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Julius Edgar registrou a primeira patente para um transistor de efeito de campo em 1926 e, em seguida, Oskar Heil também fez o mesmo em 1934. O transistor de efeito de campo da porta de junção foi criado quando William Shockley, do Bell Labs, observou e elucidou o efeito do transistor em 1947. O que pode-se observar nestes componentes é a impedância de entrada que é: a. Aproxima-se de um. b. Quase infinita. c. Praticamente zero. d. Depende da corrente de entrada. e. É impossível prever.
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FABRICIO ANTUNES

há 5 meses

Respostas

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há 5 meses

Para responder à sua pergunta sobre a impedância de entrada dos transistores de efeito de campo (FET), é importante entender como esses dispositivos funcionam. Os FETs são conhecidos por terem uma impedância de entrada muito alta, o que significa que eles não consomem muita corrente da fonte de sinal. Analisando as alternativas: a) Aproxima-se de um - Isso não é uma descrição precisa da impedância de entrada. b) Quase infinita - Esta é uma descrição correta, pois a impedância de entrada dos FETs é geralmente muito alta, muitas vezes considerada quase infinita. c) Praticamente zero - Isso se aplica a dispositivos como transistores bipolares, mas não aos FETs. d) Depende da corrente de entrada - A impedância de entrada dos FETs não depende da corrente de entrada, mas sim da estrutura do dispositivo. e) É impossível prever - A impedância de entrada dos FETs pode ser prevista com base em suas características. Portanto, a alternativa correta é: b) Quase infinita.

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