Cálculos em Materiais: Comprimento crítico de fibras e quantidade de arsênico em semicondutores

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17.33 En una matriz de nylon 6.6 se introducen fibras de vidrio con diámetro de 50 μm. Determine la longitud crítica de fibras a la que la fibra se comporta como si fuera continua. La resistencia de la unión entre las fibras y la matriz es de 10MPa. Las propiedades materiales relevantes son como sigue:
Evidrio=72 GPa		Enylon=2.75 GPa
Tsvidrio=3.4 GPa 	Tsnylon=827MPa
La longitud crítica de la fibra viene dada por: 
Donde: 
Ti=10MPa
d=50μm
Tsf=3.4 GPa=3400MPa
19.26 Determine la cantidad de arsénico que debe combinarse con 1Kg de galio, para producir un semiconductor tipo p con una conductividad eléctrica de 500 ohm¨1.cm¨-1 a 25°C. El parámetro de red del GaAs es de unos 5.65 A, y el GaAs tiene una estructura blenda de zinc.
Entonces se tiene 0.999658 átomo de As por átomo de Ga.
X%Ga= 100-49.991=50.009%
PMAs=74.9216
PMGa=69.72