Ed
anteontem
Vamos analisar cada uma das afirmações: I - Nos semicondutores intrínsecos, a partir do momento no qual temos um campo elétrico aplicado ao material, forneceremos energia para os elétrons, os quais podem, por fim, se desprender do núcleo, criando um elétron livre. Além desse elétron livre, cria-se uma lacuna que representa um espaço onde há ausência de um elétron, a qual pode ser preenchida por outros elétrons livres. Verdadeiro, essa afirmação está correta, pois descreve o comportamento dos semicondutores intrínsecos. II - Nos materiais semicondutores extrínsecos tipo n, a impureza inserida é um elemento que possui três elétrons na camada de valência. Falso, os semicondutores tipo n são dopados com elementos que têm cinco elétrons na camada de valência (como fósforo), o que fornece elétrons adicionais. III - Nos materiais semicondutores extrínsecos tipo p, a impureza inserida é um elemento que possui cinco elétrons na camada de valência. Falso, os semicondutores tipo p são dopados com elementos que têm três elétrons na camada de valência (como boro), criando lacunas. Com base nas análises, apenas a afirmação I é verdadeira. Portanto, a alternativa correta é: a) I, apenas.
Mais perguntas desse material