Considerando as afirmações abaixo (1) A junção base-emissor de um TBJ de silicio pode ser comparada a junção PN de um diodo, tendo uma queda de ten...

Podemos classificar as afirmações da seguinte forma: 1) Verdadeira - A junção base-emissor de um transistor bipolar de junção (TBJ) de silício pode ser comparada à junção PN de um diodo, tendo uma queda de tensão de aproximadamente 0,7V quando polarizada diretamente. 2) Verdadeira - Um transistor TBJ pode ser do tipo canal N ou canal P e possui alta impedância de entrada, o que é desejado para aplicações de baixos sinais. 3) Verdadeira - A configuração emissor-comum é a mais utilizada e possui essa denominação porque o terminal do emissor é comum em relação aos terminais de entrada e saída. 4) Verdadeira - Na região ativa, na configuração emissor-comum, a junção base-coletor é polarizada reversamente, enquanto a junção base-emissor é polarizada diretamente. Portanto, todas as afirmações são verdadeiras.