EXERCÍCIOS - 3

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APÊNDICE
UNIDADE 3
Eletrônica 
Analógica
U3 - Transistores de efeito de campo (FET)2
UNIDADE 3: Transistores de efeito de campo (FET)
Gabarito 1. Faça valer a pena - Seção 3.1
1. Alternativa E.
Resposta comentada: o transistor de efeito de campo (Field-
effect transistor, FET) é um dispositivo unipolar, isto é, tem seu 
funcionamento dependente apenas de um tipo de carga: elétrons 
livres (canal n) ou lacunas (canal p), com alta impedância entrada, 
que variam de um a várias centenas de mega-ohms.
Além disso, este transistor de efeito de campo é um dispositivo de 
três terminais sendo que um deles, a porta (ou gate, G), controla a 
corrente entre os outros dois: dreno (D) e fonte (ou source, S), por 
meio da tensão GSVGSVGS . 
2. Alternativa C.
Resposta comentada: o transistor de efeito de campo de junção 
(JFET) é um dispositivo de três terminais sendo que um deles, a 
porta (ou gate, G), controla a corrente entre os outros dois: dreno 
(D) e fonte (ou source, S). Este dispositivo se caracteriza por ter 
quatro regiões de operação:
• A região ôhmica ou região de resistência controlada por tensão. 
Nesta região, entre a origem e a tensão de estrangulamento, 
o JFET pode ser considerado como um resistor variável cuja 
resistência é controlada pela tensão porta-fonte aplicada.
• A região ativa, ou região de saturação, dar-se-á entre a tensão 
de estrangulamento ( pVpVp ) e a tensão de ruptura ( ( )DS máx( )DS máx( )VDS máxVDS máx ). Nesta 
região, o JFET funciona como uma fonte de corrente com 
valor constante.
Apêndice
Gabaritos comentados com resposta-padrão
U3 - Transistores de efeito de campo (FET)3
• A região de ruptura que ocorre quando (m x)DS DS á(m x)DS DS á(m x)V VDS DS áV VDS DS áDS DS á>DS DS áV V>V VDS DS áV VDS DS á>DS DS áV VDS DS á . Nesta região 
há um aumento rápido de corrente no FET. Muitos dispositivos 
serão destruídos se operados nesta região, porém, assim como 
com os diodos zeners, existem dispositivos que são projetados 
especialmente para funcionar nessa região de avalanche.
• A região de corte é a região cujo valor da corrente de dreno 
DI é nulo, ou seja, o dispositivo está em seu estado desligado.
Tais regiões podem ser observadas na figura a seguir:
3. Alternativa A.
Resposta comentada: o transistor do tipo JFET caracteriza por ter a 
corrente de dreno máxima ( DSSI ) quando a tensão de porta é nula, 
ou seja, 0GSVGSVGS = . Já quando GS pV VGS pV VGS pV V=V VGS pV VGS p=GS pV VGS p o dispositivo está desligado, 
isto é, a corrente de dreno ( DI ) é nula.
Sendo assim, analisando a curva de transferência ou 
transcondutância de um dispositivo JFET apresentada, podemos 
afirmar que 4 VpVpVp =- e 4 mADSSI = . 
Gabarito 2. Faça valer a pena - Seção 3.2
1. Alternativa E.
Resposta comentada: a partir da Figura 3.31(a), podemos 
determinar que:
 
40 24 3,2 k
5 mA
Q
Q
DD DQDD DQ
D
DQDQ
R
V VDD DV VDD D
I
V V-V V 40 24-40 24
= == == W
U3 - Transistores de efeito de campo (FET)4
A partir da (3.10), podemos afirmar que:
 S D SV I RS D SV I RS D SV I R=V I RS D SV I RS D S=S D SV I RS D S 
Logo:
 
S
S
D
R VSVS
I
=
 
Neste caso, podemos afirmar que:
 
