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ELETRÔNICA DIGITAL Marlon Leandro Moraes Dispositivos de memórias Objetivos de aprendizagem Ao final deste texto, você deve apresentar os seguintes aprendizados: Identificar os princípios de operação de dispositivos de memória. Analisar conexões CPU–memória. Caracterizar os diferentes tipos de memória. Introdução Os dispositivos de memórias são elementos essenciais para o funciona- mento dos computadores. Embora a Unidade Central de Processamento (Central Process Unit, ou CPU) seja o “cérebro” de um microcomputador, esse elemento central não funcionaria se não houvesse dispositivos de memórias conectados nos seus barramentos. Afinal, é na memória que as instruções executadas pela CPU são guardadas. Neste capítulo, você vai estudar a função e a relevância dos dispositi- vos de memórias em circuitos digitais, os seus princípios de operação e acesso e os seus tipos característicos. Além disso, vai entender e analisar como são realizadas as suas conexões nos barramentos de controle, endereço e dados de uma CPU. Princípios de operação Para entender como funcionam os dispositivos de memórias, é preciso com- preender também a estrutura básica de um sistema computacional. A Figura 1 apresenta o diagrama de blocos da estrutura simplifi cada de um sistema computacional contemporâneo, em que são destacados diversos elementos, como a CPU, os barramentos de controle, de endereços e de dados, assim como diversos tipos de memória. Figura 1. Visão simplificada de um sistema computacional básico. Fonte: Tokheim (2013, p. 325). Estudar dispositivos de memória, desde a sua estrutura básica até o seu emprego em aplicações de circuitos digitais computacionais, exige a compre- ensão da sua terminologia básica. Nesse sentido, será apresentado a seguir um breve resumo dos termos comuns no estudo dos dispositivos de memória (TOKHEIM, 2013). Célula: é o elemento primário de um dispositivo de memória, cuja função é reter um único bit (0 ou 1). As células possuem diversas características construtivas, o que resulta também em funcionalidades distintas. As classificações serão apresentadas a seguir neste capítulo. Palavra: é o agrupamento de bits que representa o tamanho da infor- mação (dado) ou instrução. Em geral, nos sistemas computacionais contemporâneos, as palavras de dados/instrução variam entre 8 e 64 bits. Capacidade: é uma das principais métricas de especificação memória e define quantos bits podem ser armazenados em determinado dispo- sitivo. Há duas formas tradicionais de apresentação da capacidade de uma memória: ■ refere-se ao número total de bits de um dispositivo de memória, por exemplo, 16.384 bits (16k bits); ■ refere-se à organização da memória em relação ao tamanho da sua palavra, por exemplo, 2kx8 (2048x8). Nesse caso, o dispositivo de memória possui 2.048 palavras, e cada uma possui 8 bits. Dispositivos de memórias2 Lembre-se de que k (quilo) é uma unidade de bits equivalente a 1.024 bits (210). Endereço: é o número que determina a localização de uma palavra dentro de um dispositivo de memória. Cada palavra possui um endereço único e exclusivo, representado por uma sequência numérica binária. A Figura 2 apresenta um exemplo de estrutura de organização de uma memória com 8 palavras, sendo o endereço 101 relativo exclusivamente a Palavra 5. Figura 2. Endereçamento de um dispositivo de memória. Fonte: Adaptada de Tocci (2011, p. 686). Leitura: é a operação de obtenção (busca) de uma palavra (informação e/ou dado) armazenada em determinado endereço do dispositivo de memória. Escrita: é a operação de armazenamento (registro) de uma palavra (infor- mação e/ou dado) em determinado endereço do dispositivo de memória. Tempo de acesso: é a medida de tempo relativa à operação de leitura de um dispositivo de memória, isto é, o tempo necessário entre a re- quisição de leitura de uma palavra (relativa a determinado endereço) e a disponibilização coerente desse dado no barramento de saída. Memória volátil: é o dispositivo de memória que não tem a capaci- dade de reter o dado quando os níveis de tensão de alimentação são 3Dispositivos de memórias suprimidos, isto é, a memória perde o seu conteúdo de dados quando não está alimentada. Memória não volátil: é o dispositivo de memória que retém os seus dados, independentemente dos níveis de tensão de alimentação, isto é, mesmo que os níveis de alimentação sejam suprimidos, o conteúdo da memória é preservado. Memória de acesso aleatório (Random-Access Memory — RAM): é o dispositivo de memória em