Analisando as afirmativas com base nas propriedades dos semicondutores de potência e nas informações do Gráfico-1, temos: 1. O IGBT é um componente que se torna cada vez mais recomendado para comutação de carga de alta corrente em regime de alta velocidade (alta frequência). (V) 2. Os Tiristores são os dispositivos que conseguem suportar os maiores valores de corrente e tensão, mas não podem operar em frequências de chaveamento elevadas. (V) 3. Os Transistores Bipolares de Potência (TBP's) podem suportar maiores tensões que os IGBT além de possuírem maior velocidade de chaveamento. (F) 4. A região de operação segura do MOSFET é maior que as regiões reservadas aos IGBT's e aos transistores TBP's. (F) 5. Os transistores GTO's (Gate Turn-Off Thyristor) podem operar em frequências maiores que os tiristores embora em tensões menores. (V) Portanto, a sequência correta é: V-V-F-F-V.
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