( )2
0,4 k
5 mA
Q
Q
GSQGSQ
S
DQDQ
R
VGSVGS
I
- - -(- -(
= == == W 
Dentre os valores comerciais mais próximos temos:
 
3,2 k 3,3 k
0,4 k 0,39 k
D
S
R
R 0,4 k 0,39 kWÞ0,4 k 0,39 k=
WÞ W3,2 k 3,3 kWÞ W3,2 k 3,3 k=
W
 
 
2. Alternativa E.
Resposta comentada: para polarização por divisor de tensão 
apresentado pela Figura 3.32, podemos afirmar que:
 2
2 1
47 16 8,36 V
47 43G DD
R kVG DDVG DDVG DDVG DDR R k k2 1R R k k2 1 47 43R R k k47 43R R k k2 1R R k k2 1
G DDR R k kG DD
16 8,36 V=16 8,36 V
2 1+2 1R R k k+R R k k2 1R R k k2 1+2 1R R k k2 1
G DDR R k kG DD+G DDR R k kG DD
= == =G DD= =G DDV= =VG DDVG DD= =G DDVG DD +47 43+47 4347 43R R k k47 43+47 43R R k k47 43
 
Logo:
 
16 12 2 mA
2
DD D
D
D
I V VDD DV VDD D
R k2R k2DR kD
V V-V V 16 12-16 12
== = 
Sabendo que GS SS D SV V I RGS SS D SV V I RGS SS D SV V I R= -V V I RGS SS D SV V I RGS SS D S= -GS SS D SV V I RGS SS D S , então:
 2 8,36 5,18 k
2 mA
GS G
S
D
R V VGS GV VGS G
I
V V-V V - -2 8,36- -2 8,36
= = W= = W
2 8,36
= = W
2 8,36 5,18 k= = W5,18 k=
-
 
3. Alternativa B.
Resposta comentada: a determinação da corrente e tensão do 
ponto de operação, ou ponto quiescente, para o circuito de 
polarização fixa apresentado pela Figura 3.33, pode ser feita 
pelo método matemático ou pelo método gráfico.
Pelo método matemático:
 2 V
QGS GGQGS GGQ
V VGS GGV VGS GG=- =-GS GG=- =-GS GGV V=- =-V VGS GGV VGS GG=- =-GS GGV VGS GG 
 
2
1
Q
GS
D DSSQD DSSQ
I VGSVGSID DSSID DSS V
æ öVæ öV ÷æ ö÷æ öçæ öçæ ö÷÷÷÷çççç= -1= -1= -D DSS= -D DSSI= -ID DSSID DSS= -D DSSID DSS ç= -ç ÷÷÷÷ç= -ç= -ç= -ççç= -ç ÷÷÷÷çççç ÷÷÷÷çççè øpè øpVè øVpVpè øpVp ÷è ø÷çè øççççè øççç
 
 3
2
6
21012 1 5,34 mA312 1 5,34 mA3
6
12 1 5,34 mA
6
212 1 5,34 mA21012 1 5,34 mA10
QDQDQ
I 12 1 5,34 mA-12 1 5,34 mA
æ ö2æ ö2÷12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA
æ ö÷æ öç12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mA
æ öçæ ö12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA1012 1 5,34 mA10= - =1012 1 5,34 mA1012 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mA12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mA12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA÷÷÷÷12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA÷12 1 5,34 mA
æ ö-æ ö
ø÷ø÷-
12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mA×12 1 5,34 mA= - =12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mA12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mAç12 1 5,34 mAèçèç
 