que qualquer endereço de palavra pode ser acessado com o mesmo tempo, isto é, independentemente da posição física da palavra, o tempo de acesso é constante. Memória de acesso sequencial (Sequential-Access Memory — SAM): é o dispositivo de memória em que o tempo de acesso é influenciado pela posição física da palavra (endereço), já que, para acessar determinado endereço, todos os endereços anteriores devem ser lidos. Memória de leitura e escrita (Read/Write Memory — RWM): é o dispositivo de memória que permite operações de leitura e escrita nos seus bits. Memória de somente leitura (Read-Only Memory — ROM): é o dispo- sitivo de memória que permite apenas operações de leitura nos seus bits. Memória estática: é o dispositivo de memória semicondutora cujos níveis de tensão de alimentação são suficientes para a manutenção dos dados. Essa memória não precisar ser reescrita periodicamente para preservação dos seus dados. Memória dinâmica: é o dispositivo de memória semicondutora cujo conteúdo não é preservado somente em função da manutenção dos níveis de tensão de alimentação. Devido à sua característica construtiva, os dados precisam ser reescritos periodicamente para serem preservados. Caso essa operação — chamada de refresh — não seja realizada, o conteúdo da memória é perdido. Memória principal: é o nome dado à memória que processa os dados e as instruções atuais da CPU. Memória auxiliar: é a memória lenta, não volátil e de grande capa- cidade que armazena externamente à memória principal os dados e as instruções que serão executadas pela CPU. Operação básica Mesmo considerando que os dispositivos de memória têm diferenças sig- nifi cativas entre si sob a perspectiva da estrutura de célula, da sua volati- Dispositivos de memórias4 lidade (ou não), do tempo de acesso e do caráter de aplicabilidade técnica, há características operativas que são comuns a todos eles. Sem elas, as memórias jamais conseguiriam desempenhar as suas funções lógicas de forma coerente. Para a realização de escrita ou leitura de dados em dispositivos de memória, um fluxo de operações deve ser seguido e respeitado. A Figura 3 apresenta uma representação simplificada de uma memória de 64 bits, cuja organização interna é baseada em 16 palavras de 4 bits cada — uma memória 16x4 bits. Observe também que a palavra de endereço #3 possui o dado igual a 0110. Figura 3. Organização interna de uma memória de 64 bits. Fonte: Tocci (2011, p. 328). Diante disso, você pode estar se perguntando como esse dado foi parar dentro da memória ou como ele sairá de dentro dela. A resposta para essas questões é simples: os dados são gravados no interior da memória por meio de uma operação de escrita e copiados por meio de uma operação de leitura ou busca. 5Dispositivos de memórias Essas operações serão descritas detalhadamente a seguir, considerando o diagrama lógico e a tabela verdade apresentadas na Figura 4. Nela, é possível observar a existência de um barramento de entrada de endereços (A3, A2, A1 e A0) para a seleção da palavra a ser acessada (escrita ou leitura), um barramento de entrada de dados (D4, D3, D2 e D1) para inserção dos dados a serem escritos, um barramento de saída de dados para leitura dos dados ( , , e ) e, por fim, entradas de controle responsáveis pela habilitação da memória ( ) e pela seleção do tipo de acesso ( ). Figura4. Memória TTL 7489: (a) interface de memória, (b) diagrama de pinos e (c) tabela verdade. Fonte: Adaptada de Tokheim (2013, p. 330). Dispositivos de memórias6 Para realizar a operação de escrita do dado 0110 no endereço #3 da memória, o seguinte sequenciamento de condições lógicas deve ser garantido. O barramento de entrada de endereços (A3...A0) deve receber a sequência numérica binária 0011. O barramento de entrada de dados (D4...D1) deve receber a sequência numérica 0110. Deve-se aplicar o nível lógico baixo (0) na entrada de controle de ope- ração (Write Enable). Essa entrada, quando em nível lógico baixo (0), habilita a operação de escrita, conforme pode ser observado na tabela verdade da Figura 4(c). Para finalizar a operação de escrita, deve-se aplicar o nível lógico baixo (0) na entrada de controle (Memory Enable), cuja função é habilitar a memória, conforme também pode ser observado na tabela verdade da Figura 4c. Para realizar a operação de leitura do endereço #3 da memória, o seguinte sequenciamento de condições lógicas deve ser garantido. O barramento de entrada de endereços (A3...A0) deve receber a sequência numérica binária 0011. Deve-se aplicar o nível lógico alto (1) na