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Semicondutores de Potência Tiristores EEN502.1 Fundamentos de Eletrônica de Potência Prof. Rondineli Rodrigues Pereira 1 Tiristores Condução: • Se entre anodo e catodo tivermos uma tensão positiva, as junções J1 e J3 estarão diretamente polarizadas, enquanto a junção J2 estará reversamente polarizada. • Não haverá condução de corrente até que a tensão Vak se eleve a um valor que provoque a ruptura da barreira de potencial em J2. + - 2 Tiristores Condução: • Se houver uma tensão Vgk positiva, circulará uma corrente através de J3, com portadores negativos indo do catodo para a porta. Por construção, a camada P ligada à porta é suficientemente estreita para que parte destes elétrons que cruzam J3 possuam energia cinética suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo atraídos pelo anodo. + - 3 Tiristores Condução: • Desta forma, a junção reversamente polarizada tem sua diferença de potencial diminuída e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poderá persistir mesmo na ausência da corrente de porta. + - 4 Tiristores Bloqueio: • Quando a tensão Vak for negativa, J1 e J3 estarão reversamente polarizadas, enquanto J2 estará diretamente polarizada. Uma vez que a junção J3 é intermediária a regiões de alta dopagem, ela não é capaz de bloquear tensões elevadas, de modo que cabe à junção J1 manter o estado de bloqueio do componente. - + 5 Tiristores • O tiristor manterá em condução desde que, após o processo dinâmico de entrada em condução, a corrente de anodo tenha atingido um valor superior ao limite IL, chamado de corrente de travamento (latching current). • Para que o tiristor deixe de conduzir é necessário que a corrente por ele caia abaixo do valor mínimo de manutenção (IH), permitindo que se restabeleça a barreira de potencial J2. 6 Tiristores 7 Tiristores • Símbolo e característica i-v em regime permanente: • A corrente flui do anodo (A) para o catodo (K). Na condição de desligado o tiristor pode bloquear uma tensão de polarização direta. 8 Tiristores • Estando o tiristor no estado de bloqueio direto, o mesmo pode entrar em condução com a aplicação de um pulso positivo de corrente no seu gatilho. A queda de tensão no estado ligado é tipicamente de 1-3 V. 9 Tiristores • Uma vez que o dispositivo começa a conduzir o sinal do gatilho pode ser removido. • O tiristor não pode ser desligado pelo gatilho. • A comutação é natural e ocorre quando a corrente do anodo fica abaixo de um valor determinado (holding current - IH) da ordem de mA. 10 Tiristores • Na polarização reversa com tensões abaixo da tensão de ruptura, apenas uma pequena corrente passa pelo tiristor. • As tensões de bloqueio direta e reversa costumam ser iguais. 11 Tiristores • Devido ao pequeno valor da corrente na polarização reversa e a pequena queda de tensão no estado de condução comparados aos valores de tensão e corrente do circuito de potência, a curva característica do tiristor pode ser idealizada. 12 Tiristores • Quando desligado, a corrente do tiristor fica negativa por um intervalo de tempo trr, antes de assumir o valor zero. • Mas o parâmetro mais importante não é trr, e sim, tq. 13 Tiristores • Durante tq uma tensão reversa deve ser mantida sobre o tiristor e apenas depois deste período o dispositivo estará em condições de bloquear uma tensão direta, sem entrar no estado ligado. • Se uma tensão direta for aplicada sobre o tiristor antes deste intervalo de tempo passar, o dispositivo pode ligar prematuramente, danificando o tiristor e/ou o circuito. 14 Tipos de Tiristores • Com o surgimento de novos dispositivos com capacidade de ligar e desligar aquele com apenas a capacidade de ligar é chamado de “tiristor convencional”, ou simplesmente “tiristor”. 1. Phase-Controlled Thyristors – SCR 2. Light-Activated Silicon-Controlled Rectifiers – LASCRs 3. Bidirectional Triode Thyristor – TRIACs 4. MOS-Controlled Thyristors – MCTs 5. Gate Turn-Off Thyristors – GTOs 6. Integrated Gate-Commutated Thyristors - IGCTs 15 Proteção contra di/dt • Um tiristor necessita de um tempo mínimo para repartir uniformemente a condução de corrente por todas as junções. • Se a taxa de crescimento da corrente de anodo for muito alta em comparação à velocidade de espraiamento do processo de entrada em condução, pode ocorrer um “ponto quente” localizado em virtude da alta densidade de corrente, e o dispositivo talvez falhe em função da temperatura excessiva. 