O Transistor de Efeito de Campo de Junção (JFET) é um dispositivo semicondutor controlado por tensão, em que a corrente entre o dreno e a fonte é modulada por um campo elétrico estabelecido na junção porta-canal. Sua alta impedância de entrada o torna ideal para estágios de amplificação de sinais de baixa amplitude. A análise do ponto de operação quiescente (Ponto Q) em uma configuração de polarização fixa, em que a tensão porta-fonte (VGS) é estabelecida por uma fonte independente, é governada pela equação de Shockley. Esta relação não linear descreve a corrente de dreno (ID) em função de VGS e dos parâmetros intrínsecos do dispositivo, IDSS e VP.Fonte: BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.Considere o circuito de polarização fixa com JFET de canal N da figura. Assinale a alternativa correta que apresenta o valor aproximado da corrente de dreno quiescente, IDQ: A) 12,0 mA. B) 0,98 mA. C) 8,57 mA. D) 0 mA. E) 3,43 mA.