Ed
há 5 dias
A principal característica do IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) em comparação ao MOSFET (Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor) é que o IGBT combina as vantagens de ambos os dispositivos. Ele possui a alta capacidade de controle de tensão do MOSFET e a alta capacidade de corrente do transistor bipolar. Isso permite que o IGBT seja mais eficiente em aplicações de alta potência, enquanto o MOSFET é mais adequado para aplicações de alta frequência.