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Eletrônica Analógica

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Através da prática virtual Iluminação de Emergência com Transistor foi possível verificar o comportamento do transistor com a variação de resistência de um LDR. Lembrando que o LDR é um resistor cuja resistência varia conforme a intensidade da luz que incide sobre ele. Na prática, ao ajustar o potenciômetro em uma determinada resistência, o LDR fará o LED acender quando a luz estiver apagada. Da mesma forma, o LDR fará o LED apagar quando a luz estiver acesa.
Com relação ao exposto e à prática virtual, assinale a alternativa CORRETA:
A Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito aumente e a corrente de base seja muito pequena.
B Com pouca intensidade da luz, o LDR irá se comportar como um curto circuito, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
C Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá diminuir, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
D Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena.
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Uniasselvi

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há 7 dias

Vamos analisar passo a passo: - O LDR (Light Dependent Resistor) tem resistência que varia conforme a luz: com pouca luz, a resistência do LDR aumenta; com muita luz, a resistência diminui. - A resistência de Thevenin do circuito depende da resistência do LDR e do potenciômetro. - Quando a resistência do LDR aumenta (pouca luz), a resistência total (resistência de Thevenin) também aumenta. - Com resistência maior, a corrente de base do transistor diminui (corrente menor). - Corrente de base pequena significa que o transistor pode desligar ou não conduzir, fazendo o LED apagar ou acender conforme o circuito. Analisando as alternativas: A) Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito aumente e a corrente de base seja muito pequena. — Correta B) Com pouca intensidade da luz, o LDR irá se comportar como um curto circuito, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena. — Errada (LDR não se comporta como curto com pouca luz) C) Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá diminuir, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena. — Errada (resistência aumenta com pouca luz) D) Com pouca intensidade da luz, a resistência do LDR irá aumentar, fazendo com que a resistência de Thevenin do circuito diminua e a corrente de base seja muito pequena. — Errada (resistência de Thevenin aumenta, não diminui) Resposta correta: A

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Através da prática virtual Leds e Diodos foi possível verificar o comportamento do LED com a imposição de diferentes valores de tensão nesse componente. LED do experimento estava em polarização direta, como podia ser visto no circuito. Seguindo outro caso específico, considere um diodo emissor de luz com limiar de tensão de 1,2 V, sem resistor presente no circuito, é polarizado inversamente em um circuito. Assumindo uma tensão inversa máxima aceitável é de
Sobre o problema exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá acender por estar polarizado inversamente.
B Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED não irá conduzir corrente elétrica, mas irá acender.
C Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá conduzir corrente elétrica, mas não irá acender.
D Ao aplicarmos 1,2 V no circuito, o LED irá acender mesmo estando polarizado inversamente.

A tensão de entrada (porta-fonte) controla a corrente do canal de saída (dreno-fonte) de um JFET. Já sabemos que para a análise CC é a tensão porta-fonte que controla a corrente do dreno segundo a equação de Shockley.
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Para a análise CA utilizamos a transcondutância.
B Para a análise CA utilizamos a resistência.
C Para a análise CA utilizamos a condutância.
D Para a análise CA utilizamos a impedância.

Tendo determinado o circuito equivalente do JFET, é possível investigar várias configurações fundamentais de pequenos sinais. Sendo uma análise similar a desenvolvida ao TBJ, com a determinação de e A_v. A configuração com polarização fixa inclui capacitores de acoplamento, C_1 e C 2, que servem para isolar o circuito de polarização do sinal aplicado e da carga, atuando como curto-circuitos na análise CA.
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Uma vez determinados os valores de gy e de é possível substituir, entre os terminais apropriados, o modelo CA equivalente.
B Uma vez determinados os valores de gm e rd é possível substituir, entre os terminais apropriados, o modelo CC equivalente.
C Uma vez determinados os valores de gn e rd é possível substituir, entre os terminais apropriados, o modelo CA equivalente.
D Uma vez determinados os valores de gm e rd é possível substituir, entre os terminais apropriados, o modelo CA equivalente.

