a. II
b. II E III
c. I E III
d. III
e. I
Respostas
Ed 
ano passado
Vamos analisar cada afirmativa: I. Os dois semicondutores elementares são o silício (Si) e o germânio (Ge), que possuem energias de espaçamento entre bandas de aproximadamente 1,1 e 0,7 eV, respectivamente. Verdadeiro, essa afirmativa está correta. II. Os dois semicondutores elementares são o silício (Si) e o carbono (C), que possuem energias de espaçamento entre bandas de aproximadamente 1,1 e 0,7 eV, respectivamente. Falso, o carbono não é considerado um semicondutor elemental como o silício e o germânio. III. O arseneto de gálio (GaAs) e o antimoneto de índio (InSb) também são exemplos de semicondutores intrínsecos. Verdadeiro, essa afirmativa está correta. Agora, vamos ver quais alternativas contêm itens verdadeiros: - a. II (Falso) - b. II E III (Falso, pois II é falso) - c. I E III (Verdadeiro, ambos são verdadeiros) - d. III (Verdadeiro, mas não é a única opção correta) - e. I (Verdadeiro, mas não é a única opção correta) A alternativa que contém todos os itens verdadeiros é: c) I E III.
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Quanto à resistividade, classifique os materiais abaixo em:Condutor – 2 semicondutor - 3 isolante.
Prata – 1,7 10-6 ( ) grafita – 1 10-6 ( ) SiC – 10 ( ) borracha vulcanizada 1 1014 ( ) germânio 40 A a sequência correta será:
a. 1-1-2-2-2
b. N.d.a.
c. 1-1-2-3-2
d. 1-2-2-2-3
e. 1-1-2-3-3
Como podemos obter um semicondutor tipo n?
a. Adicionando ao cristal de silício ou germânio impurezas tetravalentes.
b. O cristal puro já é um semicondutor tipo N.
c. Adicionando ao cristal de silício ou germânio impurezas pentavalentes.
d. Adicionando ao cristal de silício ou germânio impurezas trivalentes.
e. N.d.a
Considere as afirmativas: I. O valor da resistência depende da geometria e também da composição do material. II. O valor da resistência depende apenas da geometria do material. III. O valor da resistência depende apenas da composição do material. IV. O valor da resistência depende da geometria, da composição e da fase do material. Está correto:
a. IV
b. II
c. I
d. III
e. N.D.A.
Considere a figura abaixo: Os números 1,2,3,4 e 5 correspondem, respectivamente, à:
a. Bc, Bv, band gap, semicondutor e condutor.
b. Bv, Bc, band gap, semicondutor e condutor.
c. Bv, Bc, band gap, condutor e semicondutor.
d. Bc,gap , band gap, semicondutor e condutor.
e. gap, Bc, band gap, condutor e semicondutor.
Assinale a alternativa que define corretamente transistor. A) Os transistores servem para ampliar o sinal elétrico e também como dispositivos interruptores em computadores para processamento e armazenamento de informação. B) Os transistores servem para ampliar o sinal elétrico e também como dispositivos ampliadores em computadores para processamento e dissipação de energia. C) Os transistores servem para reduzir o sinal elétrico e também como dispositivos interruptores em computadores para processamento e armazenamento de informação. D) Os transistores servem para ampliar o sinal elétrico e também como dispositivos ampliadores em computadores para processamento e armazenamento de informação. E) Os transistores servem para dissipar energia e consequentemente resfriar o dispositivo.
Assinale a alternativa que define corretamente diodo.
a. Diodo: Tem como principal objetivo maximizar a corrente em uma direção e converter corrente alternada em corrente contínua.
b. Diodo: Tem como principal objetivo limitar a corrente em uma direção e converter corrente alternada em corrente contínua.
c. Diodo: Tem como principal objetivo limitar a corrente em uma direção e converter corrente contínua em corrente alternada.
d. Diodo: Tem como principal objetivo ampliar a corrente em uma direção e converter corrente contínua em corrente alternada.
e. Diodo: Tem como principal objetivo limitar a corrente, ramificando-a em várias direções e converter corrente contínua em corrente alternada.
Considere um condutor em temperatura ambiente, cuja condutividade elétrica é igual a 2,2*106 /Ωm, com mobilidade equivalente a 2 *10-3 m2/Vs, considerando a carga do elétron igual a 1,6 *10-19 C. O número de elétrons livres (condutores de carga) por metro cúbico do material na temperatura ambiente será:
a. N.d.a
b. 6,875
c. 0
d. 6,875 * 1027
e. 3,20
Dentre os elementos abaixo, assinale aquele que, ao dopar uma matriz de germânio, não resulta em um semicondutor do tipo P.
a. Ti
b. In
c. Bi
d. Ga
e. Al
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