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Sobre as características de resistência dos diodos semicondutores, analise as afirmativas a seguir:
É correto o que se afirma em:
I. A resistência estática (CC) de um diodo operando com VD = 0,7 V e ID = 4 mA é de 175 Ω.
II. Se uma variação de 2 mA em um diodo corresponde a uma variação de tensão de 0,11 V, o valor da resistência dinâmica rd é de 5,5 Ω.
III. Em qualquer ponto de operação de um diodo, sua resistência estática (CC) e sua resistência dinâmica (CA) apresentam o mesmo valor numérico.
IV. Se uma variação de corrente de 10 mA em um diodo causa uma variação de tensão de 0,03 V, sua resistência dinâmica (CA) rd é de 3 Ω.
A II, III e IV, apenas.
B III e IV, apenas.
C II e III, apenas.
D I e IV, apenas.
E I, II e III, apenas.
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há 2 semanas

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Avaliação I - Individual Eletrônica
11 pág.

Avaliação I - Individual Eletrônica

Uniasselvi

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há 2 semanas

Vamos analisar cada afirmativa: I. A resistência estática (CC) de um diodo operando com VD = 0,7 V e ID = 4 mA é de 175 Ω. Para calcular a resistência estática (R) usamos a fórmula R = VD / ID. Assim, R = 0,7 V / 0,004 A = 175 Ω. Esta afirmativa é verdadeira. II. Se uma variação de 2 mA em um diodo corresponde a uma variação de tensão de 0,11 V, o valor da resistência dinâmica rd é de 5,5 Ω. A resistência dinâmica é calculada como rd = ΔV / ΔI. Portanto, rd = 0,11 V / 0,002 A = 55 Ω. Esta afirmativa é falsa. III. Em qualquer ponto de operação de um diodo, sua resistência estática (CC) e sua resistência dinâmica (CA) apresentam o mesmo valor numérico. Isso é falso, pois a resistência estática e a resistência dinâmica são diferentes e não têm o mesmo valor numérico em um diodo. IV. Se uma variação de corrente de 10 mA em um diodo causa uma variação de tensão de 0,03 V, sua resistência dinâmica (CA) rd é de 3 Ω. Usando a fórmula rd = ΔV / ΔI, temos rd = 0,03 V / 0,01 A = 3 Ω. Esta afirmativa é verdadeira. Agora, resumindo: - I é verdadeira. - II é falsa. - III é falsa. - IV é verdadeira. Portanto, as afirmativas corretas são I e IV. A alternativa que contém todas as afirmativas verdadeiras é: D) I e IV, apenas.

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Dessa forma, analise o circuito da porta lógica OR apresentado na imagem:
É correto o que se afirma em:
I. Aplicando-se V1 = -5 V e V2 = 0 V, o diodo D2 conduzirá, fazendo com que a tensão de saída Vo seja de -0,7 V, enquanto o diodo D1 permanecerá em corte.
II. Se V1 = 5 V e V2 = 5 V, a tensão Vo será de 4,3 V. Nessas condições, a corrente total que flui pelo resistor R é de 4,3 mA, e essa corrente se divide de forma aproximadamente igual entre os dois diodos.
III. Com V1 = 10 V e V2 = 0 V, o diodo D1 conduzirá enquanto D2 ficará em corte. A tensão de saída Vo será determinada pela tensão de V1 subtraída da queda de tensão no diodo, resultando em aproximadamente 9,3 V.
IV. Quando ambas as entradas, V1 e V2, estão em 10 V, os dois diodos conduzem simultaneamente. Nesse caso, a tensão de saída Vo será a soma das tensões de entrada após a queda nos diodos, resultando em 18,6 V.
A III e IV, apenas.
B II e III, apenas.
C II, III e IV, apenas.
D I, II e III, apenas.
E I e IV, apenas.

Considerando o circuito apresentado na figura e tratando o diodo como ideal, analise as afirmativas a seguir:
É correto o que se afirma em:
I. O diodo está diretamente polarizado, fazendo com que a corrente no circuito seja de aproximadamente 25,5 mA, valor obtido pela Lei de Ohm (V/R).
II. Devido à sua orientação no circuito, o diodo ideal está reversamente polarizado e, portanto, atua como um circuito aberto, resultando em uma corrente nula no circuito.
III. Se o diodo ideal fosse substituído por um diodo de silício real, uma pequena corrente de condução de 0,7 mA seria estabelecida no circuito.
IV. Como a corrente no circuito é nula, não há queda de tensão sobre o resistor RL. Pela Lei de Kirchhoff das Tensões, a tensão sobre os terminais do diodo é igual à tensão da fonte, ou seja, 12 V.
A I, II, III e IV.
B I, II e III, apenas.
C I, apenas.
D II e IV, apenas.
E III e IV, apenas.

