COMPONENTE, PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS DE CADA UM E SUA UTILIDADE DENTRO DOS CIRCUITOS ELÉTRICOS. FÍSICA3

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FACULDADE UNIGRANRIO
2º TRABALHO DE FÍSICA III
	
componente, principais características de cada um e sua utilidade dentro dos circuitos ELÉTRICOS.
Trabalho apresentado à Universidade do Grande Rio como requisito avaliativo para a disciplina Física 3.
Resistores
são componentes que têm por finalidade oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica, através de seu material. A essa oposição damos o nome de resistência elétrica ou impedância, que possui como unidade o ohm. Causam uma queda de tensão em alguma parte de um circuito elétrico, porém jamais causam quedas de corrente elétrica, apesar de limitar a corrente. Isso significa que a corrente elétrica que entra em um terminal do resistor será exatamente a mesma que sai pelo outro terminal, porém há uma queda de tensão. Utilizando-se disso, é possível usar os resistores para controlar a corrente elétrica sobre os componentes desejados.
Os resistores podem ser fixos ou variáveis. Neste último caso, são chamados de potenciômetros ou reostatos. O valor nominal é alterado ao girar um eixo ou deslizar uma alavanca. Um resistor ideal é um componente com uma resistência elétrica que permanece constante independentemente da tensão ou corrente elétrica que circula pelo dispositivo. O valor de um resistor de carbono pode ser facilmente identificado de acordo com as cores que apresenta na cápsula que envolve o material resistivo, ou então usando um ohmímetro.
Alguns resistores são longos e finos, com o material resistivo colocado ao centro, e um terminal de metal ligado em cada extremidade. Este tipo de encapsula mento é chamado de encapsulamento axial. A fotografia a direita mostra os resistores em uma tira geralmente usados para a pré-formatação dos terminais. Resistores usados em computadores e outros dispositivos são tipicamente muito menores, freqüentemente são utilizadas tecnologia de montagem superficial (Surface-mount technology), ou SMT, esse tipo de resistor não tem "perna" de metal (terminal). Resistores de maiores potências são produzidos mais robustos para dissipar calor de maneira mais eficiente, mas eles seguem basicamente a mesma estrutura.
1.1 	Resistor Variável
 	O Resistor variável é um resistor cujos valores podem ser ajudados por um movimento mecânico , por exemplo , rodando manualmente.
Os resistores variáveis podem ser de volta simples ou de múltiplas voltas com um elemento helicoidal. Alguns têm um display mecânico para contar as voltas.
· Reostato 
é um resistor variável com dois terminais, sendo um fixo e o outro deslizante. Geralmente são utilizados com altas correntes.
· Potenciômetro
 É um tipo de resistor variável comum, sendo comumente utilizado para controlar o volume em amplificadores de áudio.
1.2 	Metal Óxido Varistor ou M.O.V. / Varistores
É um tipo especial de resistor que tem dois valores de resistência muito diferentes, um valor muito alto em baixas voltagens (abaixo de uma voltagem específica), e outro valor baixo de resistência se submetido a altas voltagens .
Ele é usado geralmente para proteção contra curtos-circuitos em extensões ou pára-raios usados nos postes de ruas, ou como "trava" em circuitos eletro motores . São resistências que variam o seu valor de acordo com a temperatura a que estão submetidas. A relação geralmente é direta, porque os metais usados têm uma coeficiente de temperatura positivo, ou seja se a temperatura sobe, a resistência também sobe. Os metais mais usado são a platina, daí as designação Pt100 e Pt1000(100 porque à temperatura 0 °C, têm uma resistência de 100ohm, 1000 porque à temperatura 0 °C, têm uma resistência de 1000ohm) e o Níquel (Ni100).
1.3 	PTC (Positive Temperature Coefficient)
É um resistor dependente de temperatura com coeficiente de temperatura positivo. Quando a temperatura se eleva, a resistência do PTC aumenta. 