16 Proteção contra di/dt • Na prática, a di/dt é limitada pela adição de um indutor em série Ls. • A di/dt no sentido direto é 17 𝑑𝑖 𝑑𝑡 = 𝑉𝑠 𝐿𝑠 Proteção contra dv/dt • A taxa de crescimento da tensão pode provocar o ligamento não desejado do tiristor. • Com o circuito RC conhecido como amortecedor (snubber), a tensão sobre o tiristor cresce exponecialmente. 18 Proteção contra dv/dt • A dv/dt do circuito pode ser encontrada aproximadamente a partir de: • O valor de Rs é encontrado a partir da corrente de descarga ITD: 19 𝑑𝑣 𝑑𝑡 = 0,632𝑉𝑠 𝜏 = 0,632𝑉𝑠 𝑅𝑠𝐶𝑠 𝑅𝑠 = 𝑉𝑠 𝐼𝑇𝐷 Tiristores 1400 V/ 392 A 1600 V/ 106 A 1200 V/ 28 A 20 GTO • O Gate Turn-Off Thyristor – GTO, embora tenha sido criado no início da década de 60 por problemas de fraco desempenho foi pouco utilizado. • Com o avanço da tecnologia de construção de dispositivos semicondutores, novas soluções foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicação, especialmente naquelas de elevada potência, uma vez que estão disponíveis dispositivos para 5 kV e 4 kA. 21 GTO • O símbolo e a característica i-v em regime permanente do Gate Turn-Off Thyristor – GTO. 22 GTO Condução: • O mecanismo de disparo é semelhante ao do SCR. Estando o GTO diretamente polarizado, quando a corrente de gate é injetada, circula corrente entre gate e catodo. 23 GTO Condução: • Grande parte de tais portadores, como a camada no gate é suficientemente fina, deslocam-se até a camanda N- adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo atraídos pelo potencial do anodo, dando início à corrente de anodo. 24 GTO Bloqueio: • A aplicação de uma polarização reversa na junção gate- catodo pode levar ao desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo são atraídos pelo gate, fazendo com que seja possível o restabelecimento da barreira de potencial na junção J2. 25 GTO • O GTO pode ser ligado por um pulso de corrente de curta duração no gatilho. Uma vez ligado, a corrente no gatilho pode ser retirada, permanecendo o GTO no estado ligado. 26 GTO • O GTO pode ser desligado com a aplicação de uma tensão negativa entre gatilho e catodo, fazendo fluir uma elevada corrente negativa pelo gatilho. • Esta corrente negativa precisa fluir apenas por alguns microsegundos, mas precisa possuir uma elevada magnitude, tipicamente 1/3 do valor da corrente de anodo que está sendo cortada. 27 GTO • Curva característica idealizada: 28 GTO • Os atuais GTOs tem problemas em tolerar o elevado dv/dt devido ao desligamento de cargas indutivas. Desta maneira, um circuito snubber para redução do dv/dt deve ser utilizado. 29 GTO • A queda de tensão no GTO, no estado ligado, é de 2- 3 V. A velocidade de chaveamento está em uma faixa de alguns microssegundos a 25 μs. • Possui a capacidade de trabalhar com tensões de até 4,5 kV e correntes de alguns kA. • O GTO é utilizado quando é necessário trabalhar com altas tensões e correntes com uma frequência de chaveamento em torno de alguns dezenas de hertz a 10 kHz. 30 GTO 31 Parâmetros de Dimensionamento • VDRM – Tensão Repetitiva de Pico Direta (Repetitive Peak Off- State Voltage): É o valor máximo instantâneo da tensão direta de bloqueioque o tiristor pode suportar, incluindo todas as tensões transitórias repetitivas. Geralmente é especificada para uma temperatura da junção de 125°C; • VRRM – Tensão Repetitiva de Pico Reversa (Repetitive Peak Reverse Voltage): Indica o valor máximo instantâneo da tensão reversa de bloqueio que o tiristor pode suportar, incluindo todas as tensões transitórias repetitivas. É geralmente, especificada para uma temperatura da junção de 125ºC. 32 Parâmetros de Dimensionamento • VTM – Queda de tensão em estado de condução (On State Voltage): É o valor máximo da tensão entre anodo e catodo para a corrente nominal de operação considerada como do tipo meia onda senoidal. • IT(RMS) – Valor Eficaz da Corrente do Tiristor (RMS On-State Current): Representa o valor máximo eficaz da corrente de condução, em condições normais de operação, de forma repetitiva. É, geralmente, especificada para uma meia onda senoidal de 180º de duração. 