U3 - Transistores de efeito de campo (FET)5
Já pelo método gráfico é necessário inicialmente traçar a curva 
de transferência, sabendo que quando 0DI =  6 VGS pV VGS pV VGS p= =-GS p= =-GS pV V= =-V VGS pV VGS p= =-GS pV VGS p ;
0GSVGSVGS =  12 mAD DSSI ID DSSI ID DSS= =D DSS= =D DSSI I= =I ID DSSI ID DSS= =D DSSI ID DSS e 3 V2
pVpVp =-  3 mA
4
DSSI = . De posse 
desses valores, podemos traçar a curva de transferência e encontrar 
o ponto de interseção com a reta 2 V
QGS GGQGS GGQ
V VGS GGV VGS GG=- =-GS GG=- =-GS GGV V=- =-V VGS GGV VGS GG=- =-GS GGV VGS GG , como mostra 
a Figura 3.34. 
Gabarito 3. Faça valer a pena - Seção 3.3
1. Alternativa C.
Resposta comentada: o modelo equivalente CA do JFET é formado 
por uma fonte de corrente e uma impedância de saída, dado que 
sua impedância de entrada é muito alta (ou ( )iZ JFET( )Z JFET( )iZ JFETi =¥W ). Sendo 
assim, para obtermos o modelo equivalente, basta encontrarmos o 
valor da fonte de corrente e da impedância de saída ( drdrd ).
A fonte de corrente do dreno é representada por uma fonte de 
corrente conectada do dreno para fonte, logo seu valor é dado por:
313 08D m gs gs,D m gs gs, 1D m gs gs13D m gs gs3 0D m gs gs08D m gs gs8 VD m gs gsVD m gs gsI VD m gs gsI VD m gs gsD m gs gsgD m gs gsI VgI VD m gs gsI VD m gs gsgD m gs gsI VD m gs gs
-DI V=I VD m gs gsI VD m gs gs=D m gs gsI VD m gs gs×=D m gs gs=D m gs gs
Sendo que o fator de transcondutância mg foi fornecido pela 
questão. Logo, basta encontrarmos o valor da impedância de saída 
oZ . Esta é calculada como:
Figura 3.34 | Curva característica de transferência
(mA)DI
GSV
2
QGS GG
V V= − = −
6pV = −
12DSSI =
5,3 mADQI ≈
Ponto Q
Fonte: elaborado pela autora. 
U3 - Transistores de efeito de campo (FET)6
Z r
g So d
Z ro dZ r
OSg SOSg S
= =Z r= =Z ro d= =o dZ ro dZ r= =Z ro dZ r = == =
1 1
g S20g S
50
µg Sµg S
kΩ
Dessa forma o modelo CA para este JFET é dado como:
2. Alternativa D.
Resposta comentada: para determinarmos o valor de oV obter o 
ganho de tensão. Para isso, devemos inicialmente encontrar 
o valor do fator de transcondutância, como:
3
0 S5
2 2 10 012 10 01 4 mDSSm
p
g I
VpVp
-2 10 0×2 10 0
-= == ==
2 10 0×2 10 0
3
0 S5
1 0 1 3,2 m31 0 1 3,2 m341 0 1 3,2 m4 11 0 1 3,2 m1m m
p
g gm mgm m 1 0 1 3,2 m
-1 0 1 3,2 m
é ùVé ùV é ù1é ù1é ù-é ùê ú1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 mGSê úGS1 0 1 3,2 mGS1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 mGS1 0 1 3,2 mVê úV1 0 1 3,2 mV1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 mV1 0 1 3,2 mGSVGSê úGSVGS1 0 1 3,2 mGS1 0 1 3,2 mV1 0 1 3,2 mGS1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 mGS1 0 1 3,2 mV1 0 1 3,2 mGS1 0 1 3,2 m
é ù
ê ú
é ùVé ùVê úV
é ùV ê ú1ê ú11 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m11 0 1 3,2 m1ê ú11 0 1 3,2 m1
é ù
ê ú
é ù1é ù1ê ú1
é ù11 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m1 0 1 3,2 m- = × - =1 0 1 3,2 m41 0 1 3,2 m4- = × - =41 0 1 3,2 m4 11 0 1 3,2 m1- = × - =11 0 1 3,2 m11 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m- = × - =1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m- = × - =1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m- = × - =1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 mVê úV
1 0 1 3,2 m
V
1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 mV
1 0 1 3,2 mê úê ú
ê ú1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m
ê ú1 0 1 3,2 m1 0 1 3,2 m- = × - =1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m- = × - =1 0 1 3,2 m1 0 1 3,2 m- = × - =1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m- = × - =1 0 1 3,2 m1 0 1 3,2 m
ê ú1 0 1 3,2 m- = × - =1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m
ê ú1 0 1 3,2 m- = × - =1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m
ê ú5ê ú5
1 0 1 3,2 m
ê ú
1 0 1 3,2 m
5
1 0 1 3,2 m
5ê ú5
1 0 1 3,2 m
5
1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m
ê ú
1 0 1 3,2 mê ú1 0 1 3,2 m
ûê úûê úê ú-ê úëê úëê úê úpê úpVê úVpVpê úpVp
ê ú
ê ú
ê úVê úVê úV
ê úVëê úëê ú
=
ûê úûê ú
 