PTCs são freqüentemente encontrados em televisores, em série com a bobina desmagnetizador, onde são usados para prover uma curta rajada de corrente na bobina quando o aparelho é ligado.
1.4 	NTC (Negative Temperature Coefficient)
Também é um resistor dependente da temperatura, mas com coeficiente negativo. Quando a temperatura sobe, sua resistência cai. NTC são freqüentemente usados em detectores simples de temperaturas, e instrumentos de medidas.
1.5 	LDR (Light Dependent Resistor)
É uma resistência que varia, de acordo com a intensidade luminosa incidida. A relação geralmente é inversa, ou seja a resistência diminui com o aumento da intensidade luminosa. Muito usado em sensores de luminosidade ou crepusculares.
https://pt.wikipedia.org/wiki/Resistor
Referências
1. Ir para cima↑ «resistores». discipulosdeeinstein. Consultado em 27 de fevereiro de 2012.
2. Ir para cima↑ «Resistividade». Mundo Educação. Consultado em 27 de fevereiro de 2012.
3. Ir para cima↑ «O que São Resistores Variáveis ?». eletronicos.etc. Consultado em 27 de fevereiro de 2012.
4. Ir para cima↑ Johnson, D. E.; Hilburn, J.L.;Johnson, J.R.; "Fundamentos de Análise de Circuitos Elétricos"; 4ª Edição; Editora LTC; 1994
5. Ir para cima↑ Dias, Isabel Aguiar. «Materiais Elétricos - Compêndio de Trabalhos, vol. 5 - Resistores» (PDF). Universidade Estadual do Oeste do Paraná. Consultado em 27 de fevereiro de 2012.
CAPACITOR 
Em outubro de 1745, Ewald Georg von Kleist, descobriu que uma carga poderia ser armazenada, conectando um gerador de alta tensão eletrostática por um fio a uma jarra de vidro com água, que estava em sua mão. A mão de Von Kleist e a água agiram como condutores, e a jarra como um dielétrico (mas os detalhes do mecanismo não foram identificados corretamente no momento). Von Kleist descobriu, após a remoção do gerador, que ao tocar o fio, o resultado era um doloroso choque. Em uma carta descrevendo o experimento, ele disse: "Eu não levaria um segundo choque pelo reino de França". No ano seguinte, na Universidade de Leiden, o físico holandês Pieter van Musschenbroek inventou um capacitor similar, que foi nomeado de Jarra de Leiden. 
Daniel Gralath foi o primeiro a combinar várias jarras em paralelo para aumentar a capacidade de armazenamento de carga. Benjamin Franklin investigou a Jarra de Leiden e "provou" que a carga estava armazenada no vidro, e não na água como os outros tinham suposto. Ele também adotou o termo "bateria", posteriormente aplicada a um aglomerados de células eletroquímicas. 
Jarras de Leiden foram utilizados exclusivamente até cerca de 1900, quando a invenção das transmissões de rádio em 1899 criou uma demanda por capacitores padrão, e o movimento constante para frequências mais altas necessitavam de capacitores com baixa capacitância.[carece de fontes]
No início capacitores também eram conhecidos como condensadores, um termo que ainda é utilizado atualmente. O termo foi usado pela primeira vez por Alessandro Volta em 1782, com referência à capacidade do dispositivo de armazenar uma maior densidade de carga elétrica do que um condutor normalmente isolado. 
2.1 	Corrente de deslocamento
O físico James Clerk Maxwell propôs o conceito de corrente de deslocamento para tornar a Lei de Ampère consistente com o princípio de conservação da carga em casos em que a carga elétrica se acumula, como por exemplo num capacitor. Ele interpretou este fenômeno como um movimento real de cargas, mesmo no vácuo, onde ele supôs que corresponderia ao movimento de cargas de um dipolo no éter. Embora essa interpretação tenha sido abandonada, a correção de Maxwell à lei de Ampere permanece válida (um campo elétrico variável produz um campo magnético). 
A corrente de deslocamento deve ser incluída, por exemplo, para aplicação das Leis de Kirchhoff a um capacitor.
2.2 Capacitância
A propriedade que estes dispositivos têm de armazenar energia elétrica sob a forma de um campo eletrostático é chamada de capacitância ou capacidade (C) e é medida pelo quociente da quantidade de carga (Q) armazenada pela diferença de potencial ou tensão (V) que existe entre as placas: 
{\displaystyle C={\frac {Q}{\Delta V}}}
