De acordo com a configuração para circuitos lógicos CMOS (Complementary Metal Oxide Semicondutor) apresentada, informe se é verdadeiro (V) ou falso...
( V ) São constituídos por transistores MOS-FET canal N e canal P.
( F ) A imunidade a ruídos em um circuito CMOS é muito baixa comparada aos circuitos TTL.
( V ) Trata-se de uma porta lógica NOR – CMOS.
( F ) VDD só pode assumir valores de tensão superiores a +5 V.
a) V – F – V – F
b) F – V – F – V
c) V – F – F – V
d) F – V – V – F
💡 1 Resposta
Ed 
A alternativa correta é a letra "c": V - F - F - V. Justificativa: - (V) São constituídos por transistores MOS-FET canal N e canal P: essa afirmação é verdadeira, pois os circuitos CMOS são compostos por transistores MOS-FET de canal N e canal P. - (F) A imunidade a ruídos em um circuito CMOS é muito baixa comparada aos circuitos TTL: essa afirmação é falsa, pois os circuitos CMOS possuem alta imunidade a ruídos, sendo mais resistentes a interferências do que os circuitos TTL. - (F) Trata-se de uma porta lógica NOR – CMOS: essa afirmação é falsa, pois a configuração apresentada é de uma porta lógica NAND - CMOS. - (V) VDD só pode assumir valores de tensão superiores a +5 V: essa afirmação é verdadeira, pois a tensão de alimentação VDD em circuitos CMOS geralmente é superior a +5 V.
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