A resposta correta é a alternativa d) Somente a afirmativa III está correta. Para alterar o estado de um dispositivo IGBT para o estado desligado, basta eliminar a tensão na porta.
Os transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) são conhecidos por possuírem a união das qualidades dos transistores BJT e MOSFET. Eles combinam as características de comutação dos transistores bipolares de potência com a alta impedância de entrada dos transistores de efeito de campo.
Em relação às afirmativas apresentadas, a alternativa correta é a letra d, pois somente a afirmativa III está correta. Para alterar o estado de um dispositivo IGBT para o estado desligado, basta eliminar a tensão na porta. As demais afirmativas não estão corretas.
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