A velocidade dos elétrons que atravessam um cristal de silício de 2 micrômetros de espessura submetido a uma diferença de potencial de 2,5V é aprox...

Para calcular a velocidade dos elétrons que atravessam o cristal de silício, podemos usar a fórmula da velocidade média dos elétrons, que é dada por: \[ v = \sqrt{\frac{2 \cdot e \cdot V}{m}} \] Onde: - \( v \) é a velocidade dos elétrons, - \( e \) é a carga do elétron (aproximadamente \( 1,6 \times 10^{-19} \) C), - \( V \) é a diferença de potencial (2,5V neste caso), - \( m \) é a mobilidade dos elétrons no silício dopado do tipo n. Substituindo os valores fornecidos na fórmula, temos: \[ v = \sqrt{\frac{2 \cdot 1,6 \times 10^{-19} \cdot 2,5}{m}} \] Para encontrar a mobilidade dos elétrons no silício dopado do tipo n, é necessário mais informações sobre o material específico e suas propriedades. Portanto, sem esses dados adicionais, não consigo determinar a velocidade dos elétrons com precisão. Você terá que consultar uma fonte confiável ou fornecer mais detalhes para obter a resposta correta.