Pelo Sistema Internacional de Unidades(SI), um capacitor tem a capacitância de um farad (F) quando um coulomb de carga causa uma diferença de potencial de um volt (V) entre as placas (ou armaduras). O farad é uma unidade de medida considerada muito grande para circuitos práticos, por isso, são utilizados valores de capacitâncias expressos em microfarads (μF), nanofarads (nF) ou picofarads (pF). 
A equação acima é exata somente para valores de Q muito maiores que a carga do elétron (e = 1,6021 × 10−19 C). Por exemplo, se uma capacitância de 1 pF fosse carregada a uma tensão de 1 µV, a equação perderia uma carga Q = 10−19 C, mas isto seria impossível já que seria menor do que a carga em um único elétron. Entretanto, as experiências e as teorias recentes sugerem a existência de cargas fracionárias.
A capacitância de um capacitor de placas paralelas constituído de dois eletrodos planos idênticos de área A separados à distância constante d é aproximadamente igual a:
{\displaystyle C=\epsilon _{0}\epsilon _{r}{\frac {A}{d}}}
Onde
· C é a capacitância em farad;
· ε0 é a permissividade eletrostática do meio (vácuo ou espaço livre);
· εr é a constante dielétrica ou permissividade relativa do isolante utilizado.
https://pt.wikipedia.org/wiki/Capacitor
Referências
1. ↑ Ir para:a b Henry Smith Williams. «A History of Science Volume II, Part VI: The Leyden Jar Discovered» (em inglês)
2. Ir para cima↑ Houston, Edwin J. (1905). Electricity in Every-day Life. [S.l.]: P. F. Collier & Son
3. Ir para cima↑ Keithley, Joseph (1999). The Story of Electrical and Magnetic Measurements From 500 BC to the 1940s. [S.l.]: IEEE Press. p. 23. ISBN 0-7803-1193-0
4. Ir para cima↑ Isaacson, Walter (2003). Benjamin Franklin. [S.l.]: Simon and Schuster. p. 136. ISBN 0684807610, 9780684807614 Verifique |isbn= (ajuda)
5. Ir para cima↑ Benjamin Franklin. «Experiments & Observations on Electricity: Letter IV to Peter Collinson» (PDF) (em inglês). 28 páginas
6. Ir para cima↑ Robert A. Morse. «Franklin and Electrostatics—Ben Franklin as my Lab Partner» (PDF) (em inglês). 23 páginas
7. Ir para cima↑ «Sketch of Alessandro Volta». The Popular Science Monthly. Maio/Outubro de 1892 Verifique data em: |data=(ajuda)
8. Ir para cima↑ Serway, R.A.; Jewett Jr., J.W (2008). Princípios de Física. 3. São Paulo: Cengage Learning. p. 909-910. ISBN 85-221-0414-X
9. ↑ Ir para:a b Ulaby, p.168
10. Ir para cima↑ Marco Aurélio da Silva. «Capacitores». Brasil Escola
11. ↑ Ir para:a b c d e f g h i j k l [ Eletricidade e Magnetismo. Porto: Jaime E. Villate, 20 de março de 2013. 221 págs]. Creative Commons Atribuição-Partilha (versão 3.0) ISBN978-972-99396-2-4. Acesso em 14 jun. 2013.
12. Ir para cima↑ «Charging a Capacitor» (em inglês). Georgia State University. Consultado em 1 de setembro de 2015.
13. Ir para cima↑ Serway, Raymond A.; Jewett Jr., John W. (2008). Princípios de Física. 3. São Paulo: Cengage Learning. p. 796. ISBN 978-85-221-0414-7
14. Ir para cima↑ «Código de resistores e capacitores»
15. Ir para cima↑ «Conhecendo capacitores»
Diodo semicondutor 
é um elemento ou componente eletrônico composto de um cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes materiais durante sua formação, o que causa a polarização de cada uma das extremidades.
É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor, usado como retificador de corrente elétrica entre outras aplicações. Possui uma queda de tensão de, aproximadamente, 0,3 V (germânio) e 0,7 V (silício).
3.1 	 Comportamento em circuito
O diodo é um componente elétrico que permite que a corrente o atravesse num sentido com muito mais facilidade do que no outro. O tipo mais comum de diodo é o diodo semicondutor, no entanto, existem outras tecnologias de diodo. Diodos semicondutores são simbolizados em diagramas esquemáticos como na figura abaixo. O termo "diodo" é habitualmente reservado a dispositivos para sinais baixos, com correntes iguais ou menores a 1 A.
Quando colocado em um simples circuito bateria-lâmpada, o diodo permite ou impede corrente através da lâmpada, dependendo da polaridade da tensão aplicada, como nas duas figuras abaixo.
 
