Leia a alternativa A B C e D e assinale a resposta CORRETA: A. Na faixa de baixa frequência, temos que o efeito dos elementos capacitivos é ampla...
Leia a alternativa A B C e D e assinale a resposta CORRETA:
A. Na faixa de baixa frequência, temos que o efeito dos elementos capacitivos é amplamente ignorado, de modo que o amplificador é considerado ideal e composto simplesmente de elementos resistivos e fontes controladas, de modo a ser possível obter parâmetros importantes como impedância e ganho.
B. Na faixa de média frequência, temos que o efeito de campo do JFET vem das zonas de nome que rodeiam cada zona p e onde os elétrons depleção livres da zona n se recombinam com as lacunas da zona p.
C. Na faixa de alta frequência, temos que o efeito dos elementos capacitivos é amplamente ignorado, de modo que o amplificador é considerado ideal e composto simplesmente de elementos resistivos e fontes controladas, de modo a ser possível obter parâmetros importantes como impedância e ganho.
D. Na construção de um MOSFET de canal é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo n e o gate.
A. Na faixa de baixa frequência, temos que o efeito dos elementos capacitivos é amplamente ignorado, de modo que o amplificador é considerado ideal e composto simplesmente de elementos resistivos e fontes controladas, de modo a ser possível obter parâmetros importantes como impedância e ganho.
B. Na faixa de média frequência, temos que o efeito de campo do JFET vem das zonas de nome que rodeiam cada zona p e onde os elétrons depleção livres da zona n se recombinam com as lacunas da zona p.
C. Na faixa de alta frequência, temos que o efeito dos elementos capacitivos é amplamente ignorado, de modo que o amplificador é considerado ideal e composto simplesmente de elementos resistivos e fontes controladas, de modo a ser possível obter parâmetros importantes como impedância e ganho.
D. Na construção de um MOSFET de canal é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo n e o gate.
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💡 1 Resposta
Ed 
A resposta correta é a alternativa C. Na faixa de alta frequência, temos que o efeito dos elementos capacitivos é amplamente ignorado, de modo que o amplificador é considerado ideal e composto simplesmente de elementos resistivos e fontes controladas, de modo a ser possível obter parâmetros importantes como impedância e ganho.
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