Dispositivos em circuitos eletrônicos apresentam diversas funções sendo empregados em circuitos controlados e de proteção. Em um transistor bipolar...
Dispositivos em circuitos eletrônicos apresentam diversas funções sendo empregados em circuitos controlados e de proteção. Em um transistor bipolar de porta isolada (IGBT), caso a corrente de elétrons (IE) tenha uma intensidade de 4 mA e a corrente de lacunas (Ih) seja de 500 µA, a corrente de coletor (IC) será igual a:
💡 2 Respostas
Ed 
A corrente de coletor (IC) em um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é dada pela equação IC = β x IB, onde β é o ganho de corrente do transistor e IB é a corrente de base. No caso apresentado, não foi informado o valor de β, portanto não é possível calcular a corrente de coletor (IC).
Diana Moreira
Dispositivos em circuitos eletrônicos apresentam diversas funções sendo empregados em circuitos controlados e de proteção. Em um transistor bipolar de porta isolada (IGBT), caso a corrente de elétrons (IE) tenha uma intensidade de 4 mA e a corrente de lacunas (Ih) seja de 500 µA, a corrente de coletor (IC) será igual a:
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