Na imagem da esquerda o diodo está diretamente polarizado, há corrente e a lâmpada fica acesa. Na imagem da direita o diodo está inversamente polarizado, não há corrente, logo a lâmpada fica apagada.
O diodo funciona como uma chave de acionamento automático (fechada quando o diodo está diretamente polarizado e aberta quando o diodo está inversamente polarizado). A diferença mais substancial é que, quando diretamente polarizado, há uma queda de tensão no diodo muito maior do que aquela que geralmente se observa em chaves mecânicas (no caso do diodo de silício, 0,7 V). Assim, uma fonte de tensão de 10 V, polarizando diretamente um diodo em série com uma resistência, faz com que haja uma queda de tensão de 9,3 V na resistência, pois 0,7 V ficam no diodo. Na polarização inversa, acontece o seguinte: o diodo faz papel de uma chave aberta, já que não circula corrente, não haverá tensão no resistor, a tensão fica toda retida no diodo, ou seja, nos terminais do diodo há uma tensão de 10 V.
A principal função de um diodo semicondutor, em circuitos retificadores de corrente, é transformar corrente alternada em corrente contínua pulsante. Como no semiciclo negativo de uma corrente alternada o diodo faz a função de uma chave aberta, não passa corrente elétrica no circuito (considerando o “sentido convencional de corrente”, do “positivo” para o “negativo”). A principal função de um diodo semicondutor, em circuitos de corrente contínua, é controlar o fluxo da corrente, permitindo que a corrente elétrica circule apenas em um sentido.
3.2 	Usos
O fenômeno da condutividade em um só sentido é aproveitado como um chaveamento da corrente elétrica para a retificação de sinais senoidais[7], portanto, este é o efeito diodo semicondutor tão usado na eletrônica, pois permite que a corrente flua entre seus terminais apenas numa direção. Esta propriedade é utilizada em grande número de circuitos eletrônicos e nos retificadores.
Os retificadores são circuitos elétricos que convertem a tensão CA (AC) em tensão CC (DC). CA vem de Corrente alternada, significa que os elétrons circulam em dois sentidos, CC (DC), Corrente contínua, isto é circula num só sentido.
A certa altura, o potencial U , formado a partir da junção n e p não deixa os elétrons e lacunas movimentarem-se, este processo dá-se devida assimetria de cargas existente.
3.3 	Tipos de diodos semicondutores
Os diodos são projetados para assumir diferentes características: diodos retificadores são capazes de conduzir altas correntes elétricas em baixa freqüência, diodos de sinal caracterizam-se por retificar sinais de alta freqüência, diodos de chaveamento são indicados na condução de altas correntes em circuitos chaveados. Dependendo das características dos materiais e dopagem dos semicondutores há uma gama de dispositivos eletrônicos variantes do diodo:
	