entrada de controle de opera- ção (Write Enable). Essa entrada, quando em nível lógico alto (1), habilita a operação de leitura, conforme pode ser observado na tabela verdade da Figura 4c. Deve-se aplicar o nível lógico baixo (0) na entrada de controle (Memory Enable), cuja função é habilitar a memória, conforme também pode ser observado tabela verdade da Figura 4(c). As saídas de dados ( , , e ) são atualizadas com o valor com- plementar do dado gravado previamente no endereço #3 da memória. Isso significa que, como o dado gravado foi 0110, a saída da memória apresentará uma sequência numérica igual a 1001. Embora nem todas as memórias possuam barramentos de dados de escrita e leitura separados, nem apresentem saídas com interface complementar — e sobretudo não possuam nomenclaturas de barramentos idênticas às apre- sentas nesse exemplo —, as operações de escrita e leitura tendem a seguir um sequenciamento bastante semelhante ao apresentado nesta seção. Na hora de realizar a seleção de um dispositivo de memória para o seu projeto, 7Dispositivos de memórias recomenda-se fortemente a leitura do datasheet para o melhor entendimento das características funcionais do dispositivo. Interfaces de memória As interfaces de um dispositivo de memória são compostas basicamente pelo barramento de endereços, pelo barramento de dados e pelos sinais de controle de operação. Conforme foi exemplifi cado na seção anterior, uma memória de 16x4 bits necessita de 4 bits para o endereçamento de todas as posições de memória (24 = 16), 4 bits para as operações de escrita e leitura de dados e dois sinais de controle (habilitação de memória/seleção de operação). Conectar uma memória em uma CPU exige o entendimento da função desses barramentos, bem como o entendimento e conhecimento da capacidade de memória necessária para o projeto em questão. A Figura 5 apresenta um diagrama de conexões entre uma CPU e a memória de 64 bits (16x4 bits). Observe que nesse diagrama tanto a memória quanto a CPU têm a mesma quantidade de bits de endereço e dados, fazendo com que se deduza que a CPU do projeto tem a capacidade de endereçar apenas 16 palavras de 4bits cada (o que nesse caso é perfeitamente adequado). Observe também na Figura 5 que o barramento de dados é bidirecional, tornando-o responsável tanto pela operação escrita (sentido CPU para memória) quanto pela leitura (sentido memória para CPU). Figura 5. Interface entre CPU e memória. Dispositivos de memórias8 Embora esse exemplo seja bastante elementar, pois contempla dispositivos com uma capacidade de endereçamento bastante simples e limitada, ele pode ser o ponto de partida para o estudo do interfaceamento entre CPU e memórias cujas capacidades sejam diferentes, isto é, projetos de interfaceamento que permitam aumento da capacidade de endereçamento de palavras e/ou aumento das palavras de dado. Associação de memórias – série Imagine que você precisa implementar um projeto de circuito digital cuja capacidade de endereçamento deve ser, obrigatoriamente, de 32 palavras com 4 bits cada. Considere também que a CPU escolhida para esse projeto já possui uma interface capaz de endereçar memórias de 32x4bits, ou seja, um barramento de endereços de 5 bits (A5...A0). Em uma situação ideal, você teria à disposição para o projeto uma memória com essa mesma capacidade de endereçamento, ou seja, você simplesmente conectaria os barramentos de dados, os barramentos de endereços e os sinais de controle, e o seu projeto estaria funcional e fi nalizado rapidamente. Esse é o mundo ideal dos projetistas de hardware, no qual tudo funciona e está disponível na hora em que você precisa. O mundo real, no entanto, é bastante diferente, em função de questões econômicas e/ou técnicas. Nele existe um hiato bastante grande entre as necessidades e especifica- ções do projeto, e a disponibilidade dos recursos necessários para a sua implementação. Uma situação bastante comum nesse contexto é quando os projetos têm um requisito de endereçamento específico, mas as memórias disponíveis possuem uma capacidade menor (menos endereços que o necessário, por exemplo). Nesse caso, o projetista de hardware precisa realizar uma expansão do número de endereços, mantendo o tamanho da palavra de dados — chamamos isso de associação de memórias em série. A Figura 6 apresenta o diagrama de conexões resultante de uma asso- ciação em série que permite que a CPU consiga endereçar as 32 palavras de 4 bits cada (32x4 bits) utilizando duas memórias de 16 palavras de 4 bits (16x4 bits). 