exercícios revisão AV2

Prévia do material em texto

Eletrônica Analógica – Exercícios de revisão AV2 
 
1-Os transistores de efeito de campo (FET) são dispositivos utilizados de forma semelhante aos TBJ, podendo ser 
utilizados em modos de chaveamento ou de amplificação, porém algumas características destes dispositivos devem 
ser conhecidas para a escolha do componente correto. Assinale então a opção que corresponde a uma característica 
dos dispositivos FET 
 
a) Há dois tipos de MOSFETs: Os NPN e os PNP 
b) O JFET não possui um canal que conecta os terminais Gate e Source. Desta forma, quando é estabelecida uma ddp 
entre estes terminais não há circulação de corrente 
c) A corrente máxima para um JFET é chamada de IDSS e ocorre quando VGS = 0V 
d) Nos MOSFETs tipo intensificação, assim que é estabelecida uma ddp entre os terminais Source e Drain, ocorre uma 
corrente de Dreno, mesmo que a tensão VGS seja zero 
e) Nos MOSFETs há grande circulação de corrente no terminal Gate, pois, este componente possui um dielétrico. 
Desta forma em regime permanente um curto circuito a tensões contínuas é estabelecido entre este terminal e o 
substrato. 
 
2-Acerca do dispositivo transistor, assinale (V) para as afirmativas verdadeiras e (F) para as afirmativas falsas: 
 
(V) Transistores bipolares são dispositivos controlados por corrente (corrente do coletor é controlada pela corrente 
da base). 
(V) Transistores de efeito de campo (FET) são tipo de transistor o qual a corrente é controlada pela tensão. 
(V) A grande vantagem do FET sobre o TBJ é a altíssima impedância de entrada (Megaohms) e baixo ruído. 
(F) O JFET é um dispositivo bipolar, o que significa que os dois tipos de portadores são responsáveis pelo controle da 
corrente. 
 
3-Os transistores da família FET, são componentes que possuem uma grande importância, principalmente na 
computação dada a sua velocidade e a possibilidade de serem muito menores que os TBJ. Outra característica 
importante é que algumas famílias destes transistores apresentam uma grande impedância de entrada, o que torna 
possível utilizar pequenos sinais para controlar cargas grandes, dado que drenam quase nenhuma corrente da fonte 
de entrada. Acerca dos transistores FET leias as afirmativas abaixo e assinale V para verdadeiro e F para falso 
 
(V) Na família MOSFET possuímos os do tipo intensificação e o do tipo depleção e as suas curvas características em 
termos de tensões de Gate e corrente de dreno são semelhantes; 
(F) Os MOSFET, possuem uma baixa impedância de entrada pois entre o terminal Gate e o substrato existe um óxido 
isolante, formando um dielétrico e desta forma, à corrente contínua, em regime permanente a corrente que circula 
pela Gate é zero 
(V)No MOSFET tipo intensificação não existe um canal entre o Dreno e a Fonte assim, quando ligamos uma tensão 
entre, não haverá circulação de corrente. A não ser que apliquemos uma ddp entre Gate e Source maior que a tensão 
de thershold. 
 
4-As relações entre os parâmetros de entrada e de saída de um JFET, não são tão simples como no TBJ, o JFET 
apresenta uma relação quadrática envolvendo entrada e a saída, considerando um JFET de canal N, calcule o valor 
de ID para IDSS=8mA, VGS=-3V e VP=- 4V: 
 
 
 
 
 
 
 
5-Um estudante estava estudando FET e decidiu montar o amplificador JFET a seguir em um simulador para verificar 
se seus cálculos estavam corretos. Quais são os valores aproximados que o simulador vai apresentar para ID, VGS. e 
VDS? 
 