Sendo r
gd
rdr
os
= == = =
1 1
50
20
µ
kΩ, então este valor deve ser considerado 
nos cálculos.
Sendo assim, a impedância de entrada é obtida como:
 
i SZ Ri SZ Ri S
é ùr Ré ùr Rr Ré ùr R+r Ré ùr Rê úê úd Dê úd Dr Rê úr Rd Dr Rd Dê úd Dr Rd Dr Rê úr Rd Dr Rd Dê úd Dr Rd D
é ù
ê ú
é ùr Ré ùr Rê úr R
é ùr Rd D+d Dê úd D+d Dr R+r Rê úr R+r Rd Dr Rd D+d Dr Rd Dê úd Dr Rd D+d Dr Rd Dr R
é ùr R+r Ré ùr Rê úr R
é ùr R+r Ré ùr RZ R=Z Ri SZ Ri S=i SZ Ri S ê ú1ê ú1 g rê úg r
ê ú
ê ú
ê úê ú
ê ú
ê ú
ê ú+ê úë û1ë û1 m dë ûm dg rë ûg rm dg rm dë ûm dg rm dê úë ûê úg rê úg rë ûg rê úg rê úë ûê ú1ê ú1ë û1ê ú1+ë û+ê ú+ê úë ûê ú+ê ú
 
Z k k k Z k ki ii iZ ki iZ k Z ki iZ kZ k=Z kZ ki iZ k=Z ki iZ k
+k k+k k
+( )i i( )i i( )m k( )m ki i( )i im ki im k( )m ki im k
= =Z k= =Z ki i= =i iZ ki iZ k= =Z ki iZ k =1Z k1Z kZ ki iZ k1Z ki iZ k
20 3 3k k3 3k k
1 3i i1 3i i+1 3+i i+i i1 3i i+i i( )1 3( )i i( )i i1 3i i( )i im k2 2m ki i2 2i im ki im k2 2m ki im k( )2 2( )m k( )m k2 2m k( )m ki i( )i i2 2i i( )i im ki im k( )m ki im k2 2m ki im k( )m ki im km k( )m k2 2m k( )m ki i( )i i2 2i i( )i im ki im k( )m ki im k2 2m ki im k( )m ki im k( )0( )m k( )m k0m k( )m ki i( )i i0i i( )i im ki im k( )m ki im k0m ki im k( )m ki im k
1Z k1Z k 23 3
65
,3 3,3 3k k3 3k k,k k3 3k k
( ),( )
, 0 300 30 58, k0 3, k0 358, k58 Ω[i i[i i [[i i[i i [ 
Já a impedância de saída é calculada como:
Z R r k ko DZ Ro DZ R dr kdr k= == =Z R= =Z R r k= =r ko D= =o DZ Ro DZ R= =Z Ro DZ R r kdr k= =r kdr k =3 3r k3 3r k 20 2 83, ,, ,r k, ,r k k, ,k3 3, ,3 3r k3 3r k, ,r k3 3r k 20, ,20 2 8, ,2 8 kΩ 
Assim, o ganho é calculado como:
 
