Microeletronica - Nota 10 - Semana 5 - Univesp

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02/11/2020 Teste: Atividade para avaliação - Semana 5
https://cursos.univesp.br/courses/3200/quizzes/13129/take 1/7
1 ptsPergunta 1
Podemos depositar materiais empregando processos químicos, conhecidos como PVD e que empregam geralmente fontes gasosas
Podemos depositar materiais empregando processos químicos, conhecidos como CVD e que empregam geralmente fontes sólidas
Podemos depositar materiais empregando processos físicos, conhecidos como CVD e que empregam geralmente fontes sólidas
Podemos depositar materiais empregando processos físicos, conhecidos como PVD e que empregam geralmente fontes gasosas
Podemos depositar materiais empregando processos físicos, conhecidos como PVD e que empregam geralmente fontes sólidas
Considerando a etapa de deposição de materiais sobre uma lâmina de silício, selecione a afirmativa
correta:
1 ptsPergunta 2
O processo químico de deposição pode usar precursores gasosos para depositar o filme desejado a
partir de reações químicas onde o material de interesse é formado na super�cie .
1 ptsPergunta 3
02/11/2020 Teste: Atividade para avaliação - Semana 5
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Apenas as afirmativas I, II e III estão corretas.
Apenas as afirmativas II, III e IV estão corretas.
Apenas as afirmativas II, III, IV e V estão corretas.
Apenas as afirmativas I, II, III, e IV estão corretas.
Apenas as afirmativas III, IV e V estão corretas.
Analise as afirmativas abaixo e escolha a alternativa correta.
O processo APCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), tem como vantagens o uso de um
reator simples e confere uma rápida deposição à baixa temperatura.
I.
O processo LPCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de materiais de
excelente pureza, mas necessita ser realizado em alta temperatura.
II.
O processo PECVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de filmes com
boa cobertura a degraus e a baixas temperaturas, mas está sujeito a contaminantes e partículas.
III.
O processo APCVD, feito à pressão atmosférica, tem como vantagens o uso de um reator simples e
confere uma rápida deposição à baixa temperatura.
IV.
O processo LPCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de óxidos e
nitretos de silício, além de silício policristalino.
V.
1 ptsPergunta 4
Uma vez depositada uma camada na superfície de uma lâmina de silício, costumeiramente ela tem
algumas partes removidas seletivamente, por meio de um processo conhecido como corrosão (etching
em inglês). Assinale a alternativa correta:
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O processo de corrosão seca foi abandonado em detrimento do processo de corrosão que utiliza banhos químicos.
A seletividade muito maior que 1 é uma característica indicativa de um processo de corrosão de boa qualidade.
Os principais tipos de corrosão são corrosão à quente e corrosão à frio.
O processo de corrosão que utiliza banhos químicos é o mais empregado atualmente.
A anisotropia é a relação entre a taxa de corrosão segundo a orientação cristalográfica da lâmina.
1 ptsPergunta 5
Apenas as afirmativas III, IV e V estão corretas.
Apenas as afirmativas II, III, IV e V estão corretas.
A corrosão seca pode ser feita em reatores chamados de RIE (corrosão por íons reativos ou reactive ion
etching em inglês). Nesses reatores, o processo de corrosão é uma combinação de reações químicas e
bombardeamento físico da superfície da lâmina. Em relação à corrosão RIE, analise as afirmativas
abaixo e escolha a alternativa correta.
O fotorresiste (C H O ) pode ser corroído usando-se oxigênio (O ) como gás, sendo que os produtos da
reação envolvem óxidos de carbono (CO ) e vapor de água (H O)
I. x y z 2
x 2
Óxido de silício (SiO ) pode ser corroído utilizando-se gás freon (CF ) e hidrogênio (H ), gerando como
produtos finais um fluoreto de silício (SiF ) e oxigênio monoatômico (O) que são produtos voláteis.
II. 2 4 2
4
No processo de corrosão seca do fotorresiste por RIE o mecanismo preponderante de corrosão é o
processo químico.
III.