Acerca dos materiais semicondutores, condutores e isolantes, analise as afirmativas a seguir:
É correto o que se afirma em:
I. Materiais com resistividade entre 10-4 e 106 Ωm são chamados de semicondutores.
II. Os materiais que apresentam alta resistividade, entre 1010 e 1020 Ωm, são chamados de isolantes.
III. Os materiais que apresentam alta condutividade, da ordem de 107 Ωm-1, são chamados de condutores.
IV. Materiais que apresentam baixa resistividade permitem que a corrente o atravesse com facilidade.
A I, apenas.
B I, II e III, apenas.
C I, II, III e IV.
D II e IV, apenas.
E III e IV, apenas.

A relação corrente-tensão em um diodo de junção PN sob polarização direta é governada pela equação de Shockley, um modelo matemático que descreve o comportamento exponencial do dispositivo.
Considerando que uma tensão de polarização direta (VD) de exatamente 0,5 V é aplicada sobre o diodo, e utilizando a constante de Boltzmann (k) como 1,38×10−23J/K e a carga elementar (q) como 1,602×10−19C, assinale a alternativa correta que apresenta a corrente (ID) que flui através do componente:
A 0,60 mA.
B 1,60 mA.
C 40,0 nA.
D 0,80 mA.
E 15,9 A.

Sobre o exposto, analise as afirmativas a seguir:
É correto o que se afirma em:
I. A Tensão de Ruptura Reversa (PIV) de um diodo define o limite de tensão que ele pode suportar em polarização direta antes de ser danificado.
II. Em um circuito retificador, a utilização de um diodo de germânio (Vd ≈ 0,3V) em vez de um de silício (Vd ≈ 0,7V) resulta em uma tensão CC média maior na carga.
III. A resistência estática (CC) de um diodo, calculada como VD/ID, aumenta com o crescimento da corrente de polarização direta devido à natureza exponencial do componente.
IV. O modelo ideal de um diodo o trata como um curto-circuito (Vd=0V) quando diretamente polarizado, enquanto o modelo de queda de tensão constante utiliza um valor fixo, como 0,7V para o silício.
A I, apenas.
B I, II, III e IV.
C II e IV, apenas.
D I, II e III, apenas.
E III e IV, apenas.

Com relação aos materiais semicondutores, analise as afirmativas a seguir:
É correto o que se afirma em:
I. Com a adição de impurezas ao material intrínseco, ele se torna extrínseco e deixa de ser eletricamente neutro.
II. Para obtenção de semicondutores do tipo n se utilizam elementos dopantes como o fósforo, boro e antimônio.
III. Os portadores majoritários em semicondutores do tipo n são os elétrons livres, devido à adição de impurezas que possuem cinco elétrons em sua camada de valência.
IV. A temperatura é um dos fatores que pode alterar a condutividade do silício, de modo que sua condutividade elétrica aumenta à medida que se aumenta a temperatura.
A II, III e IV, apenas.
B II e III, apenas.
C I e IV, apenas.
D I, II e III, apenas.
E III e IV, apenas.

A análise de circuitos com diodos em corrente contínua (CC) é essencial para compreender como esses componentes influenciam a distribuição de tensão e corrente. Em configurações em que um diodo é posicionado em paralelo com uma carga, ele pode atuar como um elemento de grampeamento ou limitação de tensão. Quando diretamente polarizado, o diodo estabelece uma queda de tensão relativamente constante em seus terminais, forçando o nó de saída a assumir esse potencial. Esse comportamento é fundamental para circuitos de proteção e para a criação de níveis de tensão de referência, sendo a correta identificação do estado do diodo (corte ou condução) o passo primordial da análise.
Considerando o diodo de silício (Si) com uma queda de tensão de 0,7 V quando em condução, analise as afirmativas a seguir:
I. A corrente que flui pela carga RL é de 4 mA, enquanto a corrente que flui pelo diodo é de 11,3 mA.
II. A tensão de saída vo é determinada pela tensão de condução do diodo, que grampeia a tensão neste nó em aproximadamente 0,7 V.
III. A corrente total iR que flui pelo resistor de 1 kΩ é de aproximadamente 15,3 mA, valor calculado com base na queda de tensão sobre este resistor.
IV. A potência total fornecida pela fonte de 16 V é de aproximadamente 245 mW, enquanto a potência dissipada pelo diodo é de cerca de 10,7 mW.
A I, II e III, apenas.
B III e IV, apenas.
C II, III e IV, apenas.
D I e IV, apenas.
E II e III, apenas.

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