 
6- 
 
 
7- 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
8- 
 
 
 
 
 
9- 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
10- 
 
a) 0V 
b) 16V 
c) 4 V 
d) 8,8 V 
e) 12 V 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
11- 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
12- 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
13- 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
14- 
 
 
 
15- 
 
 
 
 
 
16-Os AMP-OPs são componentes eletrônicos indispensáveis para os sistemas analógicos. Por meio deles podemos 
construir osciladores, filtros ativos, etc. Um dos AMP-OPs mais conhecidos é o 741, que tornou-se padrão na 
indústria. Um dos parâmetros essenciais do AMP-OP é o ganho de tensão, pois é por esse parâmetro que será possível 
a amplificação. Um AMP-OP tem um ganho de tensão de 200k. 
Se for medida uma tensão de saída é de 1 V, qual é o valor na tensão de entrada? 
( ) 1 MV. 
( ) 1 V. 
( ) 2 µV. 
(X) 5 µV. 
( ) 1 mV. 
17-Amplificadores Operacionais são amplificadores diferencias com ganho muito alto, impedância de entrada alta e 
impedância de saída baixa. Suas principais aplicações, como o próprio nome diz, são realizar operações matemáticas 
(integração, diferenciação, soma, multiplicação/amplificação, etc.), quando operando na região linear (região ativa). 
Na região de saturação, este dispositivo pode ser utilizado como comparador, gerador de onda quadrada, dente de 
serra, filtros, osciladores, etc. Para o circuito amplificador a seguir, marque a alternativa correta: 
(X) Vx = - 2 VA 
( ) Vo = 2 VA , considerando Vx como entrada do segundo amplificador operacional 
( ) Se VA = 6 V, então Vo = - 12 V 
( ) Se for usado um amplificador operacional do tipo LM-741 e se a alimentação simétrica dos amplificadores 
for + / - 12 V, a saída será alterada. 
( )As entradas inversoras encontram-se aterradas. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
18- 
 
 
 
19- 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
20- 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
21-Em um circuito amplificador de sinais com transistor TBJ a corrente no terminal de coletor é igual a 300 mA e a 
corrente no terminal de base do transistor é 2% da corrente de coletor. Com base nas informações fornecidas 
calcule a eficiência desse transistor. 
 
IE=IC+IB=300mA+(0.02 ∗ 300mA) =306mA 
Eficiência(α) = IC/IE = (300mA) /(306mA) = 0,98 
 
 
22-A figura ilustra um amplificador de potência com transistor de tecnologia bipolar. Determine o valor de RB que 
localiza o ponto de operação quiescente Q no centro da equação de carga, sabendo que beta = 60. 
 
 
23-Os amplificadores diferenciais podem ser utilizados como sistemas amplificadores dedicado. Para o amplificador 
diferencial a seguir, determine a tensão de saída encontrada em Vo quando R1 = 2,2 KΩ, R2 = 22 KΩ, R3 = 1 K Ω , 
R4 = 10 KΩ, V1 = 1 V e V2 = 0,25 V 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
24-Em relação à dopagem da base de um transistor npn, podemos afirmar que: 
( ) É larga e fortemente dopada 
( ) É estreita e fortemente dopada 
( ) É larga e levemente dopada 
(X) É estreita e levemente dopada 
( ) Dopada com um material pentavalente 
 
A base de um transistor npn é fracamente dopada. O nível de dopagem do coletor é intermediário, entre a forte 
dopagem do emissor e a fraca dopagem da base. O coletor é fisicamente a região mais larga das três e a base a mais 
estreita. O emissor é fortemente dopado. Ele tem esse nome porque sua principal função é emitir portadores de 
carga para a base. Sendo assim, se for um transistor tipo NPN, ele vai emitir elétrons para a base, já que esses são os 
portadores majoritários do semicondutor tipo N. Usando a mesma lógica, o emissor do transistor PNP emite lacunas 
para a base. A base tem esse nome por se encontrar no meio do transistor e possui uma dopagem média além de ser 
a mais fina das camadas. O coletor, por sua vez, é levemente dopado. Seu nome também está ligado à sua tarefa, 
que é coletar os portadores de carga que vêm da base. Perceba que nos desenhos é mostrado que ele é mais 
comprido do que as demais camadas. Isso porque ele foi projetado para dissipar a maior parte da potência gerada 
nos circuitos transistorizados. 
 