9Dispositivos de memórias Figura 6. Associação em série de memórias. Observe, na Figura 6, que os bits de endereço A3, A2, A1 e A0 da CPU estão conectados, respectivamente, nos bits A3, A2, A1 e A0 de ambas as memórias. A diferença desse projeto está na existência do bit A5 do barramento de endereços da CPU, que não possui um correspondente nas memórias utilizadas — afinal, as memórias possuem uma capacidade de endereçamento menor. Dispositivos de memórias10 O que foi realizado nesse caso foi a criação de uma lógica de decodificação que permite o fracionamento dos endereços necessários pela CPU entre as duas memórias, conforme a tabela verdade apresentada na Figura 7. Figura 7. Tabela verdade do circuito decodificador. Nessa decodificação, quando a CPU estiver gerando endereços entre as posições 00000 e 01111, a memória #0 estará ativada, recebendo as opera- ções escrita ou leitura, uma vez que o bit A5 estará em nível lógico baixo (0), condicionando a entrada para esse mesmo estado lógico. Nessa mesma condição de endereçamento, a memória #1 estará desativada, já que o sinal está em nível lógico alto (1). Em contrapartida, quando a CPU estiver gerando no barramento endereços entre 10000 e 11111, as operações de escrita ou leitura serão realizadas na memória #1 ( ), enquanto a memória #0 fica desativada ( ). Em resumo, a CPU terá a capacidade de endereçar 32 palavras, sendo as 16 primeiras na memória #0, quando o bit A5 for nível lógico baixo (0), e as 16 palavras restantes na memória #1, quando o bit A5 estiver em nível lógico alto (1). Associação de memórias – paralela A associação de dispositivos de memória em paralelo também objetiva aumentar a capacidade da memória do projeto. Porém, isso é feito sob a perspectiva do aumento da palavra de dado, ou seja, a CPU possui a necessidade de acessar dados de um tamanho de palavra, mas as memórias disponíveis para a imple- mentação possuem uma palavra de dado menor. A Figura 8 traz um diagrama que representa a associação de duas memórias em paralelo, em que há a necessidade de uma palavra de 8 bits na CPU, e as memórias disponíveis possuem uma palavra de 4 bits.11Dispositivos de memórias Figura 8. Associação em paralelo de memórias. Observe que, para essa associação em paralelo, a palavra de dado da CPU, que possui 8 bits, é dividida em duas parcelas de 4 bits (baixa e alta). Dessa forma, é possível fazer com que a memória #0 receba a parcela baixa (composta pelos bits D3, D2, D1 e D0), e a memória #1, a parte alta (composta pelos bits D7, D6, D5 e D4). Dispositivos de memórias12 Em resumo, quando a CPU solicitar uma operação em alguma posição de memória, ambas as memórias serão acessadas simultaneamente: uma em relação à parte baixa (memória #0) e outra em relação à parte alta da palavra de dado (memória #1), que terá o mesmo endereço de entrada. Tipos de memória As memórias podem ser classifi cadas pelos materiais e pelas tecnologias que compõem a sua estrutura construtiva, pela sua característica de retenção de dados, pela posição no nível hierárquico dentro de uma concepção básica de arquitetura de computadores, entre outras possibilidades. Nesta seção, você estudará alguns tipos de memórias semicondutoras e algumas das suas aplicações elementares. ROM Uma grande parcela dos circuitos digitais microprocessados deve ter algum tipo de memória não volátil para registro de dados permanentes, como os arquivos de inicialização (bootloader) e/ou fi rmwares de sistemas embarcados. As memórias de somente leitura (ROM) são um bom exemplo desse tipo de dispositivo, já que os seus dados, depois de gravados, não podem ser sobrescri- tos. Também chamadas de memórias programadas por máscara, as memórias ROM não são programadas pelo usuário fi nal, mas sim pelo seu fabricante. Essa característica torna o seu custo inviável economicamente para projetos de pequeno porte cuja comercialização unitária é reduzida. A Figura 9 apresenta o diagrama de uma estrutura de memória ROM co- nectada na saída de um decodificador 7442 que objetiva converter sequências numéricas binárias em sequências em código Gray, conforme apresentado na Figura 10. O funcionamento dessa memória pode ser analisado, pelo exemplo, onde as entradas do decodificador 7442 são submetidas ao valor lógico 0101. 