a tensão na fonte de entrada era 𝑉 = 2,7𝑉, a corrente inicial no diodo era 𝐼 = 1,0𝐴 e a queda de tensão no diodo era 𝑉 = 1,0𝑉. Logo, temos de (1) que 𝑅 = = , , , = 1,7Ω e 𝑃 = (𝑉 − 𝑉 ) ∙ 𝐼 = (2,7 − 1,0) ∙ 1,0 = 1,7𝑊. Comercialmente, encontraríamos um resistor de 1,8Ω com potência de 1/8𝑊. Posteriormente, o circuito da figura 04 foi simulado, ligando-se a fonte 𝑉 e ajustando a tensão da mesma para que a corrente medida pelo amperímetro fosse igual a exigida na tabela 01 e assim se pudesse medir a tensão 𝑉 com o voltímetro para que a tabela fosse preenchida. Figura 04 – Esquemático a ser montado Fonte: Manual da Prática O circuito inicialmente montado era o mostrado na figura 05. Figura 05 – Circuito Montado Fonte: Autoria própria Foram então feitos os ajustes de tensão solicitados para que o amperímetro tivesse cada uma das leituras pedidas, como mostrado nas figuras 06 a 14. Figura 06 – Amperímetro com leitura 0,1 A Fonte: Autoria própria Figura 07 – Amperímetro com leitura 0,2 A Fonte: Autoria própria Figura 08 – Amperímetro com leitura 0,3 A Fonte: Autoria própria Figura 09 – Amperímetro com leitura 0,4 A Fonte: Autoria própria Figura 10 – Amperímetro com leitura 0,5 A Fonte: Autoria própria Figura 11 – Amperímetro com leitura 0,6 A Fonte: Autoria própria Figura 12 – Amperímetro com leitura 0,7 A Fonte: Autoria própria Figura 13 – Amperímetro com leitura 0,8 A Fonte: Autoria própria Figura 14 – Amperímetro com leitura 0,9 A Fonte: Autoria própria Assim, a tabela 01 preenchida ficou como é mostrada abaixo. Tabela 01 – Resultados Experimentais 𝐼 (𝐴) 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 0,60 0,70 0,80 0,90 𝑉 (𝑉) 0,741 0,778 0,801 0,818 0,833 0,846 0,857 0,867 0,877 Fonte: Manual da Prática 5. Questionário a) Traçar a curva 𝐼 = 𝑓(𝑣) simulada utilizando a tabela 01. R: Segue na figura 15, a curva solicitada. Figura 15 – Curva 𝐼 = 𝑓(𝑣) simulada Fonte: Autoria própria b) Determine a resistência média 𝑅 referente a curva 𝐼 = 𝑓(𝑣) simulada traçada anteriormente. R: A resistência média R = , , , = 1,7Ω. c) Como a temperatura influencia na curva característica do diodo? R: Uma junção PN sofre influência da temperatura. A temperatura máxima é 150°C para o silício e 100°C para o germânio. Sabemos que para cada 1ºC de aumento na temperatura, a queda de tensão sobre o diodo diminui de 2,5mV. Em outras palavras: a resistência interna do diodo diminui e a queda de tensão sobre o diodo diminui de 2,5mV/ºC. d) Comente a respeito dos resultados obtidos com a simulação. R: Na simulação obtivemos uma curva bastante parecida com a da figura 02 - comportamento da curva do diodo -, no entanto há-se uma discrepância na relação entre corrente máxima do diodo e sua queda de tensão. Possivelmente, o erro ocorro por não estarmos lidando com valores comerciais de resistência nem com diodos reais, por exemplo.e) Pesquise a respeito dos tipos de diodos: Schottky, Tunnel e Varicap. R: Diodo Schottky: Com a estrutura básica dos diodos (N-P), o diferencial deste diodo é que o semicondutor P é substituído por um metal, podendo este variar do tungstênio à platina, dependendo da necessidade da barreira de potencial. Seu principal diferencial é que ele responde melhor à trocas rápidas de tensão com relação aos outros diodos, além de possuir baixa barreira potencial com a maioria dos metais. Porém, sua corrente inversa aumenta drasticamente quando é aplicada uma tensão reversa sobre ele, o que pode danificar rapidamente o dispositivo. Como possui rápida transição, o diodo Schottky é utilizado para evitar distorções em sinais, que seriam causadas pelo uso de diodos normais, devida a alta barreira diferencial presente em diodos comuns e ao baixo tempo de resposta se comparado ao Schottky. Diodo Tunnel: A construção do diodo Tunnel se baseia no alto nível de impureza dos semicondutores, ou seja, uma alta dopagem destes elementos, fazendo com que a zona de condução deste diodo não seja mais linear, e sim distorcida. Assim, é possível observar dentro de uma zona específica, um efeito de resistência negativa, onde um aumento de tensão gera uma queda no valor da corrente que passa pelo diodo. Outra característica importante deste diodo é seu alto tempo de resposta, podendo operar em altas frequências sem ruídos devido a respostas lentas. Por sua resistência a altas temperaturas, é utilizado em aplicações militares e em usinas nucleares. Seu efeito de resistência negativa pode ser utilizado em circuitos osciladores e sua alta capacidade de resposta permite que ele seja usado como transistor em vários circuitos digitais. Diodo Varicap: Um diodo varicap é basicamente um diodo normal, com os semicondutores N e P, porém entre eles, é colocado um material dielétrico entre entre os semicondutores, de forma a tornar o diodo um capacitor. Quando variamos a tensão nos polos do diodo, variamos também o tamanho do material dielétrico, aumentando assim, a capacitância total do diodo. Ou seja, o diodo varicap pode ser utilizado como um capacitor variável, que tem valor dependente da tensão aplicada aos seus terminais. Ou seja, podemos utilizá-los em filtros ativos e passivos, a fim de variar a frequência de corte, já que muitas vezes, essa depende do valor de C. 6. Conclusão Esta prática realmente cumpriu com o seu objetivo que era o levantamento das curvas características do diodo mediante simulação. Ao realizar a prática, foi possível, primeiramente, notar a importância do diodo nos materiais eletrônicos, já que o mesmo auxilia o surgimento de novas tecnologias e materiais. Nesse experimento, também pudemos conhecer um pouco sobre a curva característica do diodo e a relação entre a sua corrente e sua queda de tensão, o que ajuda a entender mais da eletrônica analógica. 7. Referências Bibliográficas [1] Diodo: quase tudo que você precisa saber. Disponível em <https://www.oficinadanet.com.br >. Acessado em 03 de agosto de 2020. [2] DIODES incorporated. 1N4007. Disponível em <https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ds28002.pdf>. Acessado em 03 de agosto de 2020
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