Os transistores de efeito de campo (FETs) são dispositivos semicondutores que possuem uma alta impedância de entrada e um excelente ganho em tensão, tornando-os ideais para aplicações em amplificadores de pequenos sinais. Eles são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos devido às suas características, como baixo consumo de potência, tamanho compacto e leveza. Os FETs são dispositivos de três terminais, sendo o terminal de entrada chamado de porta, o terminal de saída chamado de dreno e o terminal de referência chamado de fonte. Eles podem ser classificados em dois tipos: JFETs (transistores de efeito de campo de junção) e MOSFETs (transistores de efeito de campo de óxido de metal). Os JFETs são dispositivos de canal N ou P, que operam com polarização inversa na junção PN. Eles possuem uma alta impedância de entrada e um ganho em tensão moderado. Os MOSFETs, por outro lado, são dispositivos de canal N ou P que operam com um campo elétrico aplicado na região de óxido de metal. Eles possuem uma impedância de entrada ainda mais alta e um ganho em tensão ainda maior do que os JFETs. Os FETs podem ser configurados de várias maneiras, como amplificadores de fonte comum, amplificadores de dreno comum e amplificadores de porta comum. O amplificador de fonte comum é o mais comum e é caracterizado por uma alta impedância de entrada e uma baixa impedância de saída. O amplificador de dreno comum é caracterizado por uma baixa impedância de entrada e uma alta impedância de saída. O amplificador de porta comum é caracterizado por uma impedância de entrada e saída moderadas. Em resumo, os FETs são dispositivos semicondutores que possuem características ideais para aplicações em amplificadores de pequenos sinais, como alta impedância de entrada, excelente ganho em tensão, baixo consumo de potência, tamanho compacto e leveza. Eles podem ser configurados de várias maneiras, dependendo da aplicação desejada.
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