teorema de Miller converte o capacitor de realimentação em dois capacitores equivalentes, um na entrada e outro na saída. Isso cria dois problemas simples em vez de um grande problema. Esse fenômeno tem aplicações úteis porque cria capacitores artificiais ou virtuais muito maiores que o capacitor de realimentação.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Um amplificador inversor produz uma tensão de saída que está 180° fora da fase em relação à tensão de entrada.
II- Existe um artifício denominado teorema de Millmann que converte o capacitor em dois capacitores separados.
III- teorema de Miller converte capacitor de realimentação em dois capacitores equivalentes, um na entrada e outro na saída.
A As sentenças I e II estão corretas.
B As sentenças I e III estão corretas.
C As sentenças II e III estão corretas.
D Somente a sentença II está correta.

Um MESFET (transistor de efeito de campo semicondutor de metal) é um dispositivo semicondutor de transistor de efeito de campo semelhante a um JFET com uma junção Schottky (metal semicondutor) em vez de uma junção p-n para uma porta. Os MESFETs são construídos em tecnologias de semicondutores compostos que necessitam de superfície de alta qualidade, como arseneto de gálio, fosfeto de índio ou carboneto de silício, e são mais rápidos, e mais caros do que JFETs ou MOSFETs baseados em silício. Os MESFETs de produção são operados até aproximadamente 45 GHz, e são comumente usados para radares e comunicações de frequência de microondas. Os primeiros MESFETs foram desenvolvidos em 1966 e, um ano depois, seu desempenho de microondas RF de frequência extremamente alta foi demonstrado.
Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs).
Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal
Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal
A F-V-V-F.
B V-V-F-F.
C V-F-V-F.
D F-V-F-V.

Os semicondutores são materiais que possuem baixa condutividade elétrica. Esses elementos estão entre os condutores e isolantes, e são capazes de mudar sua condição de condução elétrica com facilidade. Eles não conseguem conduzir corrente elétrica em condições químicas normais. Os átomos dos semicondutores são tetravalentes, ou seja, possuem apenas quatro camadas de valência, o que os tornam elementos não estáveis.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Materiais condutores possuem resistividade muito baixas, permitindo que a corrente elétrica o atravesse sem muita dificuldade devido as suas propriedades intrínsecas (como disponibilidade de um grande número de elétrons livres).
II- Materiais semicondutores possuem resistividade muito baixas, permitindo que a corrente elétrica o atravesse sem muita dificuldade devido as suas propriedades intrínsecas (como disponibilidade de um grande número de elétrons livres).
III- Materiais isolantes possuem alta resistividade, e deste modo uma pequena quantidade de elétrons livres, fazendo com que para que a corrente elétrica o percorra é necessário aplicar uma grande diferença de potencial.
a) As sentenças II e III estão corretas.
b) Somente a sentença III está correta.
c) As sentenças I e II estão corretas.
d) As sentenças I e III estão corretas.

Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu uso mais comum está nos processadores de computador, nos quais são requeridos graças a sua capacidade de emular os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de material semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p (sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semicondutor do tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor pnp).
II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo.
III- Os TBJs do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tripolares de junção pois têm três pernas.
A As sentenças II e III estão corretas.
B Somente a sentença II está correta.
C As sentenças I e II estão corretas.
D As sentenças I e III estão corretas.

Polarizar um transistor, FET ou bipolar, significa estabelecer valores de tensões e correntes contínuas para que ao ser aplicado um sinal alternado, as variações aconteçam ao redor dos valores CC e uma região de comportamento linear para não haver distorção. Existem vários circuitos de polarização, aqui consideraremos apenas os circuitos de polarização fixa, autopolarização e por divisor de tensão.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- A polarização por divisor de tensão tem por objetivo estabilizar o ponto Q contra variações nos parâmetros (troca de transistor) e temperatura.
II- A polarização fixa é a mais simples dos circuitos, mas necessita de duas fontes de tensão fixa.
III- No circuito de autopolarização se usa uma única fonte para polarizar o FET e consiste em usar a queda de tensão na resistência RS.
a) As sentenças I, II e III estão corretas.
b) Somente a sentença I está correta.
c) Somente a sentença II está correta.
d) Somente a sentença III está correta.

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