13Dispositivos de memórias Para essas entradas, o decodificador 7442 vai gerar na sua saída número 5 o nível lógico baixo (0), que, consequentemente, será negado pelo inversor conectado à saída. Como a saída do inversor será um nível lógico alto (1), os três diodos conectados à linha 5 serão polarizados diretamente, gerando nas saídas A, B e C o nível lógico alto (1). Como não existe nenhuma conexão entre a linha 5, mas sim um resistor de pulldown, a saída D permanecerá em nível lógico baixo (0). Em resumo, esse circuito baseado em uma memória ROM vai gerar nas saídas D, C, B e A o valor lógico 0111, conforme a tabela verdade apresentada na Figura 10. Figura 9. Exemplo da estrutura primitiva de uma ROM a diodos. Fonte: Tokheim (2013, p. 336). Dispositivos de memórias14 Figura 10. Conversão binária em código Gray. Fonte: Tokheim (2013, p. 333). PROM Como você viu anteriormente, as memórias ROM não permitem que os usu- ários façam a programação dos dispositivos, o que certamente é um grande problema no processo de desenvolvimento de projetos — afi nal, correções e alterações muitas vezes são necessárias ao longo da vida útil de um projeto. Nesse sentido, as memórias ROM programáveis em campo (PROM — Pro- grammable Read-Only Memory) trouxeram um grande avanço aos projetos de circuitos digitais, em função do preço atraente e principalmente por essas memórias poderem ser programadas pelos usuários (ainda que uma única vez). A Figura 11 traz uma representação simplificada de uma memória PROM ainda não programada. Observe que essa estrutura apresenta diodos e resistores de pulldown configurados de forma bastante similar à estrutura de memória ROM apresentada na Figura 9. A diferença entre elas está no fato de a estrutura da memória PROM conter fusíveis que podem (ou não) ser rompidos durante o processo de programação da memória, conforme apresentado na Figura 11. Essas características de preço e relativa flexibilidade de projeto tornaram as essas memórias bastante populares no desenvolvimento de projetos de circuitos digitais. 15Dispositivos de memórias Figura 11. Representação simplificada da estrutura da memória PROM. Fonte: Tokheim (2013, p. 342). Dispositivos de memórias16 EPROM O processo evolutivo das memórias de somente leitura subiu mais um degrau quando as memórias de leitura somente programáveis e apagáveis (EPROM — Erasable Programmable Read-Only) foram disponibilizadas ao mercado. Esse tipo de memória não volátil tem muitas semelhanças com a memória PROM, mas o seu grande diferencial funcional está na sua capacidade de ser programada e, quando necessário, ser apagada e reprogramada. A Figura 12 apresenta uma imagem do encapsulamento de uma memória EPROM. Observe que no centro do encapsulamento existe um orifício circular que expõe o circuito integrado da memória. Como o circuito integrado da memória possui uma estrutura com “gate flutuante”, ele se torna sensível à luz ultravioleta (UV). Em outras palavras, quando a memória é exposta por alguns minutos à luz UV, todos os bits da memória são apagados (colocados em nível lógico alto), permitindo assim a sua reprogramação. Embora esses dispositivos não possam ser expostos por longos períodos à luz solar, devido à sua sensibilidade à luz UV, o fato de serem programáveis e reprogramáveis os tornou muito populares para o armazenamento de arquivos de inicialização (bootloader) de computadores pessoais. Figura 12. Memória EPROM. Fonte: Dmitry S. Gordienko/Shutterstock.com. EEPROM, ou E2PROM As memórias EPROM foram um grande salto qualitativo nos projetos de circuitos digitais, uma vez que alterações funcionais e correções técnicas são frequentemente necessárias em qualquer projeto. O fato de as EPROMs serem 17Dispositivos de memórias reprogramáveis contribuiu muito para a realização dessas tarefas de alteração da programação. Ainda assim, esses dispositivos de memória tinham alguns inconvenientes operacionais, como a necessidade de exposição à luz UV para apagá-las e da remoção do chip da placa para a sua reprogramação. O advento das memórias de leitura somente programáveis e eletri- camente apagáveis (EEPROM — Electrically-Erasable Programmable Read-Only) solucionou essas questões. A sua estrutura lógica permite a reprogramação (total ou parcial) pela aplicação de um campo elétrico na célula de memória, isto é, o conteúdo da memória pode ser reprogramado no próprio circuito do produto, desde que se garantam os níveis de tensão específicos para isso. Flash A memória Flash não possui todas as características funcionais da EEPROM — por exemplo, não permite o apagamento de bits ou bytes específi cos, somente o apagamento de blocos de dados. Embora essa característica pareça ser um limitante quando se deseja apagar muitos dados, ela na verdade não é. As células de memória não volátil Flash possuem um tempo de acesso