9,2v
d
A
rdrd
é ùRé ùR é ù
(
é ù
( )
é ù
)(
é ù
( )
é ù
) 3,3
é ù3,3ké ùkê úê úDê úDRê úR Rê úRgê úg
é ù
ê ú
é ùRé ùRê úR
é ùRê ú+ê ú ê ú(ê ú( )ê ú)(ê ú( )ê ú)ê ú3,3ê ú3,33,2 3,3ê ú3,2 3,3)3,2 3,3)ê ú)3,2 3,3)(3,2 3,3(ê ú(3,2 3,3( kê úkm kê úm k3,2 3,3m k3,2 3,3ê ú3,2 3,3m k3,2 3,3)3,2 3,3)m k)3,2 3,3)ê ú)3,2 3,3)m k)3,2 3,3)(3,2 3,3(m k(3,2 3,3(ê ú(3,2 3,3(m k(3,2 3,3(
é ù
ê ú
é ù
(
é ù
(ê ú(
é ù
( )
é ù
)ê ú)
é ù
)(
é ù
(ê ú(
é ù
( )
é ù
)ê ú)
é ù
) 3,3
é ù3,3ê ú3,3
é ù3,3ké ùkê úk
é ùkê ú+ê úê úm Dê úm DRê úRm DRm Dê úm DRm Dgê úg rê úr
ê ú
ê ú
ê úRê úRê úR
ê úRgê úgê úg
ê úg +ê ú+
ê ú+ê úê ú
ê ú+ê ú
ê ú
(
ê ú
( )
ê ú
)(
ê ú
( )
ê ú
)3,2 3,3
ê ú
3,2 3,3)3,2 3,3)
ê ú
)3,2 3,3)(3,2 3,3(
ê ú
(3,2 3,3(
20ê ú20
m k
ê ú
m k3,2 3,3m k3,2 3,3
ê ú
3,2 3,3m k3,2 3,3)3,2 3,3)m k)3,2 3,3)
ê ú
)3,2 3,3)m k)3,2 3,3)(3,2 3,3(m k(3,2 3,3(
ê ú
(3,2 3,3(m k(3,2 3,3(
kê úk
ê ú
ê ú
ê ú(ê ú(
ê ú
(ê ú( )ê ú)
ê ú
)ê ú)3,2 3,3ê ú3,2 3,3
ê ú
3,2 3,3ê ú3,2 3,3m kê úm k
ê ú
m kê úm k3,2 3,3m k3,2 3,3ê ú3,2 3,3m k3,2 3,3
ê ú
3,2 3,3m k3,2 3,3ê ú3,2 3,3m k3,2 3,3)3,2 3,3)m k)3,2 3,3)ê ú)3,2 3,3)m k)3,2 3,3)
ê ú
)3,2 3,3)m k)3,2 3,3)ê ú)3,2 3,3)m k)3,2 3,3)(3,2 3,3(m k(3,2 3,3(ê ú(3,2 3,3(m k(3,2 3,3(
ê ú
(3,2 3,3(m k(3,2 3,3(ê ú(3,2 3,3(m k(3,2 3,3( +
ê ú
+ê ú+ê ú
ê ú
ê ú+ê ú
ë û ë û20ë û ë û20dë û ë ûdrë û ë ûrdrdë û ë ûdrd kë û ë ûkê úë û ë ûê úrê úrë û ë ûrê úr ê úë û ë ûê ú
(
ê ú
(
ë û ë û
(
ê ú
( )
ê ú
)
ë û ë û
)
ê ú
)(
ê ú
(
ë û ë û
(
ê ú
( )
ê ú
)
ë û ë û
)
ê ú
)
20ê ú20ë û ë û20ê ú20kê úkë û ë ûkê úk=
é ù é ù3 3é ù é ù3 3ké ù é ùkRé ù é ùRê ú ê úê ú ê úê ú ê ú,ê ú ê ú,1ê ú ê ú11ê ú ê ú1
3 3ê ú ê ú3 3,3 3,ê ú ê ú,3 3,Dê ú ê úD kê ú ê úkRê ú ê úR
é ù é ù
ê ú ê ú
é ù é ù3 3é ù é ù3 3ê ú ê ú3 3
é ù é ù3 3é ù é ùê ú ê ú
é ù é ùké ù é ùkê ú ê úk
é ù é ùkRé ù é ùRê ú ê úR
é ù é ùRê ú ê ú+ê ú ê úê ú ê ú+ê ú ê úê ú ê ú1ê ú ê ú11ê ú ê ú1 20ê ú ê ú20rê ú ê úr kê ú ê úk
ê ú ê ú
ê ú ê ú
ê ú ê ú1ê ú ê ú1
ê ú ê ú
1ê ú ê ú1ê ú ê ú
ê ú ê ú
ê ú ê ú1ê ú ê ú1ê ú ê ú1
ê ú ê ú1 +ê ú ê ú+
ê ú ê ú+ê ú ê ú
ê ú ê ú
ê ú ê ú+ê ú ê ú+ê ú ê ú+
ê ú ê ú+ê ú ê úê ú ê ú
ê ú ê ú+ê ú ê ú
ë û20ë û20kë ûkê ú ê úë ûê ú ê ú20ê ú ê ú20ë û20ê ú ê ú20kê ú ê úkë ûkê ú ê úk
=
û
ê ú ê ú
û
ê ú ê ú
=
ë
ê ú ê ú
ë
ê ú ê ú
 
