Ed
há 22 horas
Vamos analisar cada afirmativa sobre os Transistores de Efeito de Campo (FET) em comparação com os transistores comuns: I. Sua fabricação é simples e ocupa menos espaço: pois, quando integrados, ocupam menos espaço na pastilha do que o bipolar. São amplamente utilizados para a integração em larga escala. Verdadeiro, os FETs, especialmente os MOSFETs, são conhecidos por sua capacidade de serem integrados em larga escala e ocuparem menos espaço. II. Em algumas configurações dos MOSFET, esses atuam como elementos resistivos controlados por tensão e com a diferença de ocuparem menor espaço físico do que seus iguais. Verdadeiro, os MOSFETs podem atuar como resistores controlados por tensão e, de fato, ocupam menos espaço. III. Zin (impedância de entrada alta): possibilitando que a carga armazenada permaneça por tempo suficiente para que o dispositivo seja utilizável como elemento de memória em circuitos digitais. Verdadeiro, os FETs têm alta impedância de entrada, o que é uma característica importante para aplicações em circuitos digitais. Portanto, todas as afirmativas I, II e III estão corretas. A alternativa correta é que todas as afirmações são verdadeiras. Se houver uma opção que mencione que todas estão corretas, essa seria a resposta. Se não, você deve escolher a que abrange todas as afirmativas corretas.