33 Parâmetros de Dimensionamento • IT(AV) – Valor Médio da Corrente do Tiristor (Average On-State Current): Indica o valor médio da corrente de condução em condições normais de operação de forma repetitiva. É, geralmente, especificada para uma meia onda senoidal de 180° de duração; • IH – Corrente de Manutenção (Holding Current): Representa o menor valor de corrente para manter o tiristor em estado de condução. É especificada para uma temperatura da junção de 125 ºC e é da ordem de mA. 34 Parâmetros de Dimensionamento • IL – Corrente de Travamento (Latching Current): Significa o menor valor de corrente direta necessária para que o pulso de disparo seja retirado do gatilho. Geralmente é especificada para uma temperatura da junção de 125ºC e é da ordem de mA. • IGT – Corrente de Disparo do Gatilho (Gate Trigger Current): Indica o menor valor de corrente requerida pelo gatilho para fazer o tiristor passar do estado de bloqueio direto para o estado de condução. É especificada para uma temperatura da junção de 125ºC e é da ordem de mA. 35 Parâmetros de Dimensionamento • VGT – Tensão de Disparo de Gatilho (Gate Trigger Voltage): É o menor valor de tensão requerido para produzir a corrente IGT. • dv/dt – Taxa de Variação de Tensão: Significa a máxima taxa de variação de tensão direta permissível para que o tiristor não entre em condução através do disparo capacitivo. Geralmente é especificada para uma temperatura da junção de 125 ºC. • di/dt – Taxa de Variação da Corrente: Representa a máxima taxa de variação da corrente permissível para o tiristor atingir o estado de condução com uma densidade de condução uniforme. É, geralmente, especificada para uma temperatura da junção de 125ºC; 36 Circuito Integrado de Disparo para Tiristores TCA 785 TCA 785 • O objetivo deste circuito integrado, do tipo CI Phase-Control, é gerar os comandos dos pulsos de disparo para os respectivos amplificadores de pulsos (drivers) dos SCRs. 39 Circuito de Disparo ( Driver ) –TCA 785 - += = Registro de Sincro- nismo Módulo Lógico - + +A1 R4 A1 ( ) A2 ( ) +A2 R2 +U R1 +Z R7 14 15 4 7 3 2 Lógica coletor aberto extensão dos pulsos (pulsos curtos) de A1 e A2 pulsos longos para A1 e A2 pino de inibição tensão de controle C12[Ci]S13S6U11 11 6 13 121098 Uref monitor de descarga de C10 comparador de controle transistor de descarga detector de zero Vstab I9 I10 fonte US+ terra sincronismo Usin 1 16 5 C10 [CR] R9 [RR] CS resistor de rampa capacitor de rampa (a) 0 0 U10 U11 0 180 o 360 o 50ms 50ms 10ms 10ms 5ms 5ms 10Hz 50Hz 100Hz tensão de sincronismo tensão de rampa tensão de controle tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída U10 U11 U15 U14 U2 U4 U15 U14 U2 U4 U3 U7 (pino 10) (pino 11) (A2 , pino 15) (A1 , pino 14) (A2 , pino 15) (A1 , pino 4) (A2 , pino 15) (A1 , pino 14) (A2 , pino 2) (A1 , pino 4) (U , pino 3) A1+A2 =Z, pino 7 pulso curto ~30 s pulso longo 180 o - pino 12 pulso longo 180 o + pino 13 U5=Usin (entrada,pino 5) (b) 40 Circuito de Disparo ( Driver ) –TCA 785 No diagrama em blocos deste CI Phase-Controller, tem-se que: ❑ o sinal de sincronismo deve ser conectado no pino 5 do TCA; ❑ a tensão de referência, que define o ângulo de disparo, deve ser conectado ao pino 11; ❑ através da lógica de sincronismo, a fonte de corrente Iconst, carrega linearmente o capacitor C10, o qual gera uma rampa no pino 10; ❑ esta rampa é comparada com a tensão de referência, no Comparador de Controle, de modo a gerar os instantes do disparo; ❑ a cada passagem pelo zero, o Detector de Zero envia um pulso para o Transistor de Descarga, de modo a zerar a rampa no capacitor C10; ❑ a saída do Comparador de Controle define para o bloco Módulo Lógico os diferentes tipos de sinais que irão alimentar o amplificador de pulsos; ❑ o pino 6 conectado ao potencial do terra inibe os pulsos de saída do TCA. 41 Circuito de Disparo ( Driver ) –TCA 785 - += = Registro de Sincro- nismo Módulo Lógico - + +A1 R4 A1 ( ) A2 ( ) +A2 R2 +U R1 +Z R7 