gsV
3103,8 gsV
−⋅ Ω50 k
dr
D
SS
G +
−
U3 - Transistores de efeito de campo (FET)7
Como:
o
v
i
VoVoA
ViVi
= 
Então:
( )( )9,2 20mV 184,12 mV)9,2 20mV 184,12 mV)(9,2 20mV 184,12 mV( )9,2 20mV 184,12 mV)o v iV A Vo v iV A Vo v i= = =(= = =(9,2 20mV 184,12 mV= = =9,2 20mV 184,12 mV)9,2 20mV 184,12 mV)= = =)9,2 20mV 184,12 mV)(9,2 20mV 184,12 mV(= = =(9,2 20mV 184,12 mV( )9,2 20mV 184,12 mV)= = =)9,2 20mV 184,12 mV)o v i= = =o v iV A V= = =V A Vo v iV A Vo v i= = =o v iV A Vo v i 
3. Alternativa E.
Resposta comentada: como o modelo resultante para a 
configuração autopolarização é o mesmo que para a 
polarização fixa, os parâmetros de impedância de entrada, 
saída e o ganho de tensão são os mesmos que apresentados 
para polarização fixa.
Logo, para determinarmos o valor do ganho de tensão vA ,devemos 
inicialmente encontrar o valor do fator de transcondutância, como:
3
0 S
2 2 12 10 2,67 m
9
DSS
m
p
I
VpVp
g
-2 12 10× ×2 12 10
==
-
=
3
0 1 2,67 S10 1 1,78 m
310 1 1,78 m3
9
10 1 1,78 m
9
10 1 1,78 mm mg V
gm mgm m 10 1 1,78 m
-10 1 1,78 m
é ùVé ùV é ù3é ù3é ù-é ùê ú1 2,67ê ú1 2,67GSê úGS1 2,67GS1 2,67ê ú1 2,67GS1 2,67Vê úV1 2,67V1 2,67ê ú1 2,67V1 2,67GSVGSê úGSVGS1 2,67GS1 2,67V1 2,67GS1 2,67ê ú1 2,67GS1 2,67V1 2,67GS1 2,67
é ù
ê ú
é ùVé ùVê úV
é ùV ê ú3ê ú310 1 1,78 mê ú10 1 1,78 m310 1 1,78 m3ê ú310 1 1,78 m3
é ù
ê ú
é ù3é ù3ê ú3
é ù310 1 1,78 mê ú10 1 1,78 m10 1 1,78 m- = × - =10 1 1,78 m- = × - =1 2,67- = × - =1 2,67 10 1 1,78 m- = × - =10 1 1,78 m1 2,67ê ú1 2,67- = × - =1 2,67ê ú1 2,67 10 1 1,78 mê ú10 1 1,78 m- = × - =10 1 1,78 mê ú10 1 1,78 m10 1 1,78 mê ú10 1 1,78 m- = × - =10 1 1,78 mê ú10 1 1,78 mê ú1 2,67ê ú1 2,67Vê úV
1 2,67
V
1 2,67ê ú1 2,67V
1 2,67ê úê ú
ê ú1 2,67ê ú1 2,67ê ú1 2,67
ê ú1 2,671 2,67- = × - =1 2,67ê ú1 2,67- = × - =1 2,671 2,67- = × - =1 2,67ê ú1 2,67- = × - =1 2,671 2,67
ê ú1 2,67- = × - =1 2,67ê ú1 2,67ê ú1 2,67
ê ú1 2,67- = × - =1 2,67ê ú1 2,67
ê
10 1 1,78 m
ê
10 1 1,78 m10 1 1,78 mê ú10 1 1,78 m
ê
10 1 1,78 mê ú10 1 1,78 m
ëêëê
=
ú
10 1 1,78 m
ú
10 1 1,78 m10 1 1,78 mê ú10 1 1,78 m
ú
10 1 1,78 mê ú10 1 1,78 m
ûúûúú
ê ú
ú
ê ú
ë ûpë ûpVë ûVpVpë ûpVp úë ûú -ê
ê ú
ê
ê ú
ë ûêë û
 
