O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do ...

O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do material semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução ocorre, principalmente, devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material).
A redução da região de depleção resulta em um grande fluxo de portadores majoritários através da junção, de modo que, os elétrons do material semicondutor do tipo n recebe uma enorme atração com o potencial positivo aplicado no material semicondutor do tipo p cada vez maior à medida que a camada de depleção diminui com o aumento da diferença de potencial aplicada aos terminais.
Percebemos que aplicando a polarização reversa nos terminais do diodo semicondutor, as lacunas no material semicondutor do tipo p e os elétrons livres no material semicondutor do tipo n e se recombinarem com os íons próximos à fronteira dos dois materiais diminuindo a região de depleção.
O diodo de manganês real em polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

A V - F - V - F.
B F - V - V - F.
C F - V - F - V.
D V - V - F - F.