bastante pequeno, o que justifi ca a nomenclatura. O tempo de acesso por si só não garantiu o emprego desse tipo de dispo- sitivo de memória tão massivamente como é feito atualmente. O que tornou a memória Flash o estado da arte nos dias de hoje (em relação a memórias não voláteis) é o fato de essas células de memória permitirem a criação de dispositivos com capacidades de dados muito mais densas que qualquer outra (e com um preço extremamente menor). Tanto é verdade essa afirmação que hoje se utiliza esse perfil de memória para o armazenamento de dados tanto em cartões de memória para disposi- tivos móveis como câmeras e smartphones quanto em substituição de discos rígidos magnéticos. RAM Os circuitos microprocessados necessitam, para processar dados e instruções, de memórias rápidas com a capacidade de escrita e leitura. Esses dispositi- vos voláteis são denominados memórias de acesso aleatório (RAM), pois,além de terem um tempo de acesso pequeno (da ordem de nanossegundos), também permitem que qualquer endereço seja lido sem a necessidade de leitura das posições de memória antecessoras. As memórias RAM possuem Dispositivos de memórias18 duas arquiteturas básicas de célula (SRAM e DRAM). cujas características serão apresentadas a seguir. SRAM Conforme você pode observar no diagrama simplifi cado da Figura 13, a me- mória RAM estática (SRAM — Static Random Access Memory) armazena um bit de dado em um fl ip-fl op formado por dois inversores realimentados, e as suas entradas de dados são controladas por chaves que permitem a inserção de um dado externo na célula. Esse tipo de dispositivo de memória volátil tem a capacidade de manter os dados retidos enquanto houver níveis de tensão de alimentação presentes, sem a necessidade de nenhum processo de atualização dos dados retidos. Uma das grandes vantagens do emprego desse tipo de memória em siste- mas de pequeno porte — cujos requisitos de capacidade de memória não são muito elevados — está na simplicidade dos acessos de escrita e leitura, uma vez que não é necessário nenhum tipo de sinal de sincronismo para refresh dos dados retidos. Figura 13. Célula de uma memória SRAM. Fonte: Horowitz (2017, p. 1016). DRAM Ao contrário das memórias SRAM, as memórias RAM dinâmicas (DRAM — Dinamic Random Access Memory) exigem que os dados gravados na sua 19Dispositivos de memórias célula sejam constantemente reescritos, o que demanda um projeto com um controlador de memória mais robusto e complexo. Essa necessidade de atualizações constantes dos dados retidos, também conhecido como refresh, é proveniente da arquitetura interna da célula da DRAM. Basicamente, a memória é composta por um único transistor e um capacitor, conforme pode ser observado na Figura 14. Tendo em vista que o dado nessa célula é retido por meio da carga do capacitor (que tende a descarregar em uma fração de segundos muito pequena), o dado precisa ser constantemente reescrito para que a informação não se perca (HOROWITZ, 2017). Você deve estar se perguntado qual é o sentido de utilizarmos uma es- trutura de memória que exige um controlador mais complexo, não é? A justificativa para essa tecnologia de memória ser muito popular em circuitos microprocessados atualmente, como a memória principal dos microcompu- tadores pessoais, deve-se ao fato de o tamanho físico da célula da DRAM utilizar apenas um transistor para a sua implementação física — ao contrário da SRAM, que utiliza seis transistores para a sua implementação (HORO- WITZ, 2017). Nesse contexto, utilizando memórias com tecnologia dinâmica (DRAM), em detrimento das memórias estáticas (SRAM), tem-se nos projetos de circuitos digitais uma capacidade de memória muito maior na mesma área em silício. Figura 14. Célula de uma memória DRAM. Fonte: Horowitz (2017, p. 1019). Dispositivos de memórias20 HOROWITZ, P. A arte da eletrônica: circuitos e eletrônicos e microeletrônica. 3. ed. Porto Alegre: Bookman, 2017. TOCCI, R. J. Sistemas digitais: princípios e aplicações. 11. ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2011. TOKHEIM, R. Fundamentos de eletrônica digital: sistemas sequenciais. 7. ed. Porto Alegre: AMGH, 2013. v. 2. Leituras recomendadas BIGNELL, J. W.; DONOVAN, R. Eletrônica digital. São Paulo: Cengage Learning, 2009. SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica. 5. ed. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007. VAHID, F. Sistemas digitais: projeto, otimização e HDLs. Porto Alegre: Bookman, 2008. 21Dispositivos de memórias
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