Sendo r
gd
rdr
os
= == = =
1 1
10
100
µ
kΩ, como 10d D10d D10r R10r R10d Dr Rd D10d D10r R10d D10d D³d Dr R³r Rd Dr Rd D³d Dr Rd D então este valor não 
deve ser considerado nos cálculos.
Sendo assim, a impedância de entrada é obtida como:
Z Ri SZ Ri SZ R= =Z R= =Z Ri S= =i SZ Ri SZ R= =Z Ri SZ R 1kΩ 
Já a impedância de saída é calculada como:
Z Ro DZ Ro DZ R= =Z R= =Z Ro D= =o DZ Ro DZ R= =Z Ro DZ R 4 7, k4 7, k4 7 Ω 
Assim, o ganho é calculado como:
( )( ) 71,7 ,)1,7 ,)(1,7 ,( 88 4 71,7 ,8 4 71,7 ,)1,7,)8 4 7)1,7 ,)(1,7 ,(8 4 7(1,7 ,( ,3v m DA R m(A R m(1,7 ,A R m1,7 ,1,7 ,8 4 71,7 ,A R m1,7 ,8 4 71,7 ,v m DA R mv m Dv m Dgv m DA R mgA R mv m DA R mv m Dgv m DA R mv m D kA R m=A R mv m DA R mv m D=v m DA R mv m D- =8 4 7- =8 4 71,7 ,8 4 71,7 ,- =1,7 ,8 4 71,7 ,)1,7 ,)8 4 7)1,7 ,)- =)1,7 ,)8 4 7)1,7 ,)(1,7 ,(8 4 7(1,7 ,(- =(1,7 ,(8 4 7(1,7 ,(A R m- =A R m(A R m(- =(A R m(1,7 ,A R m1,7 ,- =1,7 ,A R m1,7 ,1,7 ,8 4 71,7 ,A R m1,7 ,8 4 71,7 ,- =1,7 ,8 4 71,7 ,A R m1,7 ,8 4 71,7 ,v m DA R mv m D- =v m DA R mv m DA R mgA R m- =A R mgA R mv m DA R mv m Dgv m DA R mv m D- =v m DA R mv m Dgv m DA R mv m D- =)- =)k- =kA R m=-A R mA R m- =A R m=-A R m- =A R m