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No conversor DC-DC step Up da figura abaixo a tensão de entrada é de 110V, calcule a frequência de operação do MOSFET para que a tensão na saída seja de 220V. Dado: T_on = 0,5 ×10^-3 s

a. f = 2kHz
b. f = 3kHz
c. f = 1,5 kHz
d. f = 1,33kHz
e. f = 1kHz

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A1P_ Revisão da tentativa-ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

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Para calcular a frequência de operação do MOSFET para que a tensão na saída seja de 220V, podemos usar a fórmula: f = 1 / (T_on + T_off) Onde T_on é o tempo em que o MOSFET está ligado. Dado que T_on = 0,5 × 10^-3 s, e a tensão de entrada é 110V, para obter 220V na saída, a frequência de operação seria: f = 1 / (0,5 × 10^-3 + 0,5 × 10^-3) = 1 / (1 × 10^-3) = 1kHz Portanto, a alternativa correta é: e. f = 1kHz

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Considere o circuito básico de BJT com uma resistência de carga de 20 . A tensão da fonte é de 208 V e os valores de e na saturação são 0,9V e 1,1V respectivamente, para um determine:
a)
b)
c) As perdas de potência no coletor
d)As perdas de potência na base
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a. a)20,36 A; b) 136 mA; c)19,32W; d) 2,1W
b. a) 10,36 A; b) 136 mA; c)19,32W; d) 1,1W
c. a) 20 A; b) 1,036A; c)19,32W; d) 1,1W
d. a) 10,36 A; b) 1,036A; c)9,32W; d) 1,1W
e. a) 11,36 A; b) 136 mA; c)19,32W; d) 1,1W

A operação ideal do BJT como chave é:

a. IC = VCC RB VCE = VCC
b. I_C = \frac{V_{CC}}{R_C} \ V_{CE} = V_{CC}
c. I_C = \frac{V_{CC}}{R_C} \ V_{CE} = 0
d. V_C = \frac{V_{CC}}{R_C} \ V_{CE} = 0
e. I_C = \frac{V_{CC}}{I_C} \ V_{CE} = 0

Qual o objetivo dos resistores no circuito abaixo?

a. Proteger os diodos de sobre corrente
b. Aumentar a tensão inversa máxima
c. Proteger os diodos de sobre tensão
d. Evitar que em um dos diodos a tensão inversa seja excedida devido a diferenças na corrente de fuga dos diodos.
e. Evitar que em um dos diodos a corrente seja excedida devido a diferenças na corrente de fuga dos diodos.

O gráfico da figura abaixo representa:

a. A curva de potência (VI) de um transistor BJT
b. A curva característica de um transistor BJT
c. A curva característica de um transistor IGBT
d. A curva de potência (VI) de um transistor IGBT
e. A curva característica de um transistor MOSFET

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A operação ideal do BJT como chave é:a. IC = VCC RB VCE = VCCb. I_C = \frac{V_{CC}}{R_C} \ V_{CE} = V_{CC}c. I_C = \frac{V_{CC}}{R_C} \ V_{CE} = 0d. V_C = \frac{V_{CC}}{R_C} \ V_{CE} = 0e. I_C = \frac{V_{CC}}{I_C} \ V_{CE} = 0

O gráfico da figura abaixo representa:a. A curva de potência (V*I) de um transistor BJTb. A curva característica de um transistor BJTc. A curva característica de um transistor IGBTd. A curva de potência (V*I) de um transistor IGBTe. A curva característica de um transistor MOSFET

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a. IC = VCC RB VCE = VCC
b. I_C = \frac{V_{CC}}{R_C} \ V_{CE} = V_{CC}
c. I_C = \frac{V_{CC}}{R_C} \ V_{CE} = 0
d. V_C = \frac{V_{CC}}{R_C} \ V_{CE} = 0
e. I_C = \frac{V_{CC}}{I_C} \ V_{CE} = 0

O gráfico da figura abaixo representa:

a. A curva de potência (VI) de um transistor BJT
b. A curva característica de um transistor BJT
c. A curva característica de um transistor IGBT
d. A curva de potência (VI) de um transistor IGBT
e. A curva característica de um transistor MOSFET