Semana 04 - Teste_ Atividade para avaliação - 10 - Microeletronica

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1 ptsPergunta 1
Somente as afirmativas II e III estão corretas.
Somente a afirmativa II está correta
Todas as afirmativas estão corretas
Somente a afirmativa I está correta
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Considere as seguintes propriedades do óxido de silício utilizado na fabricação de circuitos
integrados:
Pode ser utilizado como meio de mascaramento seletivo nas difusões de impurezas
doadoras e aceitadoras.
I.
Fornece isolação elétrica.II.
Funciona como barreira contra a penetração de impurezas no silício.III.
Agora responda:
1 ptsPergunta 2
fissão, oxidação pirogênica, fusão.
difusão, implantação iônica, deposição por plasma.
deposição por plasma, oxidação seca, oxidação úmida.
por repuxamento, por crescimento parabólico do óxido, implantação iônica.
drenagem, por arco elétrico, por arco voltaico.
Dentre os processos de obtenção da camada de óxido de silício sobre o substrato de silício no
processo de fabricação de circuitos integrados, podemos citar:
1 ptsPergunta 3
do decapeamento térmico da lâmina de silício.
do crescimento do óxido de silício a partir da lâmina de silício.
da ionização da lâmina de silício para obtenção do óxido.
No processo de oxidação térmica a camada de óxido de silício é obtida através:
da deposição do óxido de silício sobre a lâmina de silício.
do derretimento superficial da lâmina de silício.
1 ptsPergunta 4
plasmática, voltaica e hidrogeniônica.
dopante, anidra e pirotécnica.
passiva, iônica e luminescente.
seca, úmida e pirogênica.
iônica, catódica e anódica.
Existem basicamente três técnicas de Oxidação Térmica, normalmente utilizadas na obtenção da
camada de óxido de silício sobre o substrato de silício, são elas:
1 ptsPergunta 5
Somente a afirmativa III está correta.
Somente a afirmativa II está correta.
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Somente a afirmativa I está correta.
Todas as afirmativas estão corretas.
Em relação ao processo de dopagem, podemos afirmar que:
A camada de óxido de silício pode ser utilizada como máscara no processo de dopagem.I.
Os semicondutores utilizados no processo de dopagem são também chamados de
semicondutores extrínsecos.
II.
A dopagem pode ser obtida através do processo de oxidação térmica.III.
1 ptsPergunta 6
Si (silício).
Dos elementos químicos abaixo (referenciados pelos seus símbolos químicos), qual se constitui de
uma impureza doadora no processo de dopagem?
In (indio).
As (arsênio).
Ga (gálio).
B (boro).
1 ptsPergunta 7
elétrica, lacuna, ativação
alternada, tensão aplicada, carga
iônica, profundidade, aceleração
intrínseca, dopagem, ativação
de dreno, dopagem, reação
Na dopagem por implantação iônica, a concentração de dopante inserido depende da corrente
__________ e do tempo de implantação. Ao passo que a ___________ depende da energia de
__________ do íon.
1 ptsPergunta 8
Somente as afirmativas II e III estão corretas.
Somente as afirmativas I e III estão corretas.
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Somente a afirmativa I está correta.
Todas as afirmativas estão corretas.
Quando comparamos os processos de dopagem por difusão e dopagem por implantação iônica,
podemos afirmar que:
A dopagem por implantação iônica apresenta melhor uniformidade dopante e
reprodutibilidade.
I.
A dopagem por difusão apresenta baixo risco de contaminação, ao passo que a dopagem
por implantação iônica apresenta alto risco de contaminação.
II.
A implantação iônica pode ser realizada à temperatura ambiente (25ºC), ao passo que a
dopagem por difusão requer altas temperaturas.
III.
Salvo em 22:30 
1 ptsPergunta 9
P e B.
Ga e In.
Sb e As.
B e Sb.
P e As.
Quais dos elementos químicos abaixo podem ser utilizados para obter regiões dopadas do tipo N e
do tipo P, respectivamente?
1 ptsPergunta 10
gás ionizado ou plasma.
vácuo ou O .
O ou H O.
CO ou NO .
vácuo ou SO
No processo de oxidação térmica dentro do forno de oxidação, para produção da atmosfera
oxidante a que a lâmina de silício será exposta provocando o crescimento do óxido de silício
(SIO ), são normalmente utilizados:2
3
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2 2
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