	
	
	
	
	
	
	Diodo
	
	Diodo
zener
	
	Diodo
Schottky
	
	Diodo
túnel
	
	
	
	
	
	
	
	Diodo emissor
de luz
	
	Fotodiodo
	
	Varicap
	
	SCR
https://pt.wikipedia.org/wiki/Diodo_semicondutor
Referências
1. Ir para cima↑ «Diodo Semicondutor». Cola da Web. Consultado em 13 de janeiro de 2012.
2. Ir para cima↑ Bisquolo, Augusto Paulo. «Tipos mais Comuns de Semicondutores». UOL Educação. Consultado em 13 de janeiro de 2012.
3. Ir para cima↑ Houaiss, Antônio (2001). «Díodo». In: Instituto Antônio Houaiss de Lexicografia. Dicionário Houaiss da Língua Portuguesa. VII. Lisboa: Temas & Debates. 3001 páginas
4. Ir para cima↑ Ferreira, Aurélio Buarque de Holanda (1986). «Diodo». Novo Dicionário da Língua Portuguesa 2 ed. Rio de Janeiro: Nova Fronteira. 592 páginas
5. Ir para cima↑ Eletricidade - Circuitos Elétricos Centro de Divulgação Científica e Cultural - USP (Universidade de São Paulo) - acessado em 12 de janeiro de 2012
6. Ir para cima↑ Pereira, Lilian Souza (17 de fevereiro de 2010). «Dopagem Eletrônica». Infoeducação. Consultado em 13 de janeiro de 2012.7. Ir para cima↑ Coelho, Raphael. «Eletônica Analógica». Angelfire. Consultado em 13 de janeiro de 2012.
Transítor
O transístor ou transistor  é um componente eletrônico que começou a popularizar-se na década de 1950, tendo sido o principal responsável pela revolução da eletrônica na década de 1960. São utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais elétricos, além de retificadores elétricos em um circuito, podendo ter variadas funções. O termo provém do inglês transfer resistor (resistor/resistência de transferência), como era conhecido pelos seus inventores. 
O processo de transferência de resistência, no caso de um circuito analógico, significa que a impedância característica do componente varia para cima ou para baixo da polarização pré-estabelecida. Graças a esta função, a corrente elétrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parâmetros pré-estabelecidos pelo projetista do circuito eletrônico. Esta variação é feita através da variação de corrente num dos terminais chamados base, o que, conseqüentemente, ocasiona o processo de amplificação de sinal.
Entende-se por “amplificar” o procedimento de tornar um sinal elétrico mais forte. Um sinal elétrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um microfone, é injetado num circuito eletrônico (transistorizado por exemplo), cuja função principal é transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais elétricos com as mesmas características, mas com potência suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo dá-se o nome de ganho de sinal.
4.1 	Invenção 
O transístor de silício e germânio foi inventado nos Laboratórios da Bell Telephone por John Bardeen e Walter Houser Brattain em 1947 e, inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o Nobel de Física em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas acabaram por descobrir uma amplificação da corrente no ponto de contato do transistor. Isto evoluiu posteriormente para converter-se no transistor de junção bipolar (BJT). O objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as válvulas termoiônicas usadas nos sistemas telefônicos da época.
Os transistores bipolares passaram, então, a ser incorporados a diversas aplicações, tais como aparelhos auditivos, seguidos rapidamente por rádios transistorizados. Mas a indústria norte-americana não adotou imediatamente o transistor nos equipamentos eletrônicos de consumo, preferindo continuar a usar as válvulas termoiônicas, cuja tecnologia era amplamente dominada. Foi por meio de produtos japoneses, notadamente os rádios portáteis fabricados pela Sony, que o transistor passou a ser adotado em escala mundial. Não houve muitas mudanças até então.
