Para obter um semicondutor tipo P, é necessário adicionar impurezas trivalentes ao cristal de silício ou germânio. As impurezas trivalentes, como o boro, criam "lacunas" que funcionam como portadores de carga positiva, caracterizando o semicondutor tipo P. Analisando as alternativas: A) Adicionando ao cristal de silício ou germânio impurezas trivalentes. - Correto, pois é assim que se obtém um semicondutor tipo P. B) Adicionando ao cristal de silício ou germânio impurezas tetravalentes. - Incorreto, pois impurezas tetravalentes, como o carbono, não criam lacunas. C) Nenhuma das alternativas. - Incorreto, pois a alternativa A está correta. D) O cristal puro já é um semicondutor tipo N. - Incorreto, o cristal puro é considerado intrínseco, não é nem tipo N nem tipo P. E) Adicionando ao cristal de silício ou germânio impurezas pentavalentes. - Incorreto, pois impurezas pentavalentes, como o fósforo, criam semicondutores tipo N. Portanto, a alternativa correta é: A) Adicionando ao cristal de silício ou germânio impurezas trivalentes.