25-A letra grega β (beta) é usada para designar o ganho estático de corrente de um transistor na configuração de 
emissor comum. Trata-se da relação existente entre a corrente de coletor e a corrente de base. Isso significa que o 
Beta de um transistor nos informa quantas vezes ele pode ampliar a corrente que seja forçada a circular pela sua 
base na configuração indicada, num circuito de corrente contínua. Com a utilização do circuito apresentado abaixo 
com seu respectivo ganho beta, qual será o valor de Vc?26-Os TBJ são componentes que operam, em três principais faixas de operação, Corte, Saturação e Região linear ou 
de amplificação. Sendo todas importantes para suas aplicações como chaves eletrônicas ou como amplificadores 
para pequenos sinais. Desta forma assinale a alternativa correta acerca das características dos TBJ 
( ) Na região linear, o TBJ opera em seu terminal de coletor, como uma fonte de corrente controlada pela tensão da 
base. 
( ) Quando está em corte, o TBJ age como uma chave fechada, onde idealmente haverá um fluxo de corrente de 
coletor para emissor sem que a corrente de base influencie. 
(X) De uma modo geral, a operação do TBJ na região linear, consiste no controle da corrente de coletor pela corrente 
de base com fator de transformação linear dado pela construção do TBJ que chamamos de beta 
( ) Em modo saturação, o TBJ age como uma chave aberta, desta forma, irá (idealmente) não haverá corrente entre 
coletor e emissor 
( ) TBJ significa transistor bipolar de junção, sendo este componente composto de três camadas, uma chamada de 
GATE, outra de DRAIN e a última de SOURCE 
 
27-Considere os seguintes dados de projeto relativos ao circuito abaixo: o diodo zener tem 6,8V de tensão nominal 
e opera com correntes: IZmin = 15mA e IZmax = 80 mA; o transistor de potência opera com VBE = 0,7V, Beta = 50 e 
RB = 140 Ohms; a corrente de carga varia de 0 (sem carga) a IL = 2,25 A (plena carga). 
Para que o regulador opere normalmente, a tensão de entrada Ve pode variar, em V, entre quais limites? 
 
 
 
28-Um estudante testa um circuito transistorizado. Ele mede uma IB= 6OmA e um VCB = 24,3V. Sabe, também, que 
o transistor que está analisando tem um β =100. Se o transistor é de silício e está polarizado no modo ativo, qual o 
valor de IC, IE e VCE ele deve ter obtido? 
( ) IC = 24 mA; IE = 24,06 mA e VCE = 6 V 
( ) IC = 6,06 mA; IE = 6 mA e VCE = 24,3 V 
( ) IC = 6 mA; IE = 6,06 mA e VCE = 25 V 
( ) IC = 6 µA; IE = 6,06 µA e VCE = 25 V 
( ) IC = 6,06 µA; IE = 6 µA e VCE = 24 V 
 
Usando a definição de β e as leis de Kirchhoff, temos: IC = β.IB => IC= 6mA 
IE = IB+IC => IE = 6,06mA 
Se o transistor está no modo ativo, o valor de VBE deve, necessariamente, ser 
0,7V. Então, VCE= VCB + VBE VCE=25V 
 
29-Os amplificadores de pequenos sinais utilizando transistor podem ser utilizados, aplicando o sinal de entrada em 
um dos terminais, retirando em um outro terminal, e o terceiro terminal sendo comum tanto à entrada, quanto a 
saída do amplificador. Para separar o sinal CC do sinal CA, são utilizados capacitores chamados Capacitores de 
Acoplamento, nestes pontos de Conexão. Defina o tipo de amplificador da figura abaixo. 
 
 
( ) Amplificador coletor comum 
(X) Amplificador emissor comum 
( ) Amplificador base comum 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
30-Para o circuito da figura a seguir, determine a tensão VS para uma corrente I DQ = 9mA. 
 
V S = 0,39K . I DQ – 4V 
V S = (0,39X’K . 9m) – 4 = - 0,49 V 
 
>> FALTA O CIRCUITO<<