Vamos analisar as opções sobre o funcionamento do MOSFET na região de saturação: a) Um canal é criado e permite o fluxo de corrente entre o dreno e a porta. - Esta afirmação não é correta, pois o canal já está formado na região de saturação. b) O aumento de VDS também contribui para uma redução da área do canal nas proximidades do terminal dreno. - Esta afirmação é verdadeira, pois na região de saturação, o aumento de VDS pode levar a uma compressão do canal. c) O transistor permanece desligado. - Esta afirmação é falsa, pois na região de saturação, o transistor está ligado e conduz corrente. d) O aumento de VDS implica no crescimento de IG. - Esta afirmação não é correta, pois IG (corrente de gate) é praticamente zero em um MOSFET ideal. e) A diferença VGS VDS aumenta (atraindo maior quantidade de elétrons para aquela região). - Esta afirmação não é precisa, pois na região de saturação, a relação entre VGS e VDS não se comporta dessa forma. A opção correta, que descreve o comportamento do MOSFET na região de saturação, é: b) O aumento de VDS também contribui para uma redução da área do canal nas proximidades do terminal dreno.