A barreira de potencial é a diferença de potencial entre das junções p e n de um diodo que previne a passagem de portadores de carga através da junção pn não polarizada. Essa diferença de potencial tem um valor de fabricação do componente que normalmente é de 0,7V para diodos de Silício e 0,3V para diodos de Germânio. Já a camada de depleção é a região em torno de uma junção p-n de um semicondutor na qual existem poucos portadores de carga, podendo ser elétrons ou buracos.
A barreira de potencial é a diferença de potencial entre das junções p e n de um diodo que previne a passagem de portadores de carga através da junção pn não polarizada. Essa diferença de potencial tem um valor de fabricação do componente que normalmente é de 0,7V para diodos de Silício e 0,3V para diodos de Germânio. Já a camada de depleção é a região em torno de uma junção p-n de um semicondutor na qual existem poucos portadores de carga, podendo ser elétrons ou buracos.
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