No processo de corrosão seca do óxido de silício por RIE, procura-se gerar através das reações
químicas um polímero para proteger as paredes que não se deseja corroer.
IV.
Injeta-se um gás como freon (CF ) em um reator RIE para se corroer SiO , sendo que todo o processo é
feito à pressão atmosférica.
V. 4 2
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Apenas as afirmativas I, II, III, e IV estão corretas.
Apenas as afirmativas II, III e IV estão corretas.
Apenas as afirmativas I, II e III estão corretas.
1 ptsPergunta 6
A corrosão seca dificilmente é utilizada para se obter perfis anisotrópicos.
A corrosão úmida, por não se utilizar de um processo físico e sim apenas químico, costuma ser muito seletiva.
A corrosão úmida permite se obter perfis anisotrópicos com extrema facilidade.
A corrosão úmida é mais cara que a corrosão a seco, principalmente porque utiliza muitos regentes químicos na forma líquida.
A corrosão seca é extremamente estável, não dependendo, por exemplo, de parâmetros como pressão e vazão dos gases.
Considerando processos de corrosão (etching em inglês) assinale a alternativa correta:
1 ptsPergunta 7
Um reator de deposição por PECVD é muito similar em termos construtivos a um reator de corrosão
seca RIE. Em relação aos 2 tipos de reatores, analise as afirmativas abaixo e selecione a alternativa
correta:
utiliza-se vácuo.I.
utiliza-se uma fonte de energia por radiofrequência (RF).II.
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Apenas as afirmativas III, IV e V estão corretas.
Apenas as afirmativas II, III, IV e V estão corretas.
Apenas as afirmativas II, III e IV estão corretas.
Apenas as afirmativas I, II e III estão corretas.
Apenas as afirmativas I, II, III, e IV estão corretas.
há a existência de um plasma (gás ionizado e eletricamente neutro).III.
injetam-se gases para promover as reações.IV.
não se controla a vazão dos líquidos ou gases injetados.V.
1 ptsPergunta 8
Na implantação iônica, o objetivo é implantar um elemento químico (dopar) no substrato enquanto que, na corrosão por plasma, esse é um efeito
indesejável.
Na dopagem por implantação iônica, não se utiliza um processo de aceleração de íons.
Na corrosão seca, de fato, pode ocorrer implantação iônica, pois temos reações químicas ocorrendo.
Na implantação iônica, não se amorfiza o material do substrato visto que as energias empregadas são muito baixas.
No processo de corrosão por plasma, os íons não implantam no material do substrato porque não há nenhum processo de bombardeamento físico
envolvido.
O processo de implantação iônica, utilizado para dopar o silício, também ocorre, só que de maneira
indesejada, no processo de corrosão seca. Assinale a alternativa correta:
02/11/2020 Teste: Atividade para avaliação - Semana 5
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1 ptsPergunta 9
A profundidade de penetração dos íons em um substrato é da ordem de dezenas de micrômetros e é heterogênea ao longo da profundidade.
Quanto maior a energia de aceleração dos íons, maior sua profundidade de penetração, sendo que essas energias se encontram na faixa de 30 keV a 800
keV.
Quanto menor a energia de aceleração dos íons, maior sua profundidade de penetração, sendo que essas energias se encontram na faixa de 1 keV a 10
keV.
Quanto maior a energia de aceleração dos íons, maior sua profundidade de penetração, sendo que essas energias se encontram na faixa de 1 keV a 10
keV.
A profundidade de penetração dos íons em um substrato é da ordem de décimos a alguns micrômetros e é homogênea ao longo da profundidade.
Para se realizar a dopagem por implantação iônica, é necessário se acelerar os íons com uma
determinada energia.Assinale a alternativa correta:
1 ptsPergunta 10
A dopagem pode ser feita tanto por difusão quanto por implantação iônica. A dopagem por implantação
iônica é mais uniforme que a dopagem por difusão, sendo que há um risco baixo
de contaminação (adição de dopantes indesejáveis) na implantação iônica. Adicionalmente, na difusão
há um elevado risco de redistribuição de dopantes (mudança do perfil desejado) visto tratar de um
processo realizado a altas temperaturas.
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