14 15 4 7 3 2 Lógica coletor aberto extensão dos pulsos (pulsos curtos) de A1 e A2 pulsos longos para A1 e A2 pino de inibição tensão de controle C12[Ci]S13S6U11 11 6 13 121098 Uref monitor de descarga de C10 comparador de controle transistor de descarga detector de zero Vstab I9 I10 fonte US+ terra sincronismo Usin 1 16 5 C10 [CR] R9 [RR] CS resistor de rampa capacitor de rampa (a) 0 0 U10 U11 0 180 o 360 o 50ms 50ms 10ms 10ms 5ms 5ms 10Hz 50Hz 100Hz tensão de sincronismo tensão de rampa tensão de controle tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída tensão de saída U10 U11 U15 U14 U2 U4 U15 U14 U2 U4 U3 U7 (pino 10) (pino 11) (A2 , pino 15) (A1 , pino 14) (A2 , pino 15) (A1 , pino 4) (A2 , pino 15) (A1 , pino 14) (A2 , pino 2) (A1 , pino 4) (U , pino 3) A1+A2 =Z, pino 7 pulso curto ~30 s pulso longo 180 o - pino 12 pulso longo 180 o + pino 13 U5=Usin (entrada,pino 5) (b) pulso longo 180° - α pino 13 42 Circuito de Disparo ( Driver ) –TCA 785 Nas formas de ondas, observa-se que: ❑ no cruzamento da tensão da rampa (sinal U10 - pino 10) com a tensão de referência(sinal U11 - pino 11) ocorre o instante correspondente ao ângulo de disparo; ❑ o pino 13 conectado ao terra produz sinais de saídas, sinais U2 ( pino 2) e U4 (pino 4), com duração de 180 graus menos o ângulo de disparo, com edge negativo no instante do disparo; ❑ o pino 12 conectado ao terra produz sinais de saídas, sinais U15 (pino 15) e U14 (pino 14) com largura igual a 180 graus menos o ângulo de disparo, com edge positivo no instante do disparo. São denominados de Pulso Longo (Long Pulse); ❑ ao se conectar um capacitor no pino 12, os sinais anteriores U15 e U14, possuem um tempo que varia em função da capacitância. São denominados de Pulso Curto (Short-Pulse) e possuem edge positivo. 43 Circuito de Disparo ( Driver ) –TCA 785 Valor de capacitância que deve ser definida no pino 12 e correspondente duração de pulso (pinos 14 e 15) do TCA 785: C12(pF) 100 220 330 680 1000 Duração (μs) 80 130 200 370 550 44 Circuito de Disparo – TCA 785 Exemplo de Circuito: 45 Circuito de Disparo – TCA 785 • A tensão de sincronismo V5 aplicada no pino 5 é obtida nos terminais dos diodos ligados em antiparalelo. No semiciclo positivo o diodo D2 conduz, então V5 = + 0,7 V e no semiciclo negativo o diodo D1 conduz, resultando V5 = - 0,7 V. • A tensão de controle (V11) é obtida por meio do pino 8 e controlada pelo potenciômetroexterno P2, em que a tensão pode variar de 0 até 3,1 V. • A tensão de rampa (V10) é obtida por meio do pino 10, a partir da carga do capacitor externo (C10 = 10 nF), que é carregado por uma fonte de corrente constante, interna ao CI, e devido à sua característica elétrica, implica obter uma tensão em forma de rampa nos terminais desse capacitor. 46 Circuito de Disparo – TCA 785 Exemplo de Circuito: 47 Circuito de Disparo – TCA 785 • O sincronismo é obtido pelo transistor de descarga que curto- circuita o capacitor C10 toda vez que um valor nulo está presente no pino 5 (detector de zero). A amplitude da rampa é controlada pelo potenciômetro externo P1, que ajusta o valor da corrente interna do CI. • O circuito comparador de controle, interno ao CI, envia um pulso de largura igual a 550 μs (C12 = 1 nF) para a unidade lógica, sempre que a tensão de rampa cruza ou supera a tensão de controle. • O ângulo de disparo teórico (α) pode ser controlado de 0° a 180°. Para isso, o potenciômetro P1 (ajuste de rampa) deve ser ajustado até que a amplitude da rampa atinja o valor igual a 3,1 V. 48 Circuito de Disparo – TCA 785 Formas de Onda: Referências Bibliográficas • Hart, D. W., “Eletrônica de Potência – Análise e Projetos de Circuitos”, McGraw-Hill, 2012. • Rashid, M. H., “Eletrônica de Potência – Dispositivos, Circuitos e Aplicações”, Pearson, 2014. • Mohan, N., Undeland, T. M. e Robbins, W. P., “Power Electronics – Converters, Applications and Design”, Wiley, 2013. • Gimenez, S. P. e Arrabaça, D. A., “Eletrônica de Potência – Conversores de Energia CA/CC – Teoria, Prática e Simulação”, Editora Érica, 2015. • da Silva, V. F., Apostila de Eletrônica de Potência, 2013. 49
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