Nessa época, o MOSFET[2] (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor – Transistor de Efeito de Campo formado por Metal, Óxido e Silício) ficou em segundo plano, quase esquecido. Problemas de interface inviabilizavam a construção dos MOSFETs. Contudo, em 1959, Atalla e Kahng, da Bell Labs, fabricaram e conseguiram a operação de um transistor MOS. Nessa época, os transistores MOS eram tidos como curiosidade, devido ao desempenho bastante inferior aos bipolares.
A grande vantagem dos transistores em relação às válvulas foi demonstrada em 1958, quando Jack Kilby, da Texas Instruments, desenvolveu o primeiro circuito integrado, consistindo de um transistor, três resistores e um capacitor, implementando um oscilador simples. A partir daí, via-se a possibilidade de criação de circuitos mais complexos, utilizando integração de componentes. Isto marcou uma transição na história dos transistores, que deixaram de ser vistos como substitutos das válvulas e passaram a ser encarados como dispositivos que possibilitam a criação de circuitos complexos, integrados.
Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o MOS passou a ser encarado como um dispositivo viável para circuitos digitais integrados. Nessa época, havia muitos problemas com estados de impurezas, o que manteve o uso do MOS restrito até o fim da década de 60. Entre 1964 e 1969, identificou-se o Sódio (Na) como o principal causador dos problemas de estado de superfície e começaram a surgir soluções para tais problemas.
No início da tecnologia MOS, os transistores PMOS foram mais utilizados, apesar de o conceito de Complementary MOS (CMOS) já ter sido introduzido por Weimer. O problema ainda era a dificuldade de eliminação de estados de superfície nos transistores NMOS.
Em 1970, a Intel anunciava a primeira DRAM, fabricada com tecnologia PMOS. Em 1971, a mesma empresa lançava o primeiro microprocessador do mundo, o 4004, baseado em tecnologia PMOS. Ele tinha sido projetado para ser usado em calculadoras. Ainda em 1971, resolviam-se os problemas de estado de superfície e emergia a tecnologia NMOS, que permitia maior velocidade e maior poder de integração.
O domínio da tecnologia MOS dura até o final dos anos 70. Nessa época, o NMOS passou a ser um problema, pois com o aumento da densidade dos CIs, a tecnologia demonstrou-se insuficiente, pois surgem grandes problemas com consumo de potência (que é alta nesse tipo de tecnologia). Com isso, a tecnologia CMOS começava a ganhar espaço.
A partir da década de 80, o uso de CMOS foi intensificado, levando a tecnologia a ser usada em 75% de toda a fabricação de circuitos, por volta do ano 2000.
4.2 	Alguns números
O primeiro processador de 8 bits (Intel 8008) usava tecnologia PMOS e tinha frequência de 0,2 MHz. Ano de fabricação: abril/1972 – 3500 transistores com 10 µm ou 10000 nm, com uma tensão de trabalho de 5 V;
10 anos depois, a Intel lançou o 80286, com frequências de 6, 10 e 12 MHz, fabricado com tecnologia CMOS – 134.000 transistores 1,5 µm ou 1500 nm, com uma tensão de trabalho de 5 V;
O Pentium 4, lançado em janeiro de 2002, trabalha com frequências de 1300 a 4000 MHz, com 55 milhões de transistores CMOS 130 nm. A série de chips Radeon 2000, por exemplo, atinge os 500 milhões de transistores, chegando à casa dos 40 nm.
A placa de vídeo da AMD Radeon HD 6870, lançada em outubro de 2010, trabalha com frequências de 900 MHz na GPU, 4200 MHz de frequência de memória do tipo GDDR5 (interface de 256 bits), tem 1,7 bilhão de transistores, com processo de fabricação de 40 nm e um Core de 255 mm2.
4.3 Importância
O transistor é considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenções da história moderna, tendo tornado possível a revolução dos computadores e equipamentos eletrônicos. A chave da importância do transistor na sociedade moderna é sua possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando técnicas simples, resultando preços irrisórios.
É conveniente salientar que é praticamente impossível serem encontrados circuitos integrados que não possuam, internamente, centenas, milhares ou mesmo milhões de transistores[4], juntamente com outros componentes como resistores e condensadores. Por exemplo, o microprocessador Cell do console Playstation 3 tem aproximadamente 234 milhões de transistores, usando uma arquitetura de fabricação de 45 nanômetros, ou seja, a porta de controle de cada transistor tem apenas 45 milionésimos de um milímetro.
Seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente quase universal para tarefas não-mecânicas. Visto que um dispositivo comum, como um refrigerador, usaria um dispositivo mecânico para o controle, hoje é freqüente e muito mais barato usar um microprocessador contendo alguns milhões de transistores e um programa de computador apropriado para realizar a mesma tarefa. Os transistores, hoje em dia, têm substituído quase todos os dispositivos eletromecânicos, a maioria dos sistemas de controle, e aparecem em grandes quantidades em tudo que envolva eletrônica, desde os computadores aos carros.
Seu custo tem sido crucial no crescente movimento para digitalizar toda a informação.Com os computadores transistorizados a oferecer a habilidade de encontrar e ordenar rapidamente informações digitais, mais e mais esforços foram postos em tornar toda a informação digital. Hoje, quase todos os meios na sociedade moderna são fornecidos em formato digital, convertidos e apresentados por computadores. Formas analógicas comuns de informação, tais como a televisão ou os jornais, gastam a maioria do seu tempo com informação digital, sendo convertida no formato tradicional apenas numa pequena fração de tempo.
https://pt.wikipedia.org/wiki/Trans%C3%ADstor
Referências
1. Ir para cima↑ Morimoto, Carlos E. (26 de junho de 2005). «Transístor». Guia do Hardware. Consultado em 13 de fevereiro de 2012.
2. Ir para cima↑ «Fet - Transistores de Efeito de Campo». Radiopoint. Consultado em 13 de fevereiro de 2012.
3. Ir para cima↑ «AMD's Radeon HD 6870 & 6850: Renewing Competition in the Mid-Range Market» (em inglês). AnandTech.com. 21 de outubro de 2011. Consultado em 10 de abril de 2013.
4. Ir para cima↑ «Circuitos Integrados». Electrônica-pt. Consultado em 13 de fevereiro de 2012.
5. Ir para cima↑ idPT (Ideias Portuguesas
6. Ir para cima↑ «Transistor». ARVM. Consultado em 13 de fevereiro de 2012.
7. Ir para cima↑ Vieira, Gilson. «Análise de componentes esparsos locais com aplicações em ressonância magnética funcional»
8. Ir para cima↑ Tran; Fung; Scott; Havemann; Eklund (1988). «A novel BiCMOS TTL input buffer; a merging of analog and digital circuit design techniques». IEEE. Symposium on VLSI Circuits. ISBN 493081376X. doi:10.1109/vlsic.1988.1037425
 Válvula solenóide
 Nada mais é do que uma válvula eletromecânica controlada. Ela recebe o nome de solenóide devido ao seu componente principal ser uma bobina elétrica com um núcleo ferromagnético móvel no centro, sendo este núcleo chamado de êmbolo. Em uma posição de repouso, o êmbolo tampa um pequeno orifício por onde é capaz de circular um fluido. Quando uma corrente elétrica circula através da bobina, esta corrente cria um campo magnético que por sua vez exerce uma força no êmbolo. Como resultado, o êmbolo é puxado em direção ao centro da bobina de modo que o orifício se abre e este é o princípio básico que é usado para abrir e fechar uma válvula solenóide.
“Uma válvula solenóide é uma válvula eletromecânica acionada a fim de controlar o fluxo de líquidos e gases”.
A válvula solenóide está entre os componentes mais utilizados em circuitos de gás e líquido em indústrias por todo o planeta e podemos dizer que a quantidade de aplicações para este dispositivo é quase infinita. Alguns exemplos do uso de válvula solenóide incluem sistemas de aquecimento, tecnologia de ar comprimido, automação industrial, piscinas, sistemas de aspersão, máquinas de lavar roupa, equipamentos odontológicos, sistemas de lavagem de carros e sistemas de irrigação.
5.1 	Funções de Circuito da Válvula Solenóide
Como vimos, a válvula solenóide é utilizada para fechar, dosar, distribuir ou misturar o fluxo de gás ou líquido e o propósito específico de uma válvula solenóide é expresso pela sua função de circuito. Por exemplo: uma válvula de 2/2 vias tem duas portas (1 entrada e 1 saída) e duas posições (aberta ou fechada). Adicionalmente, uma válvula de 2/2 pode ser ‘normalmente fechada’ (fechada em estado desenergizado) ou ‘normalmente aberta’ (aberta no estado desenergizado).
Um outro tipo de válvula, a de 3/2 vias possui três portas e duas posições e justamente por possuir três portas, fornece a funcionalidade de alternar entre dois circuitos. As válvulas de 3/2 vias também podem ter função diferente além das já conhecidas (normalmente fechadas e normalmente abertas) possuindo também a função tipo desviadora ou universal.
Mais portas ou combinações de válvulas em uma única construção são possíveis e por este motivo, foram criados símbolos para expressar a função do circuito de uma determinada válvula. Abaixo estão alguns exemplos das funções de circuito mais comuns:
Veja que a função de circuito de uma válvula é simbolizada em duas caixas retangulares para o estado desenergizado (lado direito) e estado energizado (lado esquerdo). As setas na caixa mostram a direção do fluxo entre as portas da válvula. No exemplo da Figura, temos uma válvula 2/2 vias normalmente aberta (NO), uma válvula de 2/2 vias normalmente fechada (NC) e uma válvula de 3/2 vias normalmente fechada. Para mais informações sobre símbolos de 
válvulas e funções de circuito, visite a página sobre símbolos de válvulas.
5.2 	Tipo de Operação
As válvulas solenóides podem ser categorizadas em diferentes grupos de operação.
5.3 	Operação direta
A válvula solenóide de operação direta (ação direta) possui o princípio de funcionamento mais simples se comparado com outros tipos de operação. Neste tipo, o fluido flui através de um pequeno orifício que pode ser fechado por um êmbolo com uma junta de borracha na parte inferior. Uma pequena mola segura o êmbolo para baixo para fechar a válvula. O êmbolo por sua vez é feito de um material ferromagnético e possui uma bobina elétrica posicionada em torno dele. Assim que a bobina é energizada, é gerado um campo magnético que puxa o êmbolo para cima em direção ao centro da bobina. Isso faz com que o orifício se abra e permita a passagem do fluido. O funcionamento descrito aqui é para uma válvula normalmente fechada.
Para o funcionamento da válvula de operação direta Normalmente Aberta (NA) teremos um funcionamento oposto e é importante frisar que a construção neste caso também será diferente a fim de permitir que o orifício esteja aberto quando o solenóide não estiver ligado. Assim, quando o solenóide for acionado, o orifício será fechado. Uma característica do tipo operação direta é que a pressão máxima de operação e o fluxo estão diretamente relacionados ao diâmetro do orifício e à força magnética da válvula solenóide. Portanto, válvulas de operação direta são utilizadas em aplicações com taxas de fluxo relativamente pequenas e que não requerem pressão mínima de operação ou diferença de pressão para serem acionadas. Sendo assim, podem ser utilizadas em aplicações que variam de 0 bar até a pressão máxima permitida.
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