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Em relação à dopagem da base de um transistor npn, podemos afirmar que: A base de um transistor npn é fracamente dopada. O nível de dopagem do col...

Em relação à dopagem da base de um transistor npn, podemos afirmar que:

A base de um transistor npn é fracamente dopada.
O nível de dopagem do coletor é intermediário, entre a forte dopagem do emissor e a fraca dopagem da base.
O coletor é fisicamente a região mais larga das três e a base a mais estreita.
A) É larga e fortemente dopada
B) É estreita e fortemente dopada
C) É larga e levemente dopada
D) É estreita e levemente dopada
E) Dopada com um material pentavalente

Essa pergunta também está no material:

Eletronica Analogica - Exercicios para AV1
8 pág.

Eletrônica Analógica Universidade Estácio de SáUniversidade Estácio de Sá

💡 1 Resposta

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A alternativa correta é a letra D) É estreita e levemente dopada. A base de um transistor npn é estreita e levemente dopada, enquanto o coletor é fisicamente a região mais larga das três e é intermediariamente dopado, entre a forte dopagem do emissor e a fraca dopagem da base. A opção A está incorreta, pois a base é fracamente dopada e não larga e fortemente dopada. A opção B também está incorreta, pois a base é estreita e não larga. A opção C está incorreta, pois a base é levemente dopada e não larga e levemente dopada. A opção E está incorreta, pois não é especificado